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公开(公告)号：CN101917558A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010148235.7
申请日：2010-03-24
申请人： 国际商业机器公司
发明人： J·J·埃利斯-莫纳甘 , M·D·贾菲 , C·F·穆萨恩特
IPC分类号： H04N5/335 , H04N3/15 , H01L27/146
摘要： 本发明涉及一种可变动态范围像素传感器单元、设计结构及方法。根据可变电容下来自浮置扩散区的多个基准数据点和信号数据点对的测量，阐述了一种包括列电路的像素传感器单元、一种用于制造包括所述列电路的所述像素传感器单元的设计结构，以及一种用于操作包括所述列电路的所述像素传感器单元的方法。通过在浮置扩散区电容以外排除或包括传输门晶体管电容来提供所述可变电容。此类可变电容为包括所述列电路的所述像素传感器单元提供了可变动态范围。
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公开(公告)号：CN1976006A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610147017.5
申请日：2006-11-13
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/823814 , H01L21/823835 , H01L21/84
摘要： 本发明提供制造一种半导体结构的方法，所述半导体结构在其不同区域包括异质硅化物或锗化物。异质硅化物或锗化物形成在半导体层、导电层或二者中。根据本发明，本发明方法使用顺序沉积不同金属和构图的组合，以在半导体芯片不同区域中形成不同硅化物或锗化物。该方法包括：提供含Si层或Ge层，其具有至少第一区域和第二区域；在所述第一或第二区域中的一个上形成第一硅化物或锗化物；以及在所述不包括所述第一硅化物或锗化物的另一个区域上形成第二硅化物或锗化物，其在组成上不同于所述述第一硅化物或锗化物，其中所述形成所述第一和第二硅化物或锗化物的步骤顺序进行或在单个步骤中进行。
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公开(公告)号：CN100533693C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710096369.7
申请日：2007-04-16
申请人： 国际商业机器公司
发明人： D·奇丹巴尔拉奥 , B·J·格林 , J·J·埃利斯-莫纳甘
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/84
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/823814
摘要： 提供了一种用于制造晶体管结构的结构和方法。该方法包括如下步骤：(a)提供衬底，所述衬底包括通过掩埋介质层与所述衬底的体区域分离的绝缘体上半导体(“SOI”)层；(b)第一注入所述SOI层，以在所述SOI层与所述掩埋介质层的界面处获得预定掺杂剂浓度；以及(c)第二注入所述SOI层，以在多晶半导体栅极导体(“多晶栅极”)和邻近所述多晶栅极设置的源极和漏极区域中获得预定掺杂剂浓度，其中所述第一注入的最大深度大于所述第二注入的最大深度。
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公开(公告)号：CN103155541B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201180048094.4
申请日：2011-09-21
申请人： 国际商业机器公司
发明人： J·W·阿基森 , J·J·埃利斯-莫纳甘 , R·J·拉斯尔
IPC分类号： H04N5/357 , H04N5/359 , H04N5/376 , H04N5/361 , H01L27/146
CPC分类号： H04N5/3595 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N5/3532 , H04N5/359 , H04N5/3745 , H04N5/378
摘要： 提供了一种具有用于泄漏抵消的保持节点的参考像素传感器基元（例如全局快门）、制造方法和设计结构。一种像素阵列包括在整个有源光感测区域（5）中局部分布的一个或多个参考像素传感器基元（5’）。所述一个或多个参考像素传感器基元提供了参考信号（Vdd或参考），该参考信号用于校正光子产生的泄漏信号，该光子产生的泄漏信号在有源光感测区域内局部变化。
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公开(公告)号：CN101917558B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201010148235.7
申请日：2010-03-24
申请人： 国际商业机器公司
发明人： J·J·埃利斯-莫纳甘 , M·D·贾菲 , C·F·穆萨恩特
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/355 , H04N5/357
摘要： 本发明涉及一种可变动态范围像素传感器单元、设计结构及方法。根据可变电容下来自浮置扩散区的多个基准数据点和信号数据点对的测量，阐述了一种包括列电路的像素传感器单元、一种用于制造包括所述列电路的所述像素传感器单元的设计结构，以及一种用于操作包括所述列电路的所述像素传感器单元的方法。通过在浮置扩散区电容以外排除或包括传输门晶体管电容来提供所述可变电容。此类可变电容为包括所述列电路的所述像素传感器单元提供了可变动态范围。
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公开(公告)号：CN103155541A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048094.4
申请日：2011-09-21
申请人： 国际商业机器公司
发明人： J·W·阿基森 , J·J·埃利斯-莫纳甘 , R·J·拉斯尔
IPC分类号： H04N5/357 , H04N5/359 , H04N5/376 , H04N5/361 , H01L27/146
CPC分类号： H04N5/3595 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N5/3532 , H04N5/359 , H04N5/3745 , H04N5/378
摘要： 提供了一种具有用于泄漏抵消的保持节点的参考像素传感器基元（例如全局快门）、制造方法和设计结构。一种像素阵列包括在整个有源光感测区域（5）中局部分布的一个或多个参考像素传感器基元（5’）。所述一个或多个参考像素传感器基元提供了参考信号（Vdd或参考），该参考信号用于校正光子产生的泄漏信号，该光子产生的泄漏信号在有源光感测区域内局部变化。
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公开(公告)号：CN101060086A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710096369.7
申请日：2007-04-16
申请人： 国际商业机器公司
发明人： D·奇丹巴尔拉奥 , B·J·格林 , J·J·埃利斯-莫纳甘
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/84
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/823814
摘要： 提供了一种用于制造晶体管结构的结构和方法。该方法包括如下步骤：(a)提供衬底，所述衬底包括通过掩埋介质层与所述衬底的体区域分离的绝缘体上半导体(“SOI”)层；(b)第一注入所述SOI层，以在所述SOI层与所述掩埋介质层的界面处获得预定掺杂剂浓度；以及(c)第二注入所述SOI层，以在多晶半导体栅极导体(“多晶栅极”)和邻近所述多晶栅极设置的源极和漏极区域中获得预定掺杂剂浓度，其中所述第一注入的最大深度大于所述第二注入的最大深度。
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公开(公告)号：CN1992821A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610146586.8
申请日：2006-11-15
申请人： 国际商业机器公司
发明人： A·卢瓦索 , R·J·拉斯尔 , M·D·贾菲 , J·J·埃利斯-莫纳甘
CPC分类号： H04N9/045
摘要： 一种成像传感器中的像素阵列，该成像传感器和数字摄影机包括成像传感器。该成像传感器包括具有彩色像素和未滤光(未滤色)像素的像素阵列。每个未滤光像素占用一个或多个阵列位置。彩色像素可以排列成连续行和列并具有在连续行和列之间的未滤光像素。成像传感器可以是具有未滤光像素的CMOS，这降低了低光噪声并且改善了低光感光度。
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