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公开(公告)号：CN105355614B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201510835539.3
申请日：2015-11-26
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60 , H01L29/739
摘要： 本发明提供了一种预封装单芯片及其制备工艺，所述预封装单芯片包括外壳，位于芯片两面的大小钼片，其侧面的键和线以及引脚，所述的预封装单芯片的制备工艺包括如下步骤：1)以烧结或焊接方式将芯片与两面分别设置的大小钼片连接；2)芯片的栅极和发射极上分别设置与引脚对应连接的键合线；3)封装。本发明的预封装单芯片可以方便地进行性能测试，避免了环境对芯片造成的污染和损坏，且不会对其性能造成影响，经测试合格的预封装芯片可直接采用压接或焊接的方式组装为大功率器件，便于标准化生产。
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公开(公告)号：CN103579165B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310538589.6
申请日：2013-11-04
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/16 , H01L23/02
CPC分类号： H01L24/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种功率半导体器件，具体涉及一种全压接式功率器件。全压接功率器件由上下电极配合多层材料与硅片实现全压接式接触，消除了因焊接疲劳导致的器件失效。与传统IGBT模块作为单一器件使用相比，芯片紧固力与器件紧固力由不同的器件分别提供，有效提高器件串联使用时的紧固力，不再受功率芯片压力承受极限的限制，满足多个器件串联使用的要求。
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公开(公告)号：CN105552037A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510960380.8
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L23/10 , H01L29/739
摘要： 本发明提供一种新型压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块；所述凸台以所述下端金属电极的中心为圆心，由内层到外层依次圆周等分布在所述下端金属电极的内侧面上。本发明提供的技术方案改善了压接式IGBT模块的凸台在通过瞬态电流时，部分电流过冲太大的问题，提高了压接式IGBT功率模块的可靠性，增大了压接式IGBT功率模块的安全工作区。
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公开(公告)号：CN105448850A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510981202.3
申请日：2015-12-23
摘要： 本发明公开了一种功率器件的高耐压封装子模组，所述封装子模组包括构件和框架；所述构件包括从上至下设置的上钼片、硅芯片、下钼片和银片；所述框架包括内框架和外框架；所述外框架为内侧设有凸台的筒状耐压框。本发明通过增加芯片的筒状耐压框的方式，使芯片发射极和集电极之间的爬电距离大大增加，模组的耐压能力得到了提高，器件的耐压等级也就可以做的更高，另外芯片用来通电流的面积相对增大，功率器件在不增大体积的前提下通流能力也相应增大，整体的可使用容量增加。
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公开(公告)号：CN105374806A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510850071.5
申请日：2015-11-27
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/367
CPC分类号： H01L25/072 , H01L23/367
摘要： 本发明提供了一种圆形分组布局的压接式功率器件封装，所述功率器件封装包括上下两面分别设置上下钼片的功率器件芯片的框架，以及叠层布置的多层PCB板、驱动电路、键合线和上端盖；所述功率器件芯片分组设置于所述框架顶部，且所述各组功率器件芯片以圆形对称分布，所述驱动电路位于所述圆形的中间位置。本发明的压接式功率器件封装，器件内部芯片通过圆形对称的分组布局不仅增强了器件驱动信号的可靠性，而且提高了器件内部各并联芯片电流、压力和温度分布的均匀性；直接将散热器作为器件的上端盖减小了器件的导热路径，极大降低了器件的热阻，提高了器件的可靠性和功率密度。
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公开(公告)号：CN104966704A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510436088.6
申请日：2015-07-23
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明提供了一种低热阻的压接式功率器件封装，包括上钼片、功率器件的芯片和弹簧探针，以及依次叠层布置的上端盖、液态金属导热片、PCB板、框架和下管壳；框架上设置有第一定位孔和第二定位孔；第一定位孔用于固定上钼片，第二定位孔用于固定弹簧探针；液态金属导热片敷设在上钼片的上表面；功率器件的芯片设置在上钼片和下管壳之间。与现有技术相比，本发明提供的一种低热阻的压接式功率器件封装，减少了纵向的叠层结构和横向热阻，使得温度分布均匀化，降低了功率器件封装的最高温度。
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公开(公告)号：CN104362141A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410693404.3
申请日：2014-11-26
IPC分类号： H01L25/11 , H01L23/04 , H01L23/367
摘要： 本发明涉及一种大功率压接型IGBT模块，模块由子单元壳体(1)和子单元壳盖组件(2)组成气密性封装壳体。至少一个半导体芯片(1-1)与第一辅助件(1-6)、至少一个第二辅助件(1-2)、至少一个第三辅助件(1-3)形成的夹层结构布置在子单元壳体(1)与子单元壳盖组件(2)之间的气密性壳体内。不少于一个的上述子单元平行排布在模块外壳(3)中形成大功率IGBT模块。本发明涉及的IGBT模块具有低热阻，高可靠性及适于串联使用的优点。
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公开(公告)号：CN104282636A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410551294.7
申请日：2014-10-17
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/427
CPC分类号： H01L23/31 , H01L23/427 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种使用热管的压接式IGBT封装结构，由外壳和位于外壳内部的多个子单元结构组成，多个子单元并行设置；所述子单元结构包括上端盖、导电铜片、碟簧组、热管、底座、银片、钼片、芯片和下端盖；所述下端盖、芯片、钼片、银片和底座从下往上依次设置，所述热管上端插入上端盖、穿过碟簧组，其下端插入底座；所述导电铜片上端位于上端盖和碟簧组之间，其下端位于碟簧组和底座之间。本发明中芯片可被有效保护，同时由于使用了热管，功能上实现了双面散热，整体热阻较小；热管的引入，使得虽然单面硬接触，但散热路径依然很好，兼顾了芯片保护和较小的热阻。整体结构具有实现压接式IGBT短路失效、高可靠性等优点。
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公开(公告)号：CN105529906A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610024186.3
申请日：2016-01-14
IPC分类号： H02M1/00 , H02J3/36 , H05K7/20 , H01L23/473
CPC分类号： Y02E60/60 , H02M1/00 , H01L23/473 , H02J3/36 , H05K7/20
摘要： 本发明提供了一种基于液态金属的换流阀冷却系统，包括依次连接的液态金属散热器、第一换热器和第二换热器；液态金属散热器包括设置在其内部空腔中的液态金属管道；第一换热器包括设置在其内部空腔中的第一管道和第二管道；第二换热器包括设置在其内部空腔中的第三管道；液态金属管道与第一管道连接，形成液态金属的循坏回路；第二管道与第三管道连接，形成去离子水循环回路。与现有技术相比，本发明提供的一种基于液态金属的换流阀冷却系统，由于液态金属具有极强的导热能力，可以迅速将换流阀的热量带走，再通过外部的换热器将热量最终扩散到空气中，可以减少热量在热源处的累积，从而降低热源处的温度。
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公开(公告)号：CN103579165A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310538589.6
申请日：2013-11-04
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/16 , H01L23/02
CPC分类号： H01L24/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种功率半导体器件，具体涉及一种全压接式功率器件。全压接功率器件由上下电极配合多层材料与硅片实现全压接式接触，消除了因焊接疲劳导致的器件失效。与传统IGBT模块作为单一器件使用相比，芯片紧固力与器件紧固力由不同的器件分别提供，有效提高器件串联使用时的紧固力，不再受功率芯片压力承受极限的限制，满足多个器件串联使用的要求。
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