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公开(公告)号：CN107402485A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710772131.5
申请日：2017-08-31
申请人： 合肥京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1341 , G02F1/1333
摘要： 本发明的实施例提供了一种阵列基板及其制作方法，制作方法包括：在衬底上依次形成第一金属图案层、第一绝缘层、第二金属图案层和第二绝缘层；在第二绝缘层上涂覆光致抗蚀剂；对光致抗蚀剂进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂图案，并且形成蚀刻保护层，其中，在阵列基板的第一区中，光致抗蚀剂图案暴露第二绝缘层的顶表面的部分，并且通过蚀刻保护层与第二绝缘层接合；以及在所述第一区中，以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉蚀刻保护层并且蚀刻第二绝缘层的至少部分而不蚀刻第一绝缘层，从而暴露第二金属图案层的部分并且形成液晶导流槽。本发明的实施例还提供了一种液晶显示设备及其制作方法。
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公开(公告)号：CN108153072A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201810001653.X
申请日：2018-01-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/136
摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，所述阵列基板包括位于衬底基板上的第一金属图形和覆盖所述第一金属图形的绝缘层，所述绝缘层形成有用于导流取向液的导流槽，所述导流槽在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第一金属图形在所述衬底基板上的正投影内。本发明的技术方案能够提高阵列基板的良率和寿命，同时可以确保导流槽的功能。
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公开(公告)号：CN107402485B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201710772131.5
申请日：2017-08-31
申请人： 合肥京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1341 , G02F1/1333
摘要： 本发明的实施例提供了一种阵列基板及其制作方法，制作方法包括：在衬底上依次形成第一金属图案层、第一绝缘层、第二金属图案层和第二绝缘层；在第二绝缘层上涂覆光致抗蚀剂；对光致抗蚀剂进行曝光和显影而形成光致抗蚀剂图案，并且形成蚀刻保护层，其中，在阵列基板的第一区中，光致抗蚀剂图案暴露第二绝缘层的顶表面的部分，并且通过蚀刻保护层与第二绝缘层接合；以及在所述第一区中，以光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻掉蚀刻保护层并且蚀刻第二绝缘层的至少部分而不蚀刻第一绝缘层，从而暴露第二金属图案层的部分并且形成液晶导流槽。本发明的实施例还提供了一种液晶显示设备及其制作方法。
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公开(公告)号：CN108153072B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810001653.X
申请日：2018-01-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/136
摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，所述阵列基板包括位于衬底基板上的第一金属图形和覆盖所述第一金属图形的绝缘层，所述绝缘层形成有用于导流取向液的导流槽，所述导流槽在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第一金属图形在所述衬底基板上的正投影内。本发明的技术方案能够提高阵列基板的良率和寿命，同时可以确保导流槽的功能。
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公开(公告)号：CN207552438U
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201721673434.3
申请日：2017-12-05
申请人： 合肥京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本实用新型公开了一种磁控溅射设备，属于磁控溅射技术领域。该磁控溅射设备包括溅射腔室、设置在所述溅射腔室内的靶材和多个遮挡板，位于所述靶材下方的遮挡板上设置有导粉通孔，设有所述导粉通孔的所述遮挡板下方设有粉末收集盒，通过在位于靶材下方的遮挡板上设置导粉通孔，则在遮挡板上沉积形成的部分粉末状颗粒可以通过导粉通孔落入粉末收集盒中，减少了位于靶材下方的遮挡板上的粉末状颗粒，有利于降低清洁和更换的频率，提高设备的稼动率，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN118266087A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280003866.0
申请日：2022-10-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 武汉京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 本公开实施例提供一种薄膜晶体管装置及其制造方法、复合型刻蚀液及阵列基板，该方法包括：在衬底基板上形成包括有源材料层和欧姆接触材料层的有源结构材料层及源漏材料层；使用复合型刻蚀液对源漏材料层和有源结构材料层进行湿法刻蚀工艺，以形成源漏极层及包括欧姆接触层和有源层的有源结构，湿法刻蚀工艺包括使用复合型刻蚀液的第一刻蚀液刻蚀源漏材料层和氧化有源结构材料层的部分以及使用复合型刻蚀液的第二刻蚀液刻蚀有源结构材料层的被氧化部分，欧姆接触层位于与源漏极层在垂直于衬底基板的主表面的方向上交叠的区域内，且在垂直于衬底基板的主表面的方向上，欧姆接触层在衬底基板上的正投影位于源漏极层在衬底基板上的正投影范围内。
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公开(公告)号：CN103872040A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210546167.9
申请日：2012-12-14
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/786 , H01L21/77
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，所述薄膜晶体管阵列基板包括：基板；透明电极层，包括像素电极，形成于所述基板上方；栅金属层，包括栅电极及栅线，其中栅电极和一部分栅线形成在基板上方；栅绝缘层，覆盖于所述基板、像素电极、栅电极和栅线上方；有源层，形成于栅绝缘层的上方且与栅电极相对；源漏电极层，包括源极、漏极和数据线、以及另一部分栅线，形成于有源层及栅绝缘层的上方；其中所述栅绝缘层上形成有连通孔及过孔，两部分栅线之间通过所述连通孔连通，所述漏极与所述像素电极通过所述过孔连通。本发明的阵列基板，简化了生产工艺，降低了生产成本，缩短了生产周期。
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公开(公告)号：CN105206619B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510536802.9
申请日：2015-08-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F2001/136222 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/124
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决现技术制备的阵列基板中，平行于衬底基板的半透明金属膜层构成的像素电极和公共电极使背光透过率降低，影响TFT–LCD的亮度的问题。所述阵列基板，包括衬底基板，设置于所述衬底基板的上表面的若干像素单元，所述像素单元呈阵列排布于所述衬底基板上；所述衬底基板上形成有对应每一所述像素单元的第一电极槽和第二电极槽，所述第一电极槽和所述第二电极槽由所述上表面向所述衬底基板的下表面延伸；所述像素单元包括像素电极和公共电极，所述像素电极形成于所述第一电极槽内，所述公共电极形成于所述第二电极槽内。
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公开(公告)号：CN105629616A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610204186.1
申请日：2016-04-01
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/136209 , G02F1/1335 , G02F1/133514 , G02F1/133553
摘要： 本发明提供一种显示面板及显示器件。所述显示面板包括阵列基板，位于阵列基板出光侧的滤色层；所述滤色层包括多个与阵列基板上的各像素单元一一对应设置的微镜单元，一个像素单元包括三个亚像素单元；所述微镜单元用于对经过阵列基板的白光进行过滤、分离，得到分别与所述三个亚像素一一对应的三基色光。
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公开(公告)号：CN103662803B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310665681.9
申请日：2013-12-09
申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开一种基板传输装置，涉及显示器制造工艺中用到的机械设备，为能够避免设备宕机而发明。所述基板传输装置，包括基板传输单元，其沿水平方向放置，且沿水平方向的一端为铰接端、另一端为自由端；支撑单元，其位于所述基板传输单元的下方、且固定不动；驱动单元，其与所述基板传输单元连接，用于驱动所述基板传输单元沿竖直方向移动；在所述基板传输单元下降时，其底部与所述支撑单元的顶部接触，并以其与所述支撑单元的接触点为中心转动，使所述基板传输单元倾斜。本发明主要用于对传送基板。
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