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公开(公告)号：CN117438420A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311009778.4
申请日：2023-08-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/538 , H01L21/60
摘要： 描述了管芯结构及其形成方法。在实施例中，器件包括：下部集成电路管芯；第一上部集成电路管芯，面至面接合至下部集成电路管芯，第一上部集成电路管芯包括第一半导体衬底和第一衬底通孔；间隙填充电介质，位于第一上部集成电路管芯周围，间隙填充电介质的顶面与第一半导体衬底的顶面基本共面并且与第一衬底通孔的顶面基本共面；以及互连结构，包括第一介电层和第一导电通孔，第一介电层设置在间隙填充电介质的顶面和第一半导体衬底的顶面上，第一导电通孔延伸穿过第一介电层以接触第一衬底通孔的顶面。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103777470B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310046337.1
申请日：2013-02-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2002 , G03F7/20 , G03F7/70916 , G03F7/70933
摘要： 提供了一种用于紫外线(UV)和远紫外线(EUV)光刻图案化的方法和装置。生成UV或EUV光束并且将它们引导至设置在工作台上且涂覆有光刻胶的衬底表面。在曝光(即，光刻操作)期间引导层状惰性气体流过并且紧邻涂覆有光刻胶的衬底表面。将惰性气体快速排出并且在曝光位置处具有短暂的共振时间。惰性气体流防止通过光刻胶除气产生的废气和其他污染物沉淀和污染光刻装置的其他部件。
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公开(公告)号：CN106206265A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510859488.8
申请日：2015-11-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/62 , G03F1/38 , G03F1/64 , H01L21/027 , G03F7/20
摘要： 本公开提供一种半导体装置及其形成方法，半导体装置的形成方法，包含：提供一承载晶圆；形成一内缩部分于承载晶圆上，内缩部分具有一倾斜部分于内缩部分的一边缘；接合一表层晶圆于承载晶圆上，以形成一开放区域于内缩部分内；图案化表层晶圆，以形成一表层膜于内缩部分之上以及一表层膜支持结构于倾斜部分之上；以及施加一机械力，以使表层膜从表层晶圆分离。该方法可保护光罩的图案化部分远离颗粒及其它污染物，表层可形成于表层晶圆之中且接着被机械地分离，还可有效率地制造有效的表层以保护光罩。
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公开(公告)号：CN101853864A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200910246943.1
申请日：2009-12-07
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/02
CPC分类号： H01L27/1469 , H01L21/76256 , H01L27/14634 , H01L27/1464
摘要： 本发明涉及晶片键合方法，提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有正面、背面和第一边缘部分的器件衬底，在器件衬底的正面的一部分的上方形成材料层，修剪第一边缘部分，移除材料层，将器件衬底的正面键合到载体衬底，从背面减薄器件衬底，修剪减薄的器件衬底的第二边缘部分。
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公开(公告)号：CN105319860B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510193413.0
申请日：2015-04-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G03F7/2002 , G02B26/06 , G03F7/20 , G03F7/70258 , G03F7/70308 , G03F7/7065
摘要： 根据一些实施例，本发明提供了一种缓解用于ID图案的缺陷适印性的方法。该方法包括：将掩模加载至光刻系统，掩模包括一维集成电路(IC)图案；利用光刻系统中的光瞳相位调制器来调制从掩模衍射的光的相位；以及利用掩模和光瞳相位调制器，在光刻系统中对目标执行光刻曝光工艺。
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公开(公告)号：CN103777470A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310046337.1
申请日：2013-02-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2002 , G03F7/20 , G03F7/70916 , G03F7/70933
摘要： 提供了一种用于紫外线(UV)和远紫外线(EUV)光刻图案化的方法和装置。生成UV或EUV光束并且将它们引导至设置在工作台上且涂覆有光刻胶的衬底表面。在曝光(即，光刻操作)期间引导层状惰性气体流过并且紧邻涂覆有光刻胶的衬底表面。将惰性气体快速排出并且在曝光位置处具有短暂的共振时间。惰性气体流防止通过光刻胶除气产生的废气和其他污染物沉淀和污染光刻装置的其他部件。
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公开(公告)号：CN103681782A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210507320.7
申请日：2012-11-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L23/562 , G03F7/70708 , H01L21/26506 , H01L21/32155 , H01L21/6831 , H01L29/0603 , H01L29/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体结构的一个实施例。半导体结构包括具有正面和背面的半导体衬底；形成在半导体衬底的正面上的集成电路部件；以及设置在半导体衬底的背面上的多晶硅层。本发明还提供了用于夹持作用减小的远紫外静电吸盘的方法及结构。
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公开(公告)号：CN101853802B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010128086.8
申请日：2010-03-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/71 , H01L23/544 , H01L27/146
CPC分类号： G03F9/7084 , G03F7/70633 , G03F9/7076 , G03F9/7088
摘要： 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有正面和背面的器件衬底，器件衬底具有第一折射率，在器件衬底的正面之上形成嵌入靶，在嵌入靶之上形成反射层，在器件衬底的背面之上形成介质层，介质层具有小于第一折射率的第二折射率，从背面投射辐射穿过介质层和器件衬底，从而为半导体加工检测嵌入靶。
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公开(公告)号：CN101853864B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910246943.1
申请日：2009-12-07
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/02
CPC分类号： H01L27/1469 , H01L21/76256 , H01L27/14634 , H01L27/1464
摘要： 提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有正面、背面、和第一边缘部分的器件衬底，在器件衬底的正面的一部分的上方形成材料层，修剪第一边缘部分，移除材料层，将器件衬底的正面键合到载体衬底，从背面减薄器件衬底，修剪减薄的器件衬底的第二边缘部分。
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公开(公告)号：CN101261957B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710185176.9
申请日：2007-11-01
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/265 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14689
摘要： 本发明公开一种半导体装置的制造方法及影像感测装置，该方法包括：提供具有第一导电型的半导体衬底。在半导体衬底中形成多个感测元件。在感测元件之间形成隔离部件。使用至少两种不同注入能量来进行离子注入，以在大体位于隔离部件下方形成具有第一导电型的掺杂区。
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