公开(公告)号：CN104051273B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410095336.0

申请日：2014-03-14

申请人： 国际商业机器公司

发明人： B·切恩德拉 ,  P·张 ,  格里高里·G·弗里曼 ,  郭德超 ,  J·R·霍尔特 ,  A·库玛尔 ,  T·J·麦克阿德勒 ,  S·纳拉丝穆哈 ,  V·昂塔鲁斯 ,  S·R·索达里 ,  C·D·雪劳 ,  M·W·斯托克

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： 本发明公开涉及用于在最大化通道应力水平的同时减小短通道效应的刻面本征外延缓冲层及其形成方法。刻面本征缓冲半导体材料通过选择性外延而淀积在源极沟槽和漏极沟槽的侧壁上。刻面邻接栅极隔离片的外部侧壁在其处邻接源极沟槽或漏极沟槽的侧壁的每条边缘。随后淀积掺杂的半导体材料，以填充源极沟槽和漏极沟槽。掺杂的半导体材料可以淀积成使得本征缓冲半导体材料的刻面延伸并且所淀积的掺杂的半导体材料的内部侧壁在源极沟槽和漏极沟槽每一个当中融合。掺杂的半导体材料可以随后向上生长。刻面本征缓冲半导体材料部分允许掺杂剂在刻面角落附近更大的向外扩散，同时抑制掺杂剂在统一宽度的区域中扩散，由此抑制短通道效应。

公开(公告)号：CN100407442C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200510097828.4

申请日：2005-08-30

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 杜雷塞蒂·齐达姆巴劳 ,  格里高里·G·弗里曼 ,  马尔汉·H·克哈特尔

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/242 ,  H01L29/7378

摘要： 一种增加双极型器件内的电荷载流子迁移率的方法，包括以下步骤：在该器件中产生压缩应变，以增加该器件的固有基极中的空穴迁移率；在该器件中产生拉伸应变，以增加该器件的固有基极中的电子迁移率。通过靠近该器件的固有基极形成应力层来产生该压缩应变和拉伸应变。该应力层临近该器件的发射极结构、至少部分地埋入在该器件的基极层中。该应力层具有与该固有基极不同的晶格常数。另外公开了方法与装置。

公开(公告)号：CN104051273A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410095336.0

申请日：2014-03-14

申请人： 国际商业机器公司

发明人： B·切恩德拉 ,  P·张 ,  格里高里·G·弗里曼 ,  郭德超 ,  J·R·霍尔特 ,  A·库玛尔 ,  T·J·麦克阿德勒 ,  S·纳拉丝穆哈 ,  V·昂塔鲁斯 ,  S·R·索达里 ,  C·D·雪劳 ,  M·W·斯托克

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： 本发明涉及用于在最大化通道应力水平的同时减小短通道效应的刻面本征外延缓冲层及其形成方法。刻面本征缓冲半导体材料通过选择性外延而淀积在源极沟槽和漏极沟槽的侧壁上。刻面邻接栅极隔离片的外部侧壁在其处邻接源极沟槽或漏极沟槽的侧壁的每条边缘。随后淀积掺杂的半导体材料，以填充源极沟槽和漏极沟槽。掺杂的半导体材料可以淀积成使得本征缓冲半导体材料的刻面延伸并且所淀积的掺杂的半导体材料的内部侧壁在源极沟槽和漏极沟槽每一个当中融合。掺杂的半导体材料可以随后向上生长。刻面本征缓冲半导体材料部分允许掺杂剂在刻面角落附近更大的向外扩散，同时抑制掺杂剂在统一宽度的区域中扩散，由此抑制短通道效应。

公开(公告)号：CN1763968A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510097828.4

申请日：2005-08-30

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 杜雷塞蒂·齐达姆巴劳 ,  格里高里·G·弗里曼 ,  马尔汉·H·克哈特尔

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/242 ,  H01L29/7378

摘要： 一种增加双极型器件内的电荷载流子迁移率的方法，包括以下步骤：在该器件中产生压缩应变，以增加该器件的固有基极中的空穴迁移率；在该器件中产生拉伸应变，以增加该器件的固有基极中的电子迁移率。通过靠近该器件的固有基极形成应力层来产生该压缩应变和拉伸应变。该应力层临近该器件的发射极结构、至少部分地埋入在该器件的基极层中。该应力层具有与该固有基极不同的晶格常数。另外公开了方法与装置。