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    制造半导体器件的方法
    3.
    发明授权
    制造半导体器件的方法 有权

    公开(公告)号：CN113109995B

    公开(公告)日：2024-12-24

    申请号：CN202110334311.1

    申请日：2021-03-29

    Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

    Inventor： 魏嘉林 ,  翁明晖 ,  刘之诚 ,  郭怡辰 ,  陈彥儒 ,  郑雅如 ,  李志鸿 ,  张庆裕 ,  李资良 ,  杨棋铭

    IPC: G03F7/16 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。

    形成半导体装置的方法和光阻剂组成分
    4.
    发明公开
    形成半导体装置的方法和光阻剂组成分 审中-实审

    公开(公告)号：CN119581318A

    公开(公告)日：2025-03-07

    申请号：CN202411440018.3

    申请日：2024-10-15

    Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

    Inventor： 魏嘉林 ,  张庆裕

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004

    Abstract: 提供一种形成半导体装置的方法和光阻剂组成分。此方法包括在基板上方形成光阻剂层。光阻剂层包括聚合物和光酸产生剂(PAG)。聚合物包括聚合物主链、化学性键合到聚合物主链的抗蚀刻促进基团、和化学性键合到抗蚀刻促进基团的酸不稳定基团(ALG)。此方法还包括将光阻剂层的一部分曝光于辐射以在曝光部分产生酸，烘烤光阻剂层，导致酸不稳定基团的裂解，以及移除光阻剂层的一部分以形成图案化的光阻剂层。

    制造半导体器件的方法
    5.
    发明授权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：CN113113292B

    公开(公告)日：2024-12-20

    申请号：CN202110336906.0

    申请日：2021-03-29

    Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

    Inventor： 刘之诚 ,  郭怡辰 ,  魏嘉林 ,  翁明晖 ,  陈彥儒 ,  李志鸿 ,  郑雅如 ,  杨棋铭 ,  李资良 ,  张庆裕

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004

    Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光致抗蚀剂层。形成光致抗蚀剂层包括将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，其中第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种；R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团；X是卤素或磺酸酯基团；并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5。第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种。形成光致抗蚀剂层包括在基板上沉积光致抗蚀剂。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案来使潜在图案显影。

    制造半导体器件的方法
    6.
    发明公开
    制造半导体器件的方法 有权

    公开(公告)号：CN113113292A

    公开(公告)日：2021-07-13

    申请号：CN202110336906.0

    申请日：2021-03-29

    Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

    Inventor： 刘之诚 ,  郭怡辰 ,  魏嘉林 ,  翁明晖 ,  陈彥儒 ,  李志鸿 ,  郑雅如 ,  杨棋铭 ,  李资良 ,  张庆裕

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004

    Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光致抗蚀剂层。形成光致抗蚀剂层包括将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，其中第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种；R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团；X是卤素或磺酸酯基团；并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5。第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种。形成光致抗蚀剂层包括在基板上沉积光致抗蚀剂。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案来使潜在图案显影。

    制造半导体器件的方法
    8.
    发明公开
    制造半导体器件的方法 有权

    公开(公告)号：CN113109995A

    公开(公告)日：2021-07-13

    申请号：CN202110334311.1

    申请日：2021-03-29

    Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

    Inventor： 魏嘉林 ,  翁明晖 ,  刘之诚 ,  郭怡辰 ,  陈彥儒 ,  郑雅如 ,  李志鸿 ,  张庆裕 ,  李资良 ,  杨棋铭

    IPC: G03F7/16 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。

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