-
公开(公告)号：CN101866924B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201010165210.8
申请日：2010-04-20
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/41
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/28097 , H01L21/28194 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L29/1054 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66651 , H01L29/78
摘要： 本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种形成半导体器件的方法，其包括在所述衬底的p型器件区域的顶上形成含Ge层。之后，在衬底的第二部分中形成第一电介质层，并且将第二电介质层形成为覆盖在所述衬底的所述第二部分中的所述第一电介质层之上且覆盖在所述衬底的所述第一部分之上。然后，在所述衬底的所述p型器件区域和所述n型器件区域的顶上形成栅极结构，其中所述n型器件区域的栅极结构包括稀土金属。
-
公开(公告)号：CN103930998A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201280052232.0
申请日：2012-10-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66803
摘要： 一种结构包括：衬底；在衬底上设置的晶体管，该晶体管包括由用碳注入的硅构成的鳍片；以及栅极介质层和栅极金属层，覆盖鳍片的限定晶体管的沟道的部分。在该结构中，选择在鳍片中的碳浓度以建立晶体管的期望的电压阈值。还公开了制备鳍片FET晶体管的方法。同样公开了具有碳注入的阱的平面晶体管，其中选择在阱中的碳浓度以建立晶体管的期望的电压阈值。
-
公开(公告)号：CN101064285B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200710091370.0
申请日：2007-03-30
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/8238 , H01L27/12 , H01L27/092
摘要： 一种半导体结构和制造方法，更具体地说，一种CMOS器件，具有嵌入两个栅极并且还嵌入PFET的源极和漏极区域中的应力引起材料。PFET区域和NFET区域具有不同尺寸的栅极，以改变NFET和PFET的器件性能。
-
公开(公告)号：CN100464425C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200610115738.8
申请日：2006-08-15
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823878 , H01L21/84 , H01L29/0653 , H01L29/7842
摘要： 本发明提供了一种用于在不同导电率的MOS晶体管的沟道中，使用高应力氮化物膜结合选择性绝缘体上半导体(SOI)器件结构产生应力的方法。具体地，提供了一种在浅沟槽隔离(STI)工艺中使用压缩和拉伸氮化物膜的方法。当此方法应用于选择性SOI结构时，可获得高应力值。
-
公开(公告)号：CN102439700B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201080014684.0
申请日：2010-04-22
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/283 , H01L29/49
CPC分类号： H01L21/823462 , H01L21/28229 , H01L21/84 , H01L27/1203
摘要： 公开了涉及在掺杂半导体阱上形成多种栅极叠层(100，...，600)。在该掺杂半导体阱(22，24)上形成高介电常数(高-k)栅极电介质(30L)。在一个器件区域中形成金属栅极层(42L)，而在其它器件区域(200，400，500，600)中暴露该高-k栅极电介质。在其它器件区域中形成具有不同厚度的阈值电压调整氧化物层。然后在该阈值电压调整氧化物层上形成导电栅极材料层(72L)。一种类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分的栅极电介质。其它类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分和具有不同厚度的第一阈值电压调整氧化物部分的栅极电介质。通过使用不同栅极电介质叠层及具有相同掺杂物浓度的掺杂半导体阱，提供具有不同阈值电压的场效应晶体管。
-
公开(公告)号：CN101849278B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200880015367.3
申请日：2008-04-08
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28097 , H01L21/31138 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L21/84
摘要： 一种用于形成微电子结构的方法使用位于目标层上方的掩模层。可使用掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻目标层，以由目标层形成端部锥形的目标层。可将额外目标层形成在端部锥形的目标层上方，且被额外掩模层所掩蔽。可蚀刻额外目标层，以形成构图的额外目标层，其与端部锥形的目标层分隔，并且邻近端部锥形的目标层没有额外目标层残留。本方法可用于制造这样的CMOS结构，该CMOS结构所包括的nFET与pFET栅极电极具有不同的nFET与pFET栅极电极材料。
-
公开(公告)号：CN101866924A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010165210.8
申请日：2010-04-20
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/41
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/28097 , H01L21/28194 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L29/1054 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66651 , H01L29/78
摘要： 本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种形成半导体器件的方法，其包括在所述衬底的p型器件区域的顶上形成含Ge层。之后，在衬底的第二部分中形成第一电介质层，并且将第二电介质层形成为覆盖在所述衬底的所述第二部分中的所述第一电介质层之上且覆盖在所述衬底的所述第一部分之上。然后，在所述衬底的所述p型器件区域和所述n型器件区域的顶上形成栅极结构，其中所述n型器件区域的栅极结构包括稀土金属。
-
公开(公告)号：CN101064285A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710091370.0
申请日：2007-03-30
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/8238 , H01L27/12 , H01L27/092
摘要： 一种半导体结构和制造方法，更具体地说，一种CMOS器件，具有嵌入两个栅极并且还嵌入PFET的源极和漏极区域中的应力引起材料。PFET区域和NFET区域具有不同尺寸的栅极，以改变NFET和PFET的器件性能。
-
公开(公告)号：CN101814502B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010004777.7
申请日：2010-01-20
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/49 , H01L21/8238 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/28088 , H01L21/823807 , H01L21/823857 , H01L29/1054 , H01L29/4966 , H01L29/517
摘要： 本发明涉及一种具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述衬底上的PFET，所述PFET包括设置在所述衬底上的SiGe层、设置在所述SiGe层上的高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一中间层、设置在所述第一中间层上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的第三金属层；形成在所述衬底上的NFET，所述NFET包括设置在所述衬底上的所述高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的所述第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的所述第三金属层。可选地，省去所述第一金属层。一种制造该器件的方法包括提供SiO2和α-Si层或dBARC层。
-
公开(公告)号：CN102439700A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080014684.0
申请日：2010-04-22
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/283 , H01L29/49
CPC分类号： H01L21/823462 , H01L21/28229 , H01L21/84 , H01L27/1203
摘要： 公开了涉及在掺杂半导体阱上形成多种栅极叠层(100，...，600)。在该掺杂半导体阱(22，24)上形成高介电常数(高-k)栅极电介质(30L)。在一个器件区域中形成金属栅极层(42L)，而在其它器件区域(200，400，500，600)中暴露该高-k栅极电介质。在其它器件区域中形成具有不同厚度的阈值电压调整氧化物层。然后在该阈值电压调整氧化物层上形成导电栅极材料层(72L)。一种类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分的栅极电介质。其它类型的场效应晶体管包括：包括高-k栅极电介质部分和具有不同厚度的第一阈值电压调整氧化物部分的栅极电介质。通过使用不同栅极电介质叠层及具有相同掺杂物浓度的掺杂半导体阱，提供具有不同阈值电压的场效应晶体管。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
20 条记录 (耗时 0.029 秒)
