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公开(公告)号：CN114911138A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110732867.6
申请日：2021-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种微影系统与其操作的方法，操作微影系统的方法包括沉积遮罩层在基材上、根据图案将反射自微影系统的组合式集光器的集光器中央区的第一辐射导向遮罩层、根据图案将反射自组合式集光器的第一集光器周边区的第二辐射导向遮罩层，其中第一集光器周边区通过第一缝隙与集光器中央区垂直隔开。操作微影系统的方法包括移除遮罩层的数个第一区域和数个第二区域以形成数个开口在此遮罩层中，其中遮罩层的第一区域暴露在第一辐射及遮罩层的第二区域暴露在第二辐射。操作微影系统的方法包括移除显露在开口中位于此遮罩层下方的层的材料。
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公开(公告)号：CN114859662A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210060438.3
申请日：2022-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种检查极紫外光光源的方法及检查设备，用于检查极紫外光(EUV)光源的方法包含：将EUV光源的集光镜自收集器腔室中移除；在收集器腔室内安装检查设备，检查设备包含可选择性伸缩的构件及处于构件的一端处的摄影机；操作第一致动器以沿着穿过EUV光源的内部腔室的路径延伸构件，从而将摄影机移动至EUV光源的内部腔室内的给定位置；操作第二致动器以绕旋转轴平移摄影机，从而在EUV光源的内部内建立给定摄影机定向；及当摄影机处于由第一致动器及第二致动器的操作建立的给定位置及定向时，用摄影机拍摄EUV光源的内部腔室的影像。
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公开(公告)号：CN110658694B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910578340.5
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于极紫外光辐射源设备的极紫外光收集器反射镜及极紫外光辐射源设备。用于极紫外光(EUV)辐射源设备的EUV收集器反射镜包括：EUV收集器反射镜主体，其上设置反射层作为反射表面；加热器，附接到或嵌入EUV收集器反射镜主体；以及排泄结构，用于将熔化的金属从EUV收集器反射镜主体的反射表面排泄到EUV收集器反射镜主体的背侧。
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公开(公告)号：CN115524932A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210260035.3
申请日：2022-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种半导体制造系统及在其制造系统中产生极紫外辐射的方法，在一种在半导体制造系统中产生极紫外(EUV)辐射的方法中，气体的一个或多个流被引导通过安装在EUV辐射源的收集器镜的边缘上方的一个或多个气体出口，以在收集器镜的表面上方产生气体的流动。气体的一个或多个流的一个或多个流速被调整以减少沉积在收集器镜的表面上的金属碎屑的量。
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公开(公告)号：CN115047718A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210203606.X
申请日：2022-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种极紫外辐射源与半导体制程方法，本文中的一些实施包括侦测电路及快速且准确的联线方法，用于侦测极紫外曝光工具的液滴产生器头上的阻塞，而不影响经由液滴产生器头的靶材液滴的流动。在本文描述的一些实施中，侦测电路包括以开路组态组态的开关电路，其中开关在两个电极元件之间电断开。当靶材在液滴产生器头上的两个或两个以上电极元件之间发生聚积时，该聚积用作将侦测电路闭路的开关。控制器可侦测侦测电路的闭路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110658694A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910578340.5
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于极紫外光辐射源设备的极紫外光收集器反射镜及极紫外光辐射源设备。用于极紫外光(EUV)辐射源设备的EUV收集器反射镜包括：EUV收集器反射镜主体，其上设置反射层作为反射表面；加热器，附接到或嵌入EUV收集器反射镜主体；以及排泄结构，用于将熔化的金属从EUV收集器反射镜主体的反射表面排泄到EUV收集器反射镜主体的背侧。
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公开(公告)号：CN110658692A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910553445.5
申请日：2019-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于产生极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)辐射的方法包括在EUV辐射源设备内利用激光照射锡液滴，从而产生EUV辐射及锡碎屑。加热滴孔与锡桶之间的导管或导杆，从而使围绕滴孔沉积的锡碎屑流动。一极紫外光(extreme ultraviolet；EUV)辐射源设备包括收集器及用于产生锡(Sn)液滴的靶材液滴产生器。碎屑收集元件安置在收集器的反射表面上方，且至少一个滴孔位于碎屑收集元件与收集器之间。用于收集来自碎屑收集元件的碎屑的锡桶位于至少一个滴孔下方，且导管或导杆从滴孔延伸至锡桶。
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公开(公告)号：CN116382038A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310093587.4
申请日：2023-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了用于极紫外(EUV)光刻系统的方法，该极紫外光刻系统包括具有激光器件的辐射源，该激光器件配置有用以产生EUV辐射的机构。该方法包括：以3维(3D)模式收集来自激光器件的激光束的激光束轮廓；以3D模式收集由激光束产生的EUV辐射的EUV能量分布；对激光束轮廓和EUV能量分布实施分析，获得分析数据；以及根据分析数据调节辐射源，以增强EUV辐射。本发明的实施例还提供了极紫外(EUV)光刻系统。
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