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公开(公告)号:CN116129205A
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202310149726.0
申请日:2023-02-17
申请人: 天津大学
IPC分类号: G06V10/77 , G06V10/74 , G06F16/583 , G06V10/82 , G06V10/774 , G06V10/764 , G06V20/70 , G06N3/0464 , G06N3/094
摘要: 本发明公开了一种一致性约束的跨域多视角目标识别方法及装置,包括:设计基于引力场的特征嵌入空间,通过对支点特征的选择以及特征移动机制,构建特征引力场,引导跨域样本移动到特征分布空间的合适位置;基于原型学习使用标记的源域特征更新源域原型,使用伪标记的目标域特征更新目标域原型,实现语义表示的学习;使用实例和原型之间的相似性来代替对类别的概率预测,利用相似度将实例与所有原型关联起来,中和错误伪标签对目标原型计算的影响;引用一致性正则化项来约束相似性度量,使用KL散度构建实例与原型相似度的一致性;以单个实例为基准或构建实例对,增强跨域多视角目标检索性能。
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公开(公告)号:CN104056629A
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201410271568.7
申请日:2014-06-17
申请人: 中国天辰工程有限公司 , 天津大学 , 天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司
IPC分类号: B01J23/75 , B01J35/10 , B01J32/00 , B01J23/80 , B01J23/78 , B01J23/889 , B01J23/755 , B01J23/86 , C07C31/04 , C07C31/08 , C07C31/10 , C07C29/156
CPC分类号: Y02P20/52
摘要: 本发明提供了一种以片状石墨或石墨烯为载体的用于合成气制低碳醇的催化剂、其制备方法及利用其制备低碳醇的应用。该催化剂用于由合成气合成低碳醇,具有CO转化率较高、碳2及以上醇的选择性好、低温活性较好的特点。其制备及处理过程简单、适合工业化生产。制备的基本原理是通过控制共沉淀条件,实现催化剂前驱体中各金属离子,特别是铜离子和钴离子的均匀混合;由于金属与石墨之间存在强相互作用,还原后,Cu-Co纳米合金可以高度分散在石墨片上,可以有效地避免CuCo合金由于迁移而引起的颗粒烧结。
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公开(公告)号:CN107871675A
公开(公告)日:2018-04-03
申请号:CN201710954334.6
申请日:2017-10-13
申请人: 天津大学
IPC分类号: H01L21/60
摘要: 本发明涉及一种纳米银焊膏连接裸铜DBC的功率模块制作方法,包括清洗工艺、焊膏印刷工艺、贴片工艺和烧结工艺;清洗工艺采用超声波振荡实现对裸铜DBC的清洗,焊膏印刷工艺采用钢网印刷实现纳米银焊膏的印刷,纳米银印刷两次;贴片工艺采用贴片机贴片;烧结工艺采用真空回流炉烧结,得到甲酸无氧气氛,并控制烧结温度和升温速率。既能实现纳米银焊膏和裸铜DBC的致密化连接,又能防止裸铜DBC氧化。本发明无需特制设备,处理工序方便易行,工艺简单,适用于通过纳米银焊膏实现功率芯片与裸铜衬底或敷铜基板间的连接,保证了后续引线键合的可靠性,提高了功率模块的可靠性,极大的促进了纳米银焊膏在功率半导体模块封装中的应用。
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公开(公告)号:CN104056629B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201410271568.7
申请日:2014-06-17
申请人: 中国天辰工程有限公司 , 天津大学 , 天津天辰绿色能源工程技术研发有限公司
IPC分类号: B01J23/75 , B01J35/10 , B01J32/00 , B01J23/80 , B01J23/78 , B01J23/889 , B01J23/755 , B01J23/86 , C07C31/04 , C07C31/08 , C07C31/10 , C07C29/156
CPC分类号: Y02P20/52
摘要: 本发明提供了一种以片状石墨或石墨烯为载体的用于合成气制低碳醇的催化剂、其制备方法及利用其制备低碳醇的应用。该催化剂用于由合成气合成低碳醇,具有CO转化率较高、碳2及以上醇的选择性好、低温活性较好的特点。其制备及处理过程简单、适合工业化生产。制备的基本原理是通过控制共沉淀条件,实现催化剂前驱体中各金属离子,特别是铜离子和钴离子的均匀混合;由于金属与石墨之间存在强相互作用,还原后,Cu?Co纳米合金可以高度分散在石墨片上,可以有效地避免CuCo合金由于迁移而引起的颗粒烧结。
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公开(公告)号:CN107871675B
公开(公告)日:2019-09-20
申请号:CN201710954334.6
申请日:2017-10-13
申请人: 天津大学
IPC分类号: H01L21/60
摘要: 本发明涉及一种纳米银焊膏连接裸铜DBC的功率模块制作方法,包括清洗工艺、焊膏印刷工艺、贴片工艺和烧结工艺;清洗工艺采用超声波振荡实现对裸铜DBC的清洗,焊膏印刷工艺采用钢网印刷实现纳米银焊膏的印刷,纳米银印刷两次;贴片工艺采用贴片机贴片;烧结工艺采用真空回流炉烧结,得到甲酸无氧气氛,并控制烧结温度和升温速率。既能实现纳米银焊膏和裸铜DBC的致密化连接,又能防止裸铜DBC氧化。本发明无需特制设备,处理工序方便易行,工艺简单,适用于通过纳米银焊膏实现功率芯片与裸铜衬底或敷铜基板间的连接,保证了后续引线键合的可靠性,提高了功率模块的可靠性,极大的促进了纳米银焊膏在功率半导体模块封装中的应用。
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公开(公告)号:CN107887368A
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201710952767.8
申请日:2017-10-13
申请人: 天津大学
IPC分类号: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/31 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/32501 , H01L2224/33 , H01L2224/335 , H01L2224/8384 , H01L2924/01047
摘要: 本发明涉及一种采用低温烧结纳米银的双面互连硅基IGBT模块及制备方法,由功率端子、上DBC基板、下DBC基板、纳米银焊膏、硅基IGBT芯片、缓冲层、粗铝丝、焊片、硅基二极管芯片、硅凝胶和模制树脂组成;分别将硅基IGBT芯片的下表面、硅基二极管芯片的下表面以及缓冲层的下表面与下DBC基板通过纳米银连接,同时在上DBC基板也进行同样的连接,芯片和缓冲层与DBC基板的连接强度可达30MPa以上;下DBC基板的硅基IGBT芯片和硅基二极管芯片以及缓冲层的上表面分别同时与上DBC基板的缓冲层以及硅基IGBT芯片和硅基二极管芯片的上表面通过SnAgCu焊片或SnAg焊片进行连接,得到双面互连硅基IGBT模块。
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