公开(公告)号：CN116076163A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202080103591.9

申请日：2020-09-29

申请人： 华为技术有限公司 ,  复旦大学

发明人： 江安全 ,  杨喜超 ,  张岩 ,  江钧 ,  柴晓杰 ,  魏侠 ,  秦健鹰

IPC分类号： H10B53/50

摘要： 一种三维存储器及其制备方法、电子设备。三维存储器包括互连的第一芯片和第二芯片。第一芯片包括层叠设置的三维存储阵列和第一键合层，第一键合层中的多个第一表面电极与三维存储阵列对应耦接。第二芯片包括层叠设置的读写电路和第二键合层，第二键合层中的多个第二表面电极与读写电路对应耦接。第一芯片和第二芯片的互连，通过第一键合层和第二键合层的键合实现。并且，第一键合层中的第一表面电极与第二键合层中的第二表面电极一一对应的耦接。

公开(公告)号：CN112310214B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201910701759.5

申请日：2019-07-31

申请人： 复旦大学

发明人： 江安全 ,  柴晓杰 ,  江钧 ,  连建伟 ,  敖孟寒

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/11502 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及一种非易失性铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器包括铁电存储层、第一电极和第二电极，所述铁电存储层中的电畴的极化方向基本不平行所述铁电存储层的法线方向；所述第一电极和第二电极结构相同，均包括在所述铁电存储层的表层中构图形成的埋入式导电层以及形成在所述埋入式导电层上的电极层；在所述第一电极和第二电极之间施加在某一方向上的写信号时使能位于一对埋入式导电层之间的部分铁电存储层的电畴反转，以至于能够建立连接第一电极和第二电极的畴壁导电通道。与现有技术相比，本发明能够避免刻蚀过程容易对铁电材料产生的破坏，提高铁电存储器的存储性能，在数据保持性能、开态读电流等方面表现优异。

公开(公告)号：CN110491943A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910706223.2

申请日：2019-08-01

申请人： 复旦大学

发明人： 江安全 ,  柴晓杰 ,  胡校兵 ,  江钧 ,  连建伟 ,  蒋旭

IPC分类号： H01L29/78 ,  G11C11/22 ,  H03K17/687

摘要： 本发明涉及一种可擦除全铁电场效应晶体管及其操作方法，所述场效应晶体管包括基底、源电极、漏电极、栅电极、铁电凸块和衬底，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述栅电极设置于铁电凸块的上方，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成，所述基底与铁电凸块的电畴极化方向均与栅电极平面法线方向存在夹角不为0并且使所述电畴在源漏电极的连线方向上有分量。与现有技术相比，本发明具有能够实现亚阈值摆幅接近为零，并大幅度降低系统的静态功耗等优点。

公开(公告)号：CN112309946B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201910690097.6

申请日：2019-07-29

申请人： 复旦大学

发明人： 江安全 ,  陈一凡 ,  张岩 ,  江钧 ,  柴晓杰

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/60

摘要： 本发明涉及一种剥离铁电单晶薄膜的方法，包括以下步骤：使用质子交换法在铁电单晶材料表面形成厚度可控的贫Li离子的第二相单晶层；采用离子注入法剥离出铁电单晶材料表面发生质子交换的所述第二相单晶层，获得薄膜层；使用反质子交换法补充所述薄膜层中缺失的Li离子，将薄膜层还原至原先铁电单晶材料的晶体结构和化学配比。与现有技术相比，本发明将质子交换法和离子束剥离技术相结合，降低使用离子束剥离制造大面积铁电单晶薄膜的难度，使离子束剥离铁电单晶薄膜更加有效快捷，可应用于铁电存储器和铁电晶体管制造等领域，降低铁电存储材料的制造成本，提高制造效率。

公开(公告)号：CN110491943B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201910706223.2

