公开(公告)号：CN114895521A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210044351.7

申请日：2022-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高国璋 ,  王文昀 ,  刘家助 ,  林华泰

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/70 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 一种图案化制程与光罩，图案化制程在半导体晶圆上进行，半导体晶圆涂布有底层、中间层、及具有起始厚度的光阻层。图案化制程包含：进行曝光步骤，曝光步骤包含使用光罩曝光半导体晶圆，光罩包含特征，此特征在目标区域中产生中度曝光，随后处理而依照光罩在光阻层中产生多个开口，以及由于目标区域中的中度曝光而薄化目标区域中的光阻，以在目标区域中留下薄化的光阻；进行中间层蚀刻，以在中间层中形成多个开口对齐光阻层中的开口，其中因薄化的光阻所提供的保护，中间层蚀刻不会去除目标区域中的中间层；以及进行修整蚀刻，以修整目标区域中的中间层。

公开(公告)号：CN115497875A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210841760.X

申请日：2022-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭宇凡 ,  彭远清 ,  吴于贝 ,  吕侑珊 ,  赖宏裕 ,  陈贞妤 ,  王文昀 ,  李唐明

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体结构包含从基底延伸且沿第一方向纵向定向的鳍片，其中鳍片包含半导体层堆叠，设置于基底上且沿与第一方向垂直的第二方向纵向定向的隔离部件，其中隔离部件邻近鳍片设置，及具有设置于半导体层堆叠上的顶部及与半导体层堆叠交错的底部的金属栅极结构。再者，金属栅极结构的底部的侧壁由隔离部件的第一侧壁定义，且金属栅极结构的顶部横向延伸至隔离部件的顶面。

公开(公告)号：CN109786221A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811313606.5

申请日：2018-11-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王文昀 ,  林华泰 ,  刘家助

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: 一种于基板上制造结构的方法。此方法包含：将参考图案的图像投影到具有第一图案化层的基板上，此第一图案化层包含多个第一对准标记和多个第一叠对测量标记，且参考图案包含多个第二对准标记和多个第二叠对测量标记；基于这些第一对准标记和这些第二对准标记，将第一图案化层对准参考图案的图像，获得这些第一叠对测量标记与这些第二叠对测量标记的预叠对建图(pre-overlay mapping)；以及决定补偿数据，此补偿数据指出这些第一叠对测量标记和这些第二叠对测量标记的预叠对建图的信息。