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公开(公告)号：CN113050369B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110047011.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/56 , G03F1/76 , G03F7/30 , G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成光致抗蚀剂层，包括：在蒸汽状态下将第一前体和第二前体组合以形成光致抗蚀剂材料，以及在衬底之上沉积光致抗蚀剂材料。在光致抗蚀剂层之上形成保护层。通过保护层将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以在光致抗蚀剂层中形成潜在图案。去除保护层，以及通过将显影剂施加到经选择性地暴露的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。
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公开(公告)号：CN114334620A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110659598.5
申请日：2021-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本申请涉及用于含金属的抗蚀剂层的原位沉积和致密化处理。本文公开了可以改进光刻分辨率的含金属的抗蚀剂层(例如，金属氧化物抗蚀剂层)、用于形成含金属的抗蚀剂层的方法以及使用含金属的抗蚀剂层的光刻方法。示例性方法包括：通过执行沉积工艺在工件之上形成金属氧化物抗蚀剂层，以在工件之上形成金属氧化物抗蚀剂层的金属氧化物抗蚀剂子层；以及对至少一个金属氧化物抗蚀剂子层执行致密化工艺。每个沉积工艺形成金属氧化物抗蚀剂子层中的相应一个。致密化工艺使至少一个金属氧化物抗蚀剂子层的密度增加。可以调整沉积工艺的参数和/或致密化工艺的参数，以实现不同的密度分布、不同的密度特性、和/或不同的吸收特性，从而优化对金属氧化物抗蚀剂层的图案化。
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公开(公告)号：CN113946096A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110629605.7
申请日：2021-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。所述有机金属前体包括MaXbLc的化学式，其中M是金属，X是包括吡咯样氮和吡啶样氮的多齿芳族配体，L是极紫外(EUV)可裂解的配体，a在1和2之间，b等于或大于1，c等于或大于1。
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公开(公告)号：CN113156770B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202110337729.8
申请日：2021-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 本申请涉及光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基板上方形成光致抗蚀剂层，以及降低所述光致抗蚀剂层的湿气或氧气吸收特性。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层使所述潜在图案显影以形成图案。
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公开(公告)号：CN113109995B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110334311.1
申请日：2021-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/16 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113359392B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110434939.9
申请日：2021-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/11
Abstract: 本申请涉及光致抗蚀剂层脱气防止。具体地，一种制造半导体器件的方法包括：在基板上方形成光致抗蚀剂层；以及在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜。所述光致抗蚀剂层被选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分。所述光致抗蚀剂层被显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。在一个实施方式中，所述方法包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。
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公开(公告)号：CN113568271B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202110752941.0
申请日：2021-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法和图案形成方法。在图案形成方法中，通过将汽态的第一前体和第二前体合并以形成光致抗蚀剂材料，在基板上方形成光致抗蚀剂层。所述第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是选自由以下项组成的组的一者或多者：Sn、Bi、Sb、In和Te，R是被不同的EDG和/或EWG取代的烷基基团，X是卤基或磺酸根基团，并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤4。所述第二前体是水、胺、硼烷、和/或膦。使所述光致抗蚀剂层沉积在所述基板上方并选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至经选择性曝光的光致抗蚀剂层以使所述潜在图案显影，来形成图案。
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公开(公告)号：CN113568271A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110752941.0
申请日：2021-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法和图案形成方法。在图案形成方法中，通过将汽态的第一前体和第二前体合并以形成光致抗蚀剂材料，在基板上方形成光致抗蚀剂层。所述第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是选自由以下项组成的组的一者或多者：Sn、Bi、Sb、In和Te，R是被不同的EDG和/或EWG取代的烷基基团，X是卤基或磺酸根基团，并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤4。所述第二前体是水、胺、硼烷、和/或膦。使所述光致抗蚀剂层沉积在所述基板上方并选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至经选择性曝光的光致抗蚀剂层以使所述潜在图案显影，来形成图案。
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公开(公告)号：CN113359392A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110434939.9
申请日：2021-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/11
Abstract: 本申请涉及光致抗蚀剂层脱气防止。具体地，一种制造半导体器件的方法包括：在基板上方形成光致抗蚀剂层；以及在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜。所述光致抗蚀剂层被选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分。所述光致抗蚀剂层被显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。在一个实施方式中，所述方法包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。
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公开(公告)号：CN113943314B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110506652.2
申请日：2021-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。有机金属前体包含芳族二齿配体、与所述芳族二齿配体配位的过渡金属和与所述过渡金属配位的极紫外(EUV)可裂解配体。所述芳族二齿配体包含多个吡嗪分子。
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