申请日：2019-08-01

申请人： 复旦大学

发明人： 江安全 ,  柴晓杰 ,  胡校兵 ,  江钧 ,  连建伟 ,  蒋旭

IPC分类号： H01L29/78 ,  G11C11/22 ,  H03K17/687

摘要： 本发明涉及一种可擦除全铁电场效应晶体管及其操作方法，所述场效应晶体管包括基底、源电极、漏电极、栅电极、铁电凸块和衬底，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述栅电极设置于铁电凸块的上方，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成，所述基底与铁电凸块的电畴极化方向均与栅电极平面法线方向存在夹角不为0并且使所述电畴在源漏电极的连线方向上有分量。与现有技术相比，本发明具有能够实现亚阈值摆幅接近为零，并大幅度降低系统的静态功耗等优点。

公开(公告)号：CN110534573A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910706362.5

申请日：2019-08-01

申请人： 复旦大学

发明人： 江安全 ,  柴晓杰 ,  汪超 ,  江钧 ,  张焱

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11585

摘要： 本发明涉及一种集存算一体的全铁电场效应晶体管，包括基底、源电极、漏电极、栅电极和铁电凸块，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成。与现有技术相比，本发明从根本上解决了铁电体的高度集成化的问题。

公开(公告)号：CN110429085A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201910700991.7

申请日：2019-07-31

申请人： 复旦大学

发明人： 江安全 ,  汪超 ,  柴晓杰 ,  江钧

IPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  G11C11/22

摘要： 本发明涉及一种铁电三位存储器、制备方法及其操作方法，所述铁电三位存储器包括铁电薄膜层、铁电存储单元和读写电极层，所述铁电存储单元设置于铁电薄膜层上方，所述读写电极层被间隙分割成两部分，形成第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极中至少之一搭在所述铁电存储单元表面的长度大于零且小于铁电存储单元的宽度。与现有技术相比，本发明具有三位信息存储功能，能够提高存储单元的存储密度，具有制备简单、成本低廉等优点。

公开(公告)号：CN110429085B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201910700991.7

申请日：2019-07-31

申请人： 复旦大学

发明人： 江安全 ,  汪超 ,  柴晓杰 ,  江钧

IPC分类号： H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  G11C11/22

摘要： 本发明涉及一种铁电三位存储器、制备方法及其操作方法，所述铁电三位存储器包括铁电薄膜层、铁电存储单元和读写电极层，所述铁电存储单元设置于铁电薄膜层上方，所述读写电极层被间隙分割成两部分，形成第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极中至少之一搭在所述铁电存储单元表面的长度大于零且小于铁电存储单元的宽度。与现有技术相比，本发明具有三位信息存储功能，能够提高存储单元的存储密度，具有制备简单、成本低廉等优点。

公开(公告)号：CN110534573B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201910706362.5

申请日：2019-08-01

申请人： 复旦大学

发明人： 江安全 ,  柴晓杰 ,  汪超 ,  江钧 ,  张焱

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11585

摘要： 本发明涉及一种集存算一体的全铁电场效应晶体管，包括基底、源电极、漏电极、栅电极和铁电凸块，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成。与现有技术相比，本发明从根本上解决了铁电体的高度集成化的问题。

公开(公告)号：CN112466874A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011234815.8

申请日：2020-11-08

申请人： 复旦大学

发明人： 江安全 ,  汪超 ,  江钧 ,  柴晓杰 ,  张伟

IPC分类号： H01L27/11504 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11514 ,  H01L27/11587 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/11597

摘要： 本发明属于存储技术领域，具体为一种密排结构的面内读写铁电存储器阵列及其制备方法。本发明的面内读写铁电存储器阵列，其中字线集成于铁电存储单元层面内，位线包括第一位线和第二位线层，布局于铁电存储单元层面外，各位线层具有沿第一方向排列的多条位线及多个间隙，间隙包括交替排列的第一间隙群与第二间隙群。第一导电柱阵列连接字线层和第一位线层，第二导电柱阵列连接字线层和第二位线层，二者错开排列。各导电柱与邻接的字线交叉点间隙区域配置有存储器构件。本发明的铁电存储结构具有不破坏存储层器件的存储功能，能够提高存储单元的存储能力，N层字线层存储单元尺寸为4F2/N，F为特征尺寸，适用于高密度器件，且制备简单、成本低。