公开(公告)号：CN118610097A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410512241.8

申请日：2024-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨素纯 ,  蔡睿轩 ,  张巧君 ,  黄楚荃 ,  涂纪诚 ,  刘重希

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请涉及封装装置及其形成方法。一种工艺包括在第一工件和设置在其上的装置之上沉积边缘填充电介质。边缘填充电介质被图案化，使得仅边缘部分保留下来。在第一工件、装置和边缘填充电介质之上形成第二介电材料。平坦化工艺使第二介电材料与装置齐平。在其上形成结合层，并通过电介质与电介质键结将第二工件结合到其上。

公开(公告)号：CN119132975A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411012245.6

申请日：2024-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄友怡 ,  郭佑豪 ,  张巧君 ,  蔡睿轩 ,  林瑀宏 ,  戴世芃 ,  涂纪诚 ,  余振华

IPC: H01L21/50 ,  H01L25/16 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  G02B6/42

Abstract: 提供一种形成半导体封装的方法。所述方法包括形成从基板的顶表面凹陷的微透镜，微透镜的表面与基板的顶表面之间形成凹形区域。所述方法包括使用旋涂制程沉积填充凹形区域的一部分的第一介电材料。所述方法包括使用化学气相沉积制程沉积填充凹形区域的剩余部分并覆盖基板的顶表面的第二介电材料。所述方法包括平坦化第二介电材料。所述方法包括在平坦化的第二介电材料上以及基板的顶表面之上形成接合层。所述方法包括经由接合层将半导体晶圆接合至基板。