公开(公告)号：CN100590789C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200710199506.X

申请日：2007-12-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张发源 ,  赖宗沐 ,  梁凯智 ,  吴华书 ,  贺庆雄 ,  萧国裕 ,  张浚威 ,  刘铭棋 ,  谢元智 ,  蔡嘉雄 ,  沈育民 ,  白景中

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/50 ,  B81C3/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0125 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/926 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种制造微电子元件的方法，包括：形成顶部金属层于第一基板上，其中该顶部金属层包括多个内连线特征以及第一虚设特征；形成第一介电层于该顶部金属层上方；蚀刻在目标区域内的该第一介电层，其中该目标区域大体上垂直地对准该顶部金属层的所述多个内连线特征与该第一虚设特征；对该经蚀刻的第一介电层进行化学机械研磨工艺；以及在进行该化学机械研磨工艺之后，将该第一基板与第二基板结合。本发明提出的制造微电子元件的方法可提升化学机械研磨工艺性能、整个基板表面平坦度以及晶片连接质量。

公开(公告)号：CN101246811A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200710199506.X

申请日：2007-12-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张发源 ,  赖宗沐 ,  梁凯智 ,  吴华书 ,  贺庆雄 ,  萧国裕 ,  张浚威 ,  刘铭棋 ,  谢元智 ,  蔡嘉雄 ,  沈育民 ,  白景中

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/50 ,  B81C3/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0125 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/926 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种制造微电子元件的方法，包括：形成顶部金属层于第一基板上，其中该顶部金属层包括多个内连线特征以及第一虚设特征；形成第一介电层于该顶部金属层上方；蚀刻在目标区域内的该第一介电层，其中该目标区域大体上垂直地对准该顶部金属层的所述多个内连线特征与该第一虚设特征；对该经蚀刻的第一介电层进行化学机械研磨工艺；以及在进行该化学机械研磨工艺之后，将该第一基板与第二基板结合。本发明提出的制造微电子元件的方法可提升化学机械研磨工艺性能、整个基板表面平坦度以及晶片连接质量。