公开(公告)号：CN115497875A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210841760.X

申请日：2022-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭宇凡 ,  彭远清 ,  吴于贝 ,  吕侑珊 ,  赖宏裕 ,  陈贞妤 ,  王文昀 ,  李唐明

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体结构包含从基底延伸且沿第一方向纵向定向的鳍片，其中鳍片包含半导体层堆叠，设置于基底上且沿与第一方向垂直的第二方向纵向定向的隔离部件，其中隔离部件邻近鳍片设置，及具有设置于半导体层堆叠上的顶部及与半导体层堆叠交错的底部的金属栅极结构。再者，金属栅极结构的底部的侧壁由隔离部件的第一侧壁定义，且金属栅极结构的顶部横向延伸至隔离部件的顶面。

公开(公告)号：CN113345891B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202110529803.6

申请日：2021-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖启胜 ,  彭宇凡 ,  陈立庭 ,  吕侑珊 ,  吴于贝 ,  孙维中 ,  彭远清 ,  高魁佑 ,  林士尧 ,  林志翰 ,  刘佩宜 ,  颜精一

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 半导体结构包括：半导体衬底；鳍有源区域，在半导体衬底之上突出；以及栅极堆叠件，设置在鳍有源区域上，其中，栅极堆叠件包括高k介电材料层和设置在高k介电材料层上的各个金属层。栅极堆叠件在截面图中具有不均匀轮廓，在顶面处具有第一尺寸D1，在底面处具有第二尺寸D2，并且在顶面和底面之间的位置处具有第三尺寸D3，并且其中，D1和D2的每个大于D3。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN113345891A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110529803.6

申请日：2021-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖启胜 ,  彭宇凡 ,  陈立庭 ,  吕侑珊 ,  吴于贝 ,  孙维中 ,  彭远清 ,  高魁佑 ,  林士尧 ,  林志翰 ,  刘佩宜 ,  颜精一

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 半导体结构包括：半导体衬底；鳍有源区域，在半导体衬底之上突出；以及栅极堆叠件，设置在鳍有源区域上，其中，栅极堆叠件包括高k介电材料层和设置在高k介电材料层上的各个金属层。栅极堆叠件在截面图中具有不均匀轮廓，在顶面处具有第一尺寸D1，在底面处具有第二尺寸D2，并且在顶面和底面之间的位置处具有第三尺寸D3，并且其中，D1和D2的每个大于D3。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。