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公开(公告)号：CN113050369B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110047011.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/56 , G03F1/76 , G03F7/30 , G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成光致抗蚀剂层，包括：在蒸汽状态下将第一前体和第二前体组合以形成光致抗蚀剂材料，以及在衬底之上沉积光致抗蚀剂材料。在光致抗蚀剂层之上形成保护层。通过保护层将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以在光致抗蚀剂层中形成潜在图案。去除保护层，以及通过将显影剂施加到经选择性地暴露的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。
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公开(公告)号：CN113109995B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110334311.1
申请日：2021-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/16 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。
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公开(公告)号：CN113359392B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110434939.9
申请日：2021-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/11
Abstract: 本申请涉及光致抗蚀剂层脱气防止。具体地，一种制造半导体器件的方法包括：在基板上方形成光致抗蚀剂层；以及在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜。所述光致抗蚀剂层被选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分。所述光致抗蚀剂层被显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。在一个实施方式中，所述方法包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。
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公开(公告)号：CN113359392A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110434939.9
申请日：2021-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/11
Abstract: 本申请涉及光致抗蚀剂层脱气防止。具体地，一种制造半导体器件的方法包括：在基板上方形成光致抗蚀剂层；以及在所述光致抗蚀剂层上方形成脱水膜。所述光致抗蚀剂层被选择性地暴露于光化辐射，以形成所述光致抗蚀剂层的暴露部分和未暴露部分。所述光致抗蚀剂层被显影以去除所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分和位于所述光致抗蚀剂层的所述未暴露部分上方的所述脱水膜的第一部分。在一个实施方式中，所述方法包括通过使用所述光致抗蚀剂层的所述暴露部分作为掩模来蚀刻所述基板。
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公开(公告)号：CN113943314A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110506652.2
申请日：2021-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。有机金属前体包含芳族二齿配体、与所述芳族二齿配体配位的过渡金属和与所述过渡金属配位的极紫外(EUV)可裂解配体。所述芳族二齿配体包含多个吡嗪分子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113109995A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110334311.1
申请日：2021-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/16 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构。多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层。含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且使用不同的光致抗蚀剂层形成参数形成多层光致抗蚀剂结构的每一层。不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件。使多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构以形成图案来使潜在图案显影。
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公开(公告)号：CN113050369A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110047011.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/56 , G03F1/76 , G03F7/30 , G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成光致抗蚀剂层，包括：在蒸汽状态下将第一前体和第二前体组合以形成光致抗蚀剂材料，以及在衬底之上沉积光致抗蚀剂材料。在光致抗蚀剂层之上形成保护层。通过保护层将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以在光致抗蚀剂层中形成潜在图案。去除保护层，以及通过将显影剂施加到经选择性地暴露的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。
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公开(公告)号：CN113943314B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110506652.2
申请日：2021-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。有机金属前体包含芳族二齿配体、与所述芳族二齿配体配位的过渡金属和与所述过渡金属配位的极紫外(EUV)可裂解配体。所述芳族二齿配体包含多个吡嗪分子。
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公开(公告)号：CN113113292B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202110336906.0
申请日：2021-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/004
Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光致抗蚀剂层。形成光致抗蚀剂层包括将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，其中第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种；R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团；X是卤素或磺酸酯基团；并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5。第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种。形成光致抗蚀剂层包括在基板上沉积光致抗蚀剂。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案来使潜在图案显影。
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公开(公告)号：CN113113292A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110336906.0
申请日：2021-03-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/004
Abstract: 本申请涉及制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光致抗蚀剂层。形成光致抗蚀剂层包括将第一前体和第二前体以蒸气态结合以形成光致抗蚀剂材料，其中第一前体是具有式MaRbXc的有机金属，其中M是Sn、Bi、Sb、In、Te、Ti、Zr、Hf、V、Co、Mo、W、Al、Ga、Si、Ge、P、As、Y、La、Ce或Lu中的至少一种；R为取代或未取代的烷基、烯基或羧酸酯基团；X是卤素或磺酸酯基团；并且1≤a≤2，b≥1，c≥1，并且b+c≤5。第二前体是胺、硼烷或膦中的至少一种。形成光致抗蚀剂层包括在基板上沉积光致抗蚀剂。将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并通过将显影剂施加到选择性暴露的光致抗蚀剂层上以形成图案来使潜在图案显影。
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