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公开(公告)号：CN101976718B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201010277177.8
申请日：2006-12-20
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供一种具有半导体层序列(2)的光电子半导体芯片(1)，该半导体层序列(2)包括适于产生辐射的有源区(3)并具有横向主延伸方向，其中，半导体层序列通过具有侧表面(17)的衬底(4)来布置，该侧表面具有相对于主延伸方向成斜角的侧表面区域(18)和/或切口(21)，并且，半导体芯片具有辐射透射性并且导电的接触层(5)。
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公开(公告)号：CN101479589A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200780023815.X
申请日：2007-06-15
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： G01M11/088 , B60Q1/0011 , B60Q11/005 , F21S8/06 , F21S41/13 , F21S41/141 , F21S41/16 , F21S41/24 , F21S45/46 , F21S45/47 , F21V3/061 , F21V3/062 , F21V3/10 , F21V7/005 , F21V7/045 , F21V7/22 , F21V9/30 , F21Y2103/00 , G01M11/30
摘要： 本发明的一种实施形式提出了一种具有光导体(10)和检测装置(25)的布置，其中光导体(10)包括芯区(10E)和包围该芯区(10E)的护层区(10C)，其中该芯区具有比该护层区更高的折射率，并且其中检测装置(25)可以检测光导体(10)的损伤。
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公开(公告)号：CN101601142B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200880003014.1
申请日：2008-01-23
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： 克里斯托夫·艾克勒 , 乌韦·施特劳斯 , 亚德里恩·斯特凡·阿夫拉梅斯库
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/02 , H01L21/28575 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0083
摘要： 本发明提出了一种半导体芯片(1)，其包括带有半导体层序列(10)的半导体本体，该半导体层序列具有有源区(12)和p型半导体层(11)。有源区(12)优选基于化合物半导体并且此外优选设计用于产生辐射。在p型半导体层(11)的背离有源区(12)的侧上设置有非金属连接区(2)，该非金属连接区导电地与p型半导体层(11)相连。非金属连接区(2)对于氢可穿透地构建。此外提出了一种用于制造半导体芯片的方法。
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公开(公告)号：CN101395725B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200680053614.X
申请日：2006-12-20
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供一种具有半导体层序列(2)的光电子半导体芯片(1)，该半导体层序列(2)包括适于产生辐射的有源区(3)并具有横向主延伸方向，其中，半导体层序列通过具有侧表面(17)的衬底(4)来布置，该侧表面具有相对于主延伸方向成斜角的侧表面区域(18)和/或切口(21)，并且，半导体芯片具有辐射透射性并且导电的接触层(5)。
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公开(公告)号：CN101601142A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200880003014.1
申请日：2008-01-23
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： 克里斯托夫·艾克勒 , 乌韦·施特劳斯 , 亚德里恩·斯特凡·阿夫拉梅斯库
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/02 , H01L21/28575 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0083
摘要： 本发明提出了一种半导体芯片(1)，其包括带有半导体层序列(10)的半导体本体，该半导体层序列具有有源区(12)和p型半导体层(11)。有源区(12)优选基于化合物半导体并且此外优选设计用于产生辐射。在p型半导体层(11)的背离有源区(12)的侧上设置有非金属连接区(2)，该非金属连接区导电地与p型半导体层(11)相连。非金属连接区(2)对于氢可穿透地构建。此外提出了一种用于制造半导体芯片的方法。
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公开(公告)号：CN101568865A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780047636.X
申请日：2007-12-14
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： G02B6/00
CPC分类号： G02B6/0003 , G02B6/001 , G02B6/03622 , G02B6/03638
摘要： 本发明的一个实施例提出一种发光器件，该发光器件包括：辐射源(5)，用于发射具有至少第一波长的辐射(11)；以及伸长的、弯曲的光导体(20)，由辐射源发射的辐射(11)耦合到光导体(20)中，并且光导体(20)根据具有第一波长的耦合输入的辐射(11)而相对于该光导体的纵轴以一角度耦合输出光(12)。
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公开(公告)号：CN101479635A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200780023876.6
申请日：2007-05-31
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： G02B6/0003 , F21S41/13 , F21S41/135 , F21S41/14 , F21S41/141 , F21S41/16 , F21S41/24 , F21S45/46 , G01M11/062 , G01M11/088 , G01M11/31 , G01M11/33 , G02B6/4469 , G02B6/447
摘要： 本发明的实施方案提出了一种发光装置，其包含发射第一波长辐射的辐射源(5)，将从辐射源发射的辐射耦合到其中的光导体(10)和将通过光导体(10)传输的辐射转换为更长的第二波长的光(20)的转换材料(15)。这类发光装置可以具有更好的光转换效率。
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公开(公告)号：CN101427349A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014609.2
申请日：2007-04-20
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： 福尔克尔·黑勒 , 乌韦·施特劳斯 , 格奥尔格·布吕德尔 , 克里斯托夫·艾克勒 , 亚德里恩·阿夫拉梅斯库
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00 , H01L31/00 , H01L21/762
CPC分类号： H01L31/184 , H01L21/76254 , H01L31/1852 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , Y02E10/544
摘要： 本发明公开了一种复合衬底(1)，其具有衬底本体(2)和固定在衬底本体(2)上的有用层(31)，其中在有用层(31)和衬底本体(2)之间设置有平面化层(4)。此外，公开了一种用于制造复合衬底(1)的方法，其中将平面化层(4)施加在所提供的有用衬底(3)上。有用衬底(3)固定在复合衬底(1)的衬底本体(2)上。随后，将有用衬底(3)分离，其中复合衬底(1)的有用衬底(3)的有用层(31)残留在衬底本体(2)上。
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公开(公告)号：CN101233622A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200680027451.8
申请日：2006-07-28
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/2009 , H01S5/3072 , H01S5/3095 , H01S5/3202 , H01S5/3407 , H01L2924/00
摘要： 本申请涉及一种光电子半导体芯片(20)，在半导体芯片(20)的生长方向(c)上具有以下顺序的区域：用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)；有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六边形的化合物半导体；以及用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)。此外，本申请还涉及一种具有这种半导体芯片(20)的器件和一种用于制造这种半导体芯片(20)的方法。
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公开(公告)号：CN101427349B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200780014609.2
申请日：2007-04-20
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： 福尔克尔·黑勒 , 乌韦·施特劳斯 , 格奥尔格·布吕德尔 , 克里斯托夫·艾克勒 , 亚德里恩·阿夫拉梅斯库
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00 , H01L31/00 , H01L21/762
CPC分类号： H01L31/184 , H01L21/76254 , H01L31/1852 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , Y02E10/544
摘要： 本发明公开了一种复合衬底(1)，其具有衬底本体(2)和固定在衬底本体(2)上的有用层(31)，其中在有用层(31)和衬底本体(2)之间设置有平面化层(4)。此外，公开了一种用于制造复合衬底(1)的方法，其中将平面化层(4)施加在所提供的有用衬底(3)上。有用衬底(3)固定在复合衬底(1)的衬底本体(2)上。随后，将有用衬底(3)分离，其中复合衬底(1)的有用衬底(3)的有用层(31)残留在衬底本体(2)上。
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