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公开(公告)号:CN101275972A
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200810009256.3
申请日:2008-01-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01R1/07342 , G01R1/07378
Abstract: 本发明提供一种半导体元件测试结构,包括多个尖端,每个尖端包括具有导电导孔的基底,第一介电层的导孔连接至导电导孔,具有导孔的第二介电层设置于第一介电层上方以及金属层设置于第二介电层上方。尖端电性连接至在尖端之间按路径发送信号的再分布线,且连接至空间转换层上的电性连接。空间转换层电性连接至印刷电路板,空间转换层通过一系列的导向机械装置对准至印刷电路板,并且尖端的平面性可通过可调整的螺丝钉调整。本发明可得到较小的接触间距,其可用以测试较小的结构。
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公开(公告)号:CN100590789C
公开(公告)日:2010-02-17
申请号:CN200710199506.X
申请日:2007-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/585 , B81C1/0038 , B81C1/00611 , B81C2201/0125 , H01L21/31053 , H01L21/31056 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2924/0002 , Y10S438/926 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种制造微电子元件的方法,包括:形成顶部金属层于第一基板上,其中该顶部金属层包括多个内连线特征以及第一虚设特征;形成第一介电层于该顶部金属层上方;蚀刻在目标区域内的该第一介电层,其中该目标区域大体上垂直地对准该顶部金属层的所述多个内连线特征与该第一虚设特征;对该经蚀刻的第一介电层进行化学机械研磨工艺;以及在进行该化学机械研磨工艺之后,将该第一基板与第二基板结合。本发明提出的制造微电子元件的方法可提升化学机械研磨工艺性能、整个基板表面平坦度以及晶片连接质量。
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公开(公告)号:CN100411152C
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200510087361.5
申请日:2005-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/84 , H01L21/762 , H01L21/20 , B81B1/00
CPC classification number: B81C1/00047
Abstract: 本发明提供一种制造微电子机械系统(micro-electro-mechanical,MEMS)的方法,此方法包括提供一具有绝缘层于其上的第一基板。一支架粘附于绝缘层上,且此第一基板被薄化。接着,多个洞穴形成于此第一基板上,且此第一基板被翻转并与一集成电路基板进行贴合,使得洞穴面对集成电路基板的表面。接着移除此支架,藉以提供一其上形成有多个面对集成电路基板洞穴的第一基板,且一绝缘层覆盖此第一基板。
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公开(公告)号:CN101275972B
公开(公告)日:2011-02-16
申请号:CN200810009256.3
申请日:2008-01-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01R1/07342 , G01R1/07378
Abstract: 本发明提供一种半导体元件测试结构,包括多个尖端,每个尖端包括具有导电导孔的基底,第一介电层的导孔连接至导电导孔,具有导孔的第二介电层设置于第一介电层上方以及金属层设置于第二介电层上方。尖端电性连接至在尖端之间按路径发送信号的再分布线,且连接至空间转换层上的电性连接。空间转换层电性连接至印刷电路板,空间转换层通过一系列的导向机械装置对准至印刷电路板,并且尖端的平面性可通过可调整的螺丝钉调整。本发明可得到较小的接触间距,其可用以测试较小的结构。
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公开(公告)号:CN1825570A
公开(公告)日:2006-08-30
申请号:CN200510087361.5
申请日:2005-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/84 , H01L21/762 , H01L21/20 , B81B1/00
CPC classification number: B81C1/00047
Abstract: 本发明提供一种制造微电子机械系统(micro-electro-mechanical,MEMS)的方法,此方法包括提供一具有绝缘层于其上的第一基板。一支架粘附于绝缘层上,且此第一基板被薄化。接着,多个洞穴形成于此第一基板上,且此第一基板被翻转并与一集成电路基板进行贴合,使得洞穴面对集成电路基板的表面。接着移除此支架,藉以提供一其上形成有多个面对集成电路基板洞穴的第一基板,且一绝缘层覆盖此第一基板。
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公开(公告)号:CN101246811A
公开(公告)日:2008-08-20
申请号:CN200710199506.X
申请日:2007-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/585 , B81C1/0038 , B81C1/00611 , B81C2201/0125 , H01L21/31053 , H01L21/31056 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2924/0002 , Y10S438/926 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种制造微电子元件的方法,包括:形成顶部金属层于第一基板上,其中该顶部金属层包括多个内连线特征以及第一虚设特征;形成第一介电层于该顶部金属层上方;蚀刻在目标区域内的该第一介电层,其中该目标区域大体上垂直地对准该顶部金属层的所述多个内连线特征与该第一虚设特征;对该经蚀刻的第一介电层进行化学机械研磨工艺;以及在进行该化学机械研磨工艺之后,将该第一基板与第二基板结合。本发明提出的制造微电子元件的方法可提升化学机械研磨工艺性能、整个基板表面平坦度以及晶片连接质量。
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