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公开(公告)号:CN115047718A
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN202210203606.X
申请日:2022-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种极紫外辐射源与半导体制程方法,本文中的一些实施包括侦测电路及快速且准确的联线方法,用于侦测极紫外曝光工具的液滴产生器头上的阻塞,而不影响经由液滴产生器头的靶材液滴的流动。在本文描述的一些实施中,侦测电路包括以开路组态组态的开关电路,其中开关在两个电极元件之间电断开。当靶材在液滴产生器头上的两个或两个以上电极元件之间发生聚积时,该聚积用作将侦测电路闭路的开关。控制器可侦测侦测电路的闭路。
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公开(公告)号:CN114911137A
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN202110690854.7
申请日:2021-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种极紫外微影系统及其操作的方法,操作极紫外微影系统的方法使用激光照射液滴而产生极紫外光。极紫外微影系统包括具有喷嘴的液滴产生器以及耦合至喷嘴的压电结构。液滴产生器输出液滴组。控制系统施加电压波形至压电结构,同时喷嘴输出液滴组。此电压波形使液滴组的液滴具有速度分布,导致液滴组的液滴在被激光照射之前聚结成一个液滴。
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公开(公告)号:CN115524934A
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN202210399898.9
申请日:2022-04-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种操作极紫外光微影系统的方法,微影系统利用锡滴产生用于微影的极紫外辐射。微影系统用激光照射液滴。液滴经激励且发出极紫外辐射。收集器将极紫外辐射反射至微影靶。微影系统将液滴源与氧化剂隔离以防止喷嘴氧化或在喷嘴上形成金属氧化物,这两者皆会不利地影响喷嘴产生足够量的液滴及/或将液滴引导至所需方向的能力。
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公开(公告)号:CN114815513A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210054147.3
申请日:2022-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了一种辐射源设备及其使用方法。方法包括:将第一液滴产生器组装到容器的接口上;将靶液滴从第一液滴产生器喷射到在收集器前方的激发区域;朝向激发区域发射激光,使得靶液滴由激光加热以产生极紫外(EUV)辐射;停止喷射靶液滴;在停止喷射靶液滴之后,从容器的接口拆卸第一液滴产生器;在从容器的接口拆卸第一液滴产生器之后,将清洗装置穿过接口插入容器中;以及通过使用清洗装置来清洗收集器。
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公开(公告)号:CN114924465A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210010143.5
申请日:2022-01-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本揭露关于模块化容器液滴产生器组件及其部件替换方法,包括液滴产生器组件(DGA)的模块化容器液滴产生器组件(MVDGA)。在正常运作下,液体燃料沿着延伸通过DGA的运作路径移动以将液体燃料(例如,液态锡)从DGA的喷嘴喷射或排放到真空室中。然后将真空室中的液体燃料暴露于产生极紫外(EUV)光的激光中。在维修运作下,关闭运作路径并开启延伸通过DGA的维修路径。气体被引入维修路径,以在气体与液体燃料之间形成气液界面。气液界面被驱动到与DGA直接相邻的隔离阀。换句话说,气体将液体燃料推回隔离阀。一旦气液界面到达隔离阀,隔离阀就会关闭,以隔离DGA与液体燃料。
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公开(公告)号:CN114859662A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210060438.3
申请日:2022-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种检查极紫外光光源的方法及检查设备,用于检查极紫外光(EUV)光源的方法包含:将EUV光源的集光镜自收集器腔室中移除;在收集器腔室内安装检查设备,检查设备包含可选择性伸缩的构件及处于构件的一端处的摄影机;操作第一致动器以沿着穿过EUV光源的内部腔室的路径延伸构件,从而将摄影机移动至EUV光源的内部腔室内的给定位置;操作第二致动器以绕旋转轴平移摄影机,从而在EUV光源的内部内建立给定摄影机定向;及当摄影机处于由第一致动器及第二致动器的操作建立的给定位置及定向时,用摄影机拍摄EUV光源的内部腔室的影像。
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公开(公告)号:CN115524935A
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN202210612169.7
申请日:2022-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种半导体制造系统及其检测极紫外辐射源的方法,在检测极紫外(EUV)辐射源的方法中,在空闲模式期间,安装在固定装置上的管道镜通过第一开口插入EUV辐射源的腔室中。管道镜包含在第一端处附接至照相机的连接电缆。固定装置包含自第一侧安装在导螺杆上的可延伸区部,且管道镜的照相机安装在可延伸区部的与第一侧相对的第二侧上。使可延伸区部延伸以将照相机移动至EUV辐射源的腔室内部。一个或多个影像由照相机在一个或多个查看位置处自EUV辐射源的腔室内部获取。分析一个或多个获取的影像以确定沉积在EUV辐射源的腔室内部的锡碎屑量。
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