一种MOSFET过流保护电路和MOSFET器件

    公开(公告)号:CN118232895A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410355628.7

    申请日:2024-03-27

    IPC分类号: H03K17/081 H03K17/687

    摘要: 本发明公开了一种MOSFET过流保护电路和MOSFET器件。该过流保护电路包括:第一电阻、电流检测电路、逻辑比较电路和驱动电路;电流检测电路用于检测流经MOSFET的电流并输出给逻辑比较电路;逻辑比较电路用于根据检测的流经MOSFET的电流判断MOSFET是否发生过流故障,并在未发生过流故障时输出第一电平信号至驱动电路,在发生过流故障时输出第二电平信号至驱动电路;驱动电路用于根据第一电平信号或第二电平信号向MOSFET提供导通或关断所需的驱动信号。通过设置第一电阻、电流检测电路、逻辑比较电路以及驱动电路,实现对MOSFET的过流保护,并当发生过流故障时能够在更短的时间内关断器件,以保护器件。