公开(公告)号：CN106356362A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610556805.3

申请日：2016-07-14

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 渡边伸介

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L27/0727 ,  H01L23/482 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/0738 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49175 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/5286

摘要： 本发明得到一种晶体管，该晶体管能够抑制振荡，而不会发生性能的劣化、电阻的损伤。在半导体衬底(1)之上形成有多个栅极电极(2)、多个源极电极(3)及多个漏极电极(4)。漏极焊盘(7)形成于半导体衬底(1)之上，与多个漏极电极(4)连接。金属配线(10)形成于半导体衬底(1)之上，与漏极焊盘(7)分离并相邻，与漏极焊盘(7)平行地配置。接地焊盘(11)形成于半导体衬底(1)之上，与金属配线(10)的两端连接。

公开(公告)号：CN102916010B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210272108.7

申请日：2012-08-01

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 菲尔·鲁特

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/92 ,  H01L23/31 ,  H01L21/82 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L25/072 ,  H01L27/0733 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种IC管芯和包括这种IC管芯的一种半导体封装(10)。所述封装包括：第一电压端(12)；第二电压端(14)；包括第一MOSFET(100)的第一管芯，所述第一MOSFET具有与所述第一电压端电连接的漏极区(102)并且还具有源极区(104)；以及与所述第一管芯相邻的第二管芯，所述第二管芯包括第二MOSFET(100’)，所述第二MOSFET具有与所述第一MOSFET的源极区电连接的漏极区并且具有所述第二电压端电连接的源极区，其中所述半导体封装还包括纵向电容器(200)，所述纵向电容器具有与所述第一MOSFET的漏极区电连接的第一极板(202)以及与所述第二MOSFET的源极区电连接并且利用电介质材料(204)与所述第一极板电绝缘的第二极板(206)，将所述电容器集成到所述第一管芯或者所述第二管芯上。本发明还公开了一种印制电路板和一种用于制造所述IC管芯的方法。

公开(公告)号：CN102124556A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200880121773.8

申请日：2008-12-18

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 苏菲·普吉特 ,  帕思卡儿·L·A·马佐耶

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L27/07 ,  H01L21/02 ,  H01L27/108 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L28/87 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/1082 ,  H01L27/1085

摘要： 本发明涉及在有源半导体区(104)上具有存储器电容器(110)的存储器单元，该存储器电容器具有第一电容器电极层，在存储器单元的截面图上，第一电容器电极层具有第一和第二电极层部分，第一和第二电极层部分在有源半导体区上与有源半导体区平行地延伸，彼此相距垂直距离，并且通过垂直地(即与有源半导体区的表面垂直)延伸的第三电极层部分电连接。控制晶体管(112)与导电的第二电容器电极层相连，第二电容器电极层在第一和第二电极层部分之间延伸并且通过隔离层(116)与第一和第二电极层部分电隔离。所实现的优点包括通过存储器单元所需的小面积，获得高的产率、降低的生产成本和减小的结漏电的危险。

公开(公告)号：CN108133941A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711189988.0

申请日：2017-11-24

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 朴世熙 ,  崔弘洛 ,  尹弼相 ,  具亨埈 ,  智光焕 ,  朴在润

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/56

摘要： 本发明公开了晶体管基板、包括该晶体管基板的有机发光显示面板、制造晶体管基板的方法以及包括有机发光显示面板的有机发光显示装置，在晶体管基板中设置有驱动晶体管和开关晶体管，驱动晶体管和开关晶体管各自包括其两端被绝缘层覆盖的氧化物半导体，并且驱动晶体管的栅极和开关晶体管的栅极设置在不同的层上。

公开(公告)号：CN107564903A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710522574.9

申请日：2017-06-30

申请人： 安世有限公司

发明人： 菲利浦·拉特 ,  简·雄斯基 ,  巴里·怀恩 ,  赖艳 ,  史蒂文·托马斯·皮克

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L27/0733 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/063 ,  H01L29/7813

摘要： 本公开的方面涉及可利用增强电容和减轻的雪崩击穿进行操作的电路。如可以根据一个或多个实施例所实现的那样，设备和/或方法涉及共源共栅电路的各个晶体管，其中一个晶体管通过向另一个晶体管的栅极施加电压来控制所述另一个晶体管处于关断状态。多个掺杂区域被沟槽分开，其中，导电沟槽配置和布置有掺杂区域，从而在第二晶体管的源极和漏极之间提供电容，并且限制第二晶体管的源极和漏极之一处的电压，由此减轻第二晶体管的雪崩击穿。

