公开(公告)号：CN116314109A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310321429.X

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 丁国强 ,  吴集锡 ,  侯上勇 ,  俞笃豪 ,  许家豪 ,  林品佐 ,  陈家新

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/528 ,  H01L21/50 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体装置。所述半导体装置包含：电介质插入器、第一互连层、电子组件、多个电导体及多个导电结构。所述电介质插入器具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一互连层在所述电介质插入器的所述第一表面之上。所述电子组件在所述第一互连层之上且电连接到所述第一互连层。所述电导体在所述电介质插入器的所述第二表面之上。所述导电结构穿过所述电介质插入器，其中所述导电结构电连接到所述第一互连层及所述电导体。

公开(公告)号：CN112331649B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202011205039.9

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家新 ,  王智麟 ,  郭康民

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底、第一应变诱导源极和漏极结构、第一栅极结构、第一沟道区、第二应变诱导源极和漏极结构、第二栅极结构和第二沟道区。第一应变诱导源极和漏极结构的至少一个具有与第一沟道区的第一接近度。第二应变诱导源极和漏极结构的至少一个具有与第二沟道区的第二接近度。第二接近度与第一接近度不同。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN112331649A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011205039.9

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家新 ,  王智麟 ,  郭康民

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底、第一应变诱导源极和漏极结构、第一栅极结构、第一沟道区、第二应变诱导源极和漏极结构、第二栅极结构和第二沟道区。第一应变诱导源极和漏极结构的至少一个具有与第一沟道区的第一接近度。第二应变诱导源极和漏极结构的至少一个具有与第二沟道区的第二接近度。第二接近度与第一接近度不同。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN109119383A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810290924.8

申请日：2018-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈伟铭 ,  叶庭聿 ,  陈家新 ,  俞笃豪 ,  丁国强 ,  侯上勇 ,  吴集锡

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法。一种半导体结构包括：第一衬底，其包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；第一裸片，其放置于所述第一衬底的所述第二表面上方；多个第一导电凸块，其放置于所述第一裸片与所述第一衬底之间；模塑件，其放置于所述第一衬底上方且环绕所述第一裸片及所述多个第一导电凸块；第二衬底，其放置于所述第一衬底的所述第一表面下方；多个第二导电凸块，其放置于所述第一衬底与所述第二衬底之间；及第二裸片，其放置于所述第一衬底与所述第二衬底之间。

公开(公告)号：CN105742282A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510766096.7

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家新 ,  王智麟 ,  郭康民

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823468 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底、第一应变诱导源极和漏极结构、第一栅极结构、第一沟道区、第二应变诱导源极和漏极结构、第二栅极结构和第二沟道区。第一应变诱导源极和漏极结构的至少一个具有与第一沟道区的第一接近度。第二应变诱导源极和漏极结构的至少一个具有与第二沟道区的第二接近度。第二接近度与第一接近度不同。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN109524384A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201711282738.1

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 丁国强 ,  吴集锡 ,  侯上勇 ,  俞笃豪 ,  许家豪 ,  林品佐 ,  陈家新

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置及其制作方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体装置包含：电介质插入器、第一互连层、电子组件、多个电导体及多个导电结构。所述电介质插入器具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一互连层在所述电介质插入器的所述第一表面之上。所述电子组件在所述第一互连层之上且电连接到所述第一互连层。所述电导体在所述电介质插入器的所述第二表面之上。所述导电结构穿过所述电介质插入器，其中所述导电结构电连接到所述第一互连层及所述电导体。