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公开(公告)号：CN105080877A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510325938.5
申请日：2015-06-11
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/67051 , H01L21/67253 , H01L21/6776 , H01L27/1244 , H01L27/1259 , H01L27/1262 , B08B3/02 , B08B5/02
摘要： 本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种用于湿法刻蚀的清洁系统。该清洁系统包括清洁单元以及依次连通的刻蚀区间、缓冲区间及清洗区间；在所述清洗区间的入口设有气刀单元，所述清洁单元与所述气刀单元对应设置，用于清洗所述气刀单元。该清洁系统通过清洁单元有效地去除附着在气刀刀口及周边的刻蚀液结晶和灰尘颗粒；该清洁系统能够代替人工对气刀的清洁，提高设备的稼动率，且在确保清洁效果的同时，最大限度的减少人力浪费，同时能避免因长时间打开设备腔室而造成设备内颗粒增加，影响产品的良率。
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公开(公告)号：CN113594212B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202110857823.6
申请日：2021-07-28
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K59/121 , H01L27/12 , H01L21/77
摘要： 本发明实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，用以降低像素驱动电路中的电容器对其所在的两个图案层的依赖。所述显示面板包括：衬底、第一图案层、电路层和第二图案层。第一图案层位于衬底上，包括第一导电图案；电路层位于第一图案层远离衬底的一侧，包括：薄膜晶体管、第二导电图案和第三导电图案，第三导电图案与薄膜晶体管的栅极和第二导电图案分别耦接，且第二导电图案比第三导电图案靠近衬底；第二图案层位于电路层远离衬底的一侧，包括第四导电图案。其中，第一导电图案和第二导电图案构成第一电容器的两个极板，第三导电图案和第四导电图案构成第二电容器的两个极板，第一导电图案和第四导电图案耦接。
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公开(公告)号：CN113594212A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110857823.6
申请日：2021-07-28
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，用以降低像素驱动电路中的电容器对其所在的两个图案层的依赖。所述显示面板包括：衬底、第一图案层、电路层和第二图案层。第一图案层位于衬底上，包括第一导电图案；电路层位于第一图案层远离衬底的一侧，包括：薄膜晶体管、第二导电图案和第三导电图案，第三导电图案与薄膜晶体管的栅极和第二导电图案分别耦接，且第二导电图案比第三导电图案靠近衬底；第二图案层位于电路层远离衬底的一侧，包括第四导电图案。其中，第一导电图案和第二导电图案构成第一电容器的两个极板，第三导电图案和第四导电图案构成第二电容器的两个极板，第一导电图案和第四导电图案耦接。
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公开(公告)号：CN205692805U
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201620409839.5
申请日：2016-05-09
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , G02F1/1333
CPC分类号： H01L21/67173 , G02F1/1303 , H01J37/32009 , H01J37/32853 , H01J2237/334 , H01L21/02068 , H01L21/32134 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67207 , H01L21/67742 , H01L21/6776
摘要： 本实用新型公开了一种基板处理设备，包括刻蚀区间，其特征在于，所述设备包括被布置在刻蚀区间的基板入口外的一个或多个气雾吸收装置，所述气雾吸收装置包括一个或多个喷淋管。该气雾吸收装置能够吸收来自刻蚀区间的刻蚀液气雾，从而降低该气雾对其余基板处理部件的伤害。
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