公开(公告)号：CN101068022A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200610167479.3

申请日：2006-12-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钱俊逸 ,  萧国裕 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L31/1085 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/02327

Abstract: 本发明提供一种影像感测器及其制造方法，特别涉及一种影像感测器，其包括多个像素，其中至少一像素包括：一半导体基底，具有一感光区；以及一第一电极及一第二电极，嵌入于该半导体基底内，其中该第一及第二电极形成以一阵列排列的多个狭缝，所述狭缝用以使具有一特定波长的光通过该感光区。本发明所提供的影像感测器及其制造方法，可降低影像感测器的成本及尺寸。

公开(公告)号：CN101281917A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200710154745.3

申请日：2007-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 傅士奇 ,  蔡嘉雄 ,  萧国裕 ,  刘铭棋 ,  许峰嘉 ,  许慈轩

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明提供了一种增加背照式图像感测器的光灵敏度的系统与方法。此系统为集成电路，包括衬底，其具有相对的第一表面与第二表面；图像感测元件，包括至少一个晶体管形成于衬底的第一表面及感光区上；彩色滤光片，位于衬底的第二表面上；以及微镜片结构，位于彩色滤光片与第二衬底的第二表面之间。

公开(公告)号：CN1734745A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510075335.0

申请日：2005-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭景森 ,  许峰嘉 ,  萧国裕 ,  陈界璋 ,  傅士奇 ,  曾建贤 ,  蔡嘉雄 ,  刘源鸿 ,  吴志达 ,  罗际兴 ,  杜友伦

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明是关于一种适用于影像感测器的透镜结构及其制造方法。该影像感测器包括双微透镜结构，是具有一外微透镜排列于一内微透镜上方，两微透镜是排列于对应的光感测器上方。可经由硅化法形成内或外微透镜，其中光阻材料的反应性部分是与含硅药剂反应。可通过梯级蚀刻法形成内或外微透镜，梯级蚀刻法包括一系列交替的蚀刻步骤，是包括非等向性蚀刻步骤及造成图案化的光阻侧向地缩减的蚀刻步骤。可使用接续的等向性蚀刻法来平坦化蚀刻过的梯级结构，并且形成平滑的透镜。亦可使用热安定及感光性聚合/有机材料形成永久的内或外透镜。涂覆感光材料，接着使用微影使其图案化，回流，接着熟化，以形成永久的透镜结构。

公开(公告)号：CN101442063B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200810135288.8

申请日：2008-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢元智 ,  刘世昌 ,  傅士奇 ,  许慈轩 ,  喻中一 ,  萧国裕 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及影像感测装置，该半导体装置包含：具有一前表面及一后表面的一半导体基材；形成于基材上的元件；形成于基材的前表面上的互连金属层，包含一最高互连金属层；一内金属介电层，供绝缘位于其中的多个互连金属层中的每一个；以及位于内金属介电层中的一接合垫，接合垫与除了最高互连金属层之外的互连金属层之一接触。

公开(公告)号：CN101281891A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200710139912.7

申请日：2007-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘铭棋 ,  刘源鸿 ,  萧国裕 ,  谢元智 ,  罗际兴 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L23/48 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45166 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48505 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有接合垫的半导体装置。该半导体装置包括：一第一基板，包含一元件区域以及一接合区域，其中该第一基板具有一上表面以及一底部表面；一半导体元件，设置于该元件区域的该第一基板的上表面上；一第一金属间介电层，至少形成于该接合区域的该第一基板的上表面；一最底层的金属图案，设置于该第一金属间介电层之中，其中该最底层的金属图案作为接合垫；以及一开口，穿过该第一基板，且露出该最底层的金属图案。通过本发明，可以获得更佳的CMOS图像传感器的接合垫以及接合导线之间接合品质，例如提升两者的黏合度，借此，可防止接合导线剥落。

公开(公告)号：CN101266946A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810083566.X

申请日：2008-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧国裕 ,  刘铭棋 ,  许慈轩 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

