公开(公告)号：CN106158934B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201510843927.6

申请日：2015-11-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  刘致为

发明人： 颜智洋 ,  刘致为 ,  赖德全 ,  丁媛文

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0711 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/55 ,  H01L29/40111 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78391

摘要： 本发明提供具有可变正电容器的负电容栅极堆叠结构，以实现具有提高的电压增益的无磁滞负电容场效应晶体管(NCFET)。栅极堆叠结构通过利用铁电性负电容器与具有半导体材料(诸如多晶硅)的可变正电容器的组合来提供有效的铁电性负电容器，从而有效的铁电性负电容器随着所施加的栅极电压而变化。我们的模拟结果显示出，具有可变正电容器的NCFET不仅可以实现非磁滞ID‑VG曲线而且可以实现更好的亚阈值斜率。

公开(公告)号：CN106158934A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510843927.6

申请日：2015-11-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  刘致为

发明人： 颜智洋 ,  刘致为 ,  赖德全 ,  丁媛文

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0711 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/55 ,  H01L29/40111 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/516

摘要： 本发明提供具有可变正电容器的负电容栅极堆叠结构，以实现具有提高的电压增益的无磁滞负电容场效应晶体管(NCFET)。栅极堆叠结构通过利用铁电性负电容器与具有半导体材料(诸如多晶硅)的可变正电容器的组合来提供有效的铁电性负电容器，从而有效的铁电性负电容器随着所施加的栅极电压而变化。我们的模拟结果显示出，具有可变正电容器的NCFET不仅可以实现非磁滞ID-VG曲线而且可以实现更好的亚阈值斜率。

公开(公告)号：CN106711224A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610994031.2

申请日：2016-11-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  刘致为

发明人： 赖德全 ,  潘正圣 ,  沈育诚 ,  李敏鸿 ,  刘致为

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/78391 ,  H01L21/28291 ,  H01L29/16 ,  H01L29/401 ,  H01L29/513 ,  H01L29/516 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/42364

摘要： 本揭露的一实施例为一种半导体装置。半导体装置包括基板、栅极堆叠，及源极与漏极特征。栅极堆叠位于基板上。栅极堆叠包括铁电层、第一介电层，以及第一导电层。第一介电层与铁电层的其中一者经充电以形成具有固定电荷的带电层。源极与漏极特征位于基板上及位于栅极堆叠的侧面。