公开(公告)号：CN103515357B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201210350981.3

申请日：2012-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈贞妤 ,  谢铭峰 ,  张庆裕

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L23/544 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L21/302 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有位于衬底上方的重合标记的器件，以及使用重合标记调节多层重合对准的方法。重合标记包括位于第一层中的第一部件，该第一部件具有仅沿X方向延伸的基本上相互平行的多个第一对准部分；在位于第一层上方的第二层中的第二部件，该第二部件具有沿与X方向不同的Y方向延伸的基本上相互平行的多个第二对准部分；在位于第二层上方的第三层中的第三部件，第三部件包括沿X方向延伸的基本上相互平行的多个第三对准部分，以及沿Y方向延伸的基本上相互平行的多个第四对准部分。本发明还提供了重合标记的测量方法。

公开(公告)号：CN115497875A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210841760.X

申请日：2022-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭宇凡 ,  彭远清 ,  吴于贝 ,  吕侑珊 ,  赖宏裕 ,  陈贞妤 ,  王文昀 ,  李唐明

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体结构包含从基底延伸且沿第一方向纵向定向的鳍片，其中鳍片包含半导体层堆叠，设置于基底上且沿与第一方向垂直的第二方向纵向定向的隔离部件，其中隔离部件邻近鳍片设置，及具有设置于半导体层堆叠上的顶部及与半导体层堆叠交错的底部的金属栅极结构。再者，金属栅极结构的底部的侧壁由隔离部件的第一侧壁定义，且金属栅极结构的顶部横向延伸至隔离部件的顶面。

公开(公告)号：CN103515357A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210350981.3

申请日：2012-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈贞妤 ,  谢铭峰 ,  张庆裕

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L23/544 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70683 ,  H01L21/302 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有位于衬底上方的重合标记的器件，以及使用重合标记调节多层重合对准的方法。重合标记包括位于第一层中的第一部件，该第一部件具有仅沿X方向延伸的基本上相互平行的多个第一对准部分；在位于第一层上方的第二层中的第二部件，该第二部件具有沿与X方向不同的Y方向延伸的基本上相互平行的多个第二对准部分；在位于第二层上方的第三层中的第三部件，第三部件包括沿X方向延伸的基本上相互平行的多个第三对准部分，以及沿Y方向延伸的基本上相互平行的多个第四对准部分。本发明还提供了重合标记的测量方法。