公开(公告)号：CN118256153A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211698518.8

申请日：2022-12-28

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 周靖宇 ,  荆建芬 ,  马健 ,  周文婷 ,  魏佳 ,  王曦 ,  李昀 ,  李瑾琳 ,  杨征 ,  王欣 ,  王乐 ,  唐浩杰

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒、研磨颗粒稳定剂、腐蚀抑制剂、络合剂、氧化剂、pH调节剂和水。本发明中的一种化学机械抛光液，通过在抛光液中加入合适研磨颗粒稳定剂，抑制TEOS的去除速率，并提高Co/TEOS的选择比，同时减少晶圆表面划伤缺陷数量。

公开(公告)号：CN118271970A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211711773.1

申请日：2022-12-29

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 郑闪闪 ,  李昀 ,  荆建芬 ,  马健 ,  杨俊雅 ,  李瑾琳 ,  周文婷 ,  周靖宇 ,  王曦 ,  刘天奇 ,  王苗苗 ,  王正

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  C23F3/04

Abstract: 本发明揭示了一种用于铜抛光的化学机械抛光液，该抛光液包括研磨颗粒，含氮杂环类腐蚀抑制剂、络合剂、非离子表面活性剂以及氧化剂，所述络合剂为氨羧化合物及其盐。采用本领域的化学机械抛光液在保持较高的铜去除速率的同时，能够显著改善铜表面的粗糙度，减少表面缺陷数量，抑制抛光液对铜表面的腐蚀。

公开(公告)号：CN116426219A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202111654879.8

申请日：2021-12-30

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 杨俊雅 ,  荆建芬 ,  郑闪闪 ,  蔡鑫元 ,  李瑾琳 ,  王曦 ,  唐浩杰 ,  汪国豪 ,  杨征 ,  王苗苗

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。具体的，所述化学机械抛光液包含研磨颗粒，络合剂，腐蚀抑制剂，羧酸酯类化合物，金属表面缺陷改善剂和氧化剂。本发明中的化学机械抛光液可应用于金属铜互连的抛光，具有较高的金属铜去除速率，并且对钽的去除速率低，从而具有较高的铜/钽去除速率选择比，同时可以改善抛光后铜线的碟形凹陷和介质层侵蚀，并降低抛光后的铜表面粗糙度和表面缺陷数。

公开(公告)号：CN118271968A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211703225.4

申请日：2022-12-29

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 马健 ,  荆建芬 ,  杨俊雅 ,  王曦 ,  郑闪闪 ,  蔡鑫元 ,  唐浩杰 ,  周靖宇 ,  张然 ,  魏佳 ,  陆弘毅

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  C23F3/04

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒，电荷调节剂，腺嘌呤类衍生物，络合剂，氮唑类腐蚀抑制剂以及氧化剂；所述络合剂为氨羧化合物及其盐。本发明的化学机械抛光液对铜的去除速率高，对钽的去除速率低，从而具有较高的铜/钽去除速率选择比；可以改善抛光后铜线的碟型凹陷和介质层侵蚀；并且可以改善抛光后铜表面粗糙度和表面缺陷数量。