公开(公告)号：CN1499633A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310103002.5

申请日：2003-10-28

申请人： 株式会社东芝

发明人： 稗田克彦

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/0805 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0733 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： 通过在高频用的MIM电容器中在相同的上下电极间具有不同的电容器绝缘膜结构，同时满足了减少漏泄电流的要求和缩小电容器形成用的面积这2个要求。通过在低漏泄电流为必要的电容器中插入能抑制漏泄电流的电容器绝缘膜层，实现了低漏泄电流的MIM电容器，通过在电容器面积的缩小为必要的电容器中将高介电常数电介质膜用作电容器绝缘膜，实现了电容器面积小的MIM电容器。通过使用相同的上下电极(13)、(17)同时形成具有这二种特性的电容器，减少了工艺成本的上升。

公开(公告)号：CN106158934B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201510843927.6

申请日：2015-11-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  刘致为

发明人： 颜智洋 ,  刘致为 ,  赖德全 ,  丁媛文

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0711 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/55 ,  H01L29/40111 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78391

摘要： 本发明提供具有可变正电容器的负电容栅极堆叠结构，以实现具有提高的电压增益的无磁滞负电容场效应晶体管(NCFET)。栅极堆叠结构通过利用铁电性负电容器与具有半导体材料(诸如多晶硅)的可变正电容器的组合来提供有效的铁电性负电容器，从而有效的铁电性负电容器随着所施加的栅极电压而变化。我们的模拟结果显示出，具有可变正电容器的NCFET不仅可以实现非磁滞ID‑VG曲线而且可以实现更好的亚阈值斜率。

公开(公告)号：CN106158934A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510843927.6

申请日：2015-11-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  刘致为

发明人： 颜智洋 ,  刘致为 ,  赖德全 ,  丁媛文

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0711 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/55 ,  H01L29/40111 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/516

摘要： 本发明提供具有可变正电容器的负电容栅极堆叠结构，以实现具有提高的电压增益的无磁滞负电容场效应晶体管(NCFET)。栅极堆叠结构通过利用铁电性负电容器与具有半导体材料(诸如多晶硅)的可变正电容器的组合来提供有效的铁电性负电容器，从而有效的铁电性负电容器随着所施加的栅极电压而变化。我们的模拟结果显示出，具有可变正电容器的NCFET不仅可以实现非磁滞ID-VG曲线而且可以实现更好的亚阈值斜率。

公开(公告)号：CN105789307A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201510821859.3

申请日：2015-11-23

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 河合徹 ,  中柴康隆 ,  秋山丰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0733 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66477

摘要： 在不增加半导体芯片的面积尺寸的情况下，改善了半导体器件的性能。例如，功率晶体管的源极电极和电容元件的上部电极具有重叠部分。换而言之，电容元件的上部电极通过电容绝缘膜在功率晶体管的源极电极之上形成。即，功率晶体管和电容元件在半导体芯片的厚度方向上以层压的方式布置。结果就是，可以在抑制半导体芯片的平面尺寸增加的同时增加与功率晶体管电连接的电容元件。

公开(公告)号：CN104916691A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410379832.9

申请日：2014-08-04

申请人： 株式会社东芝

发明人： 河野洋志 ,  高尾和人

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0733 ,  H01L28/60 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7803

摘要： 一种半导体装置，抑制成本上升，抑制误动作的产生，且可靠性高。其具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体区域，设置于上述第一电极与上述第二电极之间；第二导电型的第二半导体区域，设置于上述第一半导体区域与上述第二电极之间；第一导电型的第三半导体区域，设置于上述第二半导体区域与上述第二电极之间，该第三半导体区域的杂质浓度高于上述第一半导体区域的杂质浓度；第三电极，经由第一绝缘膜与上述第三半导体区域、上述第二半导体区域以及上述第一半导体区域接连；以及电容元件部，具有：与上述第二电极电连接的第四电极；与上述第三电极电连接的第五电极；以及设置于上述第四电极与上述第五电极之间的第二绝缘膜。