公开(公告)号：CN114334620A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202110659598.5

申请日：2021-06-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭怡辰 ,  刘之诚 ,  陈彦儒 ,  李志鸿 ,  杨棋铭 ,  李资良

IPC分类号： H01L21/033

摘要： 本申请涉及用于含金属的抗蚀剂层的原位沉积和致密化处理。本文公开了可以改进光刻分辨率的含金属的抗蚀剂层(例如，金属氧化物抗蚀剂层)、用于形成含金属的抗蚀剂层的方法以及使用含金属的抗蚀剂层的光刻方法。示例性方法包括：通过执行沉积工艺在工件之上形成金属氧化物抗蚀剂层，以在工件之上形成金属氧化物抗蚀剂层的金属氧化物抗蚀剂子层；以及对至少一个金属氧化物抗蚀剂子层执行致密化工艺。每个沉积工艺形成金属氧化物抗蚀剂子层中的相应一个。致密化工艺使至少一个金属氧化物抗蚀剂子层的密度增加。可以调整沉积工艺的参数和/或致密化工艺的参数，以实现不同的密度分布、不同的密度特性、和/或不同的吸收特性，从而优化对金属氧化物抗蚀剂层的图案化。

公开(公告)号：CN113946096A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110629605.7

申请日：2021-06-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘之诚 ,  郭怡辰 ,  陈彦儒 ,  李志鸿 ,  杨棋铭 ,  李资良

IPC分类号： G03F7/004

摘要： 本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。所述有机金属前体包括MaXbLc的化学式，其中M是金属，X是包括吡咯样氮和吡啶样氮的多齿芳族配体，L是极紫外(EUV)可裂解的配体，a在1和2之间，b等于或大于1，c等于或大于1。

公开(公告)号：CN113946096B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202110629605.7

申请日：2021-06-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘之诚 ,  郭怡辰 ,  陈彦儒 ,  李志鸿 ,  杨棋铭 ,  李资良

IPC分类号： G03F7/004

摘要： 本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。所述有机金属前体包括MaXbLc的化学式，其中M是金属，X是包括吡咯样氮和吡啶样氮的多齿芳族配体，L是极紫外(EUV)可裂解的配体，a在1和2之间，b等于或大于1，c等于或大于1。

公开(公告)号：CN115763227A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210719400.2

申请日：2022-06-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘之诚 ,  郭怡辰 ,  陈彦儒 ,  李志鸿 ,  李资良

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  G03F7/004

摘要： 公开了光刻胶及其形成和使用方法。在实施例中，一种方法包括在目标层上方旋涂第一硬掩模层；使用化学气相沉积或原子层沉积在第一硬掩模层上方沉积光刻胶层，使用一种或多种有机金属前体沉积光刻胶层；加热光刻胶层以引起一种或多种有机金属前体之间的交联；将光刻胶层暴露于图案化的能量；加热光刻胶层以引起光刻胶层中的解交联，形成光刻胶层的解交联的部分；以及去除光刻胶层的解交联的部分。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN113113292A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110336906.0

申请日：2021-03-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘之诚 ,  郭怡辰 ,  魏嘉林 ,  翁明晖 ,  陈彥儒 ,  李志鸿 ,  郑雅如 ,  杨棋铭 ,  李资良 ,  张庆裕

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/004

摘要： 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光致抗蚀剂层。形成光致抗蚀剂层包括将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，其中第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种；R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团；X是卤素或磺酸酯基团；并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5。第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种。形成光致抗蚀剂层包括在基板上沉积光致抗蚀剂。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案来使潜在图案显影。

公开(公告)号：CN113943314A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110506652.2

申请日：2021-05-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘之诚 ,  郭怡辰 ,  陈彥儒 ,  李志鸿 ,  杨棋铭 ,  李资良

IPC分类号： C07F5/00 ,  C07F7/22 ,  C07F9/94 ,  C07F11/00 ,  G03F7/004

摘要： 本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。有机金属前体包含芳族二齿配体、与所述芳族二齿配体配位的过渡金属和与所述过渡金属配位的极紫外(EUV)可裂解配体。所述芳族二齿配体包含多个吡嗪分子。

公开(公告)号：CN113156770A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110337729.8

申请日：2021-03-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭怡辰 ,  刘之诚 ,  翁明晖 ,  魏嘉林 ,  陈彦儒 ,  李志鸿 ,  郑雅如 ,  杨棋铭 ,  李资良 ,  张庆裕

IPC分类号： G03F7/16

摘要： 本申请涉及光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基板上方形成光致抗蚀剂层，以及降低所述光致抗蚀剂层的湿气或氧气吸收特性。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层使所述潜在图案显影以形成图案。

公开(公告)号：CN113109995A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110334311.1

申请日：2021-03-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 魏嘉林 ,  翁明晖 ,  刘之诚 ,  郭怡辰 ,  陈彥儒 ,  郑雅如 ,  李志鸿 ,  张庆裕 ,  李资良 ,  杨棋铭

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

摘要： 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。

公开(公告)号：CN113050369A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110047011.5

申请日：2021-01-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 翁明晖 ,  刘朕与 ,  刘之诚 ,  郭怡辰 ,  魏嘉林 ,  陈彥儒 ,  李志鸿 ,  郑雅如 ,  杨棋铭 ,  李资良 ,  张庆裕

IPC分类号： G03F1/56 ,  G03F1/76 ,  G03F7/30 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

摘要： 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成光致抗蚀剂层，包括：在蒸汽状态下将第一前体和第二前体组合以形成光致抗蚀剂材料，以及在衬底之上沉积光致抗蚀剂材料。在光致抗蚀剂层之上形成保护层。通过保护层将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以在光致抗蚀剂层中形成潜在图案。去除保护层，以及通过将显影剂施加到经选择性地暴露的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。

公开(公告)号：CN113359392B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202110434939.9

申请日：2021-04-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈彥儒 ,  刘之诚 ,  郭怡辰 ,  李志鸿 ,  李资良 ,  翁明晖 ,  郑雅如

IPC分类号： G03F7/11

摘要： 本申请涉及光致抗蚀剂层脱气防止。具体地，一种制造半导体器件的方法包括：在基板上方形成光致抗蚀剂层；以及在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜。所述光致抗蚀剂层被选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分。所述光致抗蚀剂层被显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。在一个实施方式中，所述方法包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。