Abstract: 一种半导体装置的制造方法及背照式半导体装置，该半导体装置的制造方法包括下列步骤：提供基板，该基板包含第一表面以及第二表面，其中至少有一个影像传感器邻接于该第一表面；利用局部退火工艺以活化在该半导体基板中邻接该第二表面的掺杂层；以及对该掺杂层进行蚀刻工艺。本发明能够改善半导体装置的光照响应。

公开(公告)号：CN101127311A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710008340.9

申请日：2007-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢元智 ,  喻中一 ,  萧国裕 ,  傅士奇 ,  刘铭棋 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，适用于背面感光装置的制造。特别是本制造方法可减少由于晶片边缘处不良的连接质量在制造过程中对晶片的危害。在一实施例中，将晶片连接至基板之前，施以晶片边缘裁切的步骤。使用一预磨刀(pre－grind blade)沿着晶片的圆周形成一直角的边缘，以消除所有的锐利的边缘。在另一实施例中，将晶片连接至基板之后，施以边缘裁切，其使用一预磨刀来移除研磨前发生连接不佳的晶片边缘的环状区。在各情况中，研磨后的晶片的最终厚度约为50μm。

公开(公告)号：CN100477246C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610167479.3

申请日：2006-12-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钱俊逸 ,  萧国裕 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L31/1085 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/02327

Abstract: 本发明提供一种影像感测器及其制造方法，特别涉及一种影像感测器，其包括多个像素，其中至少一像素包括：一半导体基底，具有一感光区；以及一第一电极及一第二电极，嵌入于该半导体基底内，其中该第一及第二电极形成以一阵列排列的多个狭缝，所述狭缝用以使具有一特定波长的光通过该感光区；其中，通过调整所述狭缝的厚度、间隔及间距以决定具有该特定波长的光。本发明所提供的影像感测器及其制造方法，可降低影像感测器的成本及尺寸。

公开(公告)号：CN101246811A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200710199506.X

申请日：2007-12-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张发源 ,  赖宗沐 ,  梁凯智 ,  吴华书 ,  贺庆雄 ,  萧国裕 ,  张浚威 ,  刘铭棋 ,  谢元智 ,  蔡嘉雄 ,  沈育民 ,  白景中

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/50 ,  B81C3/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0125 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/926 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种制造微电子元件的方法，包括：形成顶部金属层于第一基板上，其中该顶部金属层包括多个内连线特征以及第一虚设特征；形成第一介电层于该顶部金属层上方；蚀刻在目标区域内的该第一介电层，其中该目标区域大体上垂直地对准该顶部金属层的所述多个内连线特征与该第一虚设特征；对该经蚀刻的第一介电层进行化学机械研磨工艺；以及在进行该化学机械研磨工艺之后，将该第一基板与第二基板结合。本发明提出的制造微电子元件的方法可提升化学机械研磨工艺性能、整个基板表面平坦度以及晶片连接质量。

公开(公告)号：CN100378955C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510075335.0

申请日：2005-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭景森 ,  许峰嘉 ,  萧国裕 ,  陈界璋 ,  傅士奇 ,  曾建贤 ,  蔡嘉雄 ,  刘源鸿 ,  吴志达 ,  罗际兴 ,  杜友伦

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明是关于一种适用于影像感测器的透镜结构及其制造方法。该影像感测器包括双微透镜结构，是具有一外微透镜排列于一内微透镜上方，两微透镜是排列于对应的光感测器上方。可经由硅化法形成内或外微透镜，其中光阻材料的反应性部分是与含硅药剂反应。可通过梯级蚀刻法形成内或外微透镜，梯级蚀刻法包括一系列交替的蚀刻步骤，是包括非等向性蚀刻步骤及造成图案化的光阻侧向地缩减的蚀刻步骤。可使用接续的非等向性蚀刻法来平坦化蚀刻过的梯级结构，并且形成平滑的透镜。亦可使用热安定及感光性聚合/有机材料形成永久的内或外透镜。涂覆感光材料，接着使用微影使其图案化，回流，接着熟化，以形成永久的透镜结构。