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公开(公告)号：CN108227395B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201710998726.2
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开实施例提供了一种增强图像对比度的方法，用于增强光刻可印刷性，尤其是增强图像对比度的系统与方法。此方法包括接收集成电路(IC)设计布局且根据此集成电路设计布局来产生曝光图。IC设计布局包括将形成于工件的目标图案，且曝光图包括曝光网格，而此曝光网格划分为组合以形成目标图案的多个暗像素和多个亮像素。此方法还包括调整曝光图以增加在目标图案的多个边缘上的曝光剂量。在一些实施例中，调整步骤包括在曝光图中定位目标图案的边缘部分，其中，边缘部分具有一对应的亮像素；以及将来自至少一暗像素的曝光剂量分配给上述对应的亮像素，藉此产生修改的曝光图。
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公开(公告)号：CN112748643A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011081893.9
申请日：2020-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种极紫外线微影装置及其使用方法。在范例中，一种极紫外线微影装置包含极紫外线光源和照明器。配置的极紫外线光源产生极紫外线光束以图案化基材上的光阻层。配置的照明器引导极紫外线光束至光罩表面上。在范例中，照明器包含场分面镜和光瞳分面镜。场分面镜包含第一组刻面的配置以分裂极紫外线光束成数个光通道。光瞳分面镜包含第二组刻面的配置以引导数个光通道至光罩表面上。第二组刻面在光瞳分面镜边缘处的分布密度高于在光瞳分面镜中心处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108227395A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710998726.2
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2059 , G03F7/70425 , G03F7/70558 , G03F7/70625
Abstract: 本公开实施例提供了一种增强图像对比度的方法，用于增强光刻可印刷性，尤其是增强图像对比度的系统与方法。此方法包括接收集成电路(IC)设计布局且根据此集成电路设计布局来产生曝光图。IC设计布局包括将形成于工件的目标图案，且曝光图包括曝光网格，而此曝光网格划分为组合以形成目标图案的多个暗像素和多个亮像素。此方法还包括调整曝光图以增加在目标图案的多个边缘上的曝光剂量。在一些实施例中，调整步骤包括在曝光图中定位目标图案的边缘部分，其中，边缘部分具有一对应的亮像素；以及将来自至少一暗像素的曝光剂量分配给上述对应的亮像素，藉此产生修改的曝光图。
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公开(公告)号：CN110941149B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201910895121.X
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种电子束微影系统及电子束微影方法以增加生产量，特别涉及用于电子束微影及增加生产量的方法。由电子束微影系统实现的增加生产量的范例性方法，包括接收包含目标图案的集成电路(IC)设计布局，其中子束微影系统执行第一曝光剂量，以基于集成电路设计布局在工作件上形成目标图案。上述方法还包括插入虚拟图案至集成电路设计布局中，以将集成电路设计布局的图案密度增加到大于或等于临界图案密度，进而产生修改后集成电路设计布局。电子束微影系统执行第二曝光剂量，以基于修改后集成电路设计布局在工作件上形成目标图案，其中第二曝光剂量小于第一曝光剂量。
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公开(公告)号：CN112748643B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202011081893.9
申请日：2020-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种极紫外线微影装置及其使用方法。在范例中，一种极紫外线微影装置包含极紫外线光源和照明器。配置的极紫外线光源产生极紫外线光束以图案化基材上的光阻层。配置的照明器引导极紫外线光束至光罩表面上。在范例中，照明器包含场分面镜和光瞳分面镜。场分面镜包含第一组刻面的配置以分裂极紫外线光束成数个光通道。光瞳分面镜包含第二组刻面的配置以引导数个光通道至光罩表面上。第二组刻面在光瞳分面镜边缘处的分布密度高于在光瞳分面镜中心处。
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公开(公告)号：CN110941149A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910895121.X
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种电子束微影系统及电子束微影方法以增加生产量，特别涉及用于电子束微影及增加生产量的方法。由电子束微影系统实现的增加生产量的范例性方法，包括接收包含目标图案的集成电路(IC)设计布局，其中子束微影系统执行第一曝光剂量，以基于集成电路设计布局在工作件上形成目标图案。上述方法还包括插入虚拟图案至集成电路设计布局中，以将集成电路设计布局的图案密度增加到大于或等于临界图案密度，进而产生修改后集成电路设计布局。电子束微影系统执行第二曝光剂量，以基于修改后集成电路设计布局在工作件上形成目标图案，其中第二曝光剂量小于第一曝光剂量。
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公开(公告)号：CN111128663A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911056900.7
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/317 , G03F7/20
Abstract: 一种产生布图案的方法，包括当在由带电粒子束直接地曝露在能量敏感的材料上的布局图案的一或多个特征时，决定第一能量密度，第一能量密度间接地曝露在能量敏感的材料上的布局图案的一或多个特征中的第一特征。此方法也包括当由带电粒子束直接地曝露第一特征时，调整曝露第一特征的第二能量密度。第一特征的总能量密度，包含来自间接曝露的第一能量密度和来自直接曝露的第二能量密度的总合，第一特征的总能量密度维持在大约一阈值能量级，以完全地曝露在能量敏感的材料中的第一特征。
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