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公开(公告)号:CN118256150A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202211697964.7
申请日:2022-12-28
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明提供了一种无定形碳材料抛光的化学机械抛光液。本发明中的化学机械抛光液,包括研磨颗粒,含有羧基基团的化合物及含有两个或多个羟基的化合物。本发明中的化学机械抛光液具有较高的无定形碳材料的去除速率,具有良好的市场前景。
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公开(公告)号:CN116515397A
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN202210066663.8
申请日:2022-01-20
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法。该化学机械抛光液包括研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、氧化剂,水溶性纤维素、非离子表面活性剂和水。本发明中的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求,针对前程铜抛光后的不同程度的碟型凹陷和介质层侵蚀均有很好的修复与控制能力。
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公开(公告)号:CN118271970A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202211711773.1
申请日:2022-12-29
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种用于铜抛光的化学机械抛光液,该抛光液包括研磨颗粒,含氮杂环类腐蚀抑制剂、络合剂、非离子表面活性剂以及氧化剂,所述络合剂为氨羧化合物及其盐。采用本领域的化学机械抛光液在保持较高的铜去除速率的同时,能够显著改善铜表面的粗糙度,减少表面缺陷数量,抑制抛光液对铜表面的腐蚀。
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公开(公告)号:CN116426219A
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202111654879.8
申请日:2021-12-30
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105 , H01L21/321
Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。具体的,所述化学机械抛光液包含研磨颗粒,络合剂,腐蚀抑制剂,羧酸酯类化合物,金属表面缺陷改善剂和氧化剂。本发明中的化学机械抛光液可应用于金属铜互连的抛光,具有较高的金属铜去除速率,并且对钽的去除速率低,从而具有较高的铜/钽去除速率选择比,同时可以改善抛光后铜线的碟形凹陷和介质层侵蚀,并降低抛光后的铜表面粗糙度和表面缺陷数。
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公开(公告)号:CN114686114A
公开(公告)日:2022-07-01
申请号:CN202011626108.3
申请日:2020-12-30
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光液及其使用方法。具体的,所述化学机械抛光液包括:研磨颗粒,金属缓蚀剂,络合剂,氧化剂,表面活性剂和水,其中所述表面活性剂为一种或多种脂肪胺衍生物。本发明中的抛光液不仅能够满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求,针对不同程度的碟型凹陷均有很好的修复与控制能力。
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