公开(公告)号：CN118271969A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211703236.2

申请日：2022-12-29

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 李昀 ,  荆建芬 ,  马健 ,  宋凯 ,  姚颖 ,  杨俊雅 ,  李瑾琳 ,  周靖宇 ,  刘天奇 ,  汪国豪 ,  周文婷

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  C23F11/14

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒，五元含氮杂环化合物，六元含氮杂环化合物，有机酸和氧化剂。本发明的抛光液对铜的去除速率高；通过同时使用两种含氮杂环类腐蚀抑制剂，有助于降低抛光后的碟形凹陷程度和介质层侵蚀程度，同时降低抛光后铜表面缺陷数量。

公开(公告)号：CN116515397A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202210066663.8

申请日：2022-01-20

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 姚颖 ,  王欣 ,  荆建芬 ,  邱欢 ,  明伟 ,  陆弘毅 ,  李昀 ,  魏佳 ,  郑闪闪 ,  汪国豪 ,  王苗苗

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法。该化学机械抛光液包括研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、氧化剂，水溶性纤维素、非离子表面活性剂和水。本发明中的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求，针对前程铜抛光后的不同程度的碟型凹陷和介质层侵蚀均有很好的修复与控制能力。

公开(公告)号：CN114716915A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202110003918.1

申请日：2021-01-04

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 李昀 ,  荆建芬 ,  马健 ,  杨俊雅 ,  姚颖 ,  周靖宇 ,  周文婷 ,  宋凯 ,  蔡鑫元 ,  倪宇飞

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。具体的，所述化学机械抛光液包含研磨颗粒，络合剂，氮唑类腐蚀抑制剂，磺酸类表面活性剂、腺嘌呤类衍生物以及氧化剂。本发明的化学机械抛光液可应用于金属铜互连的抛光，具有较高的铜的去除速率和铜/钽去除速率选择比，能够改善抛光后铜线的碟型凹陷和介质层侵蚀。

公开(公告)号：CN118271970A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211711773.1

申请日：2022-12-29

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 郑闪闪 ,  李昀 ,  荆建芬 ,  马健 ,  杨俊雅 ,  李瑾琳 ,  周文婷 ,  周靖宇 ,  王曦 ,  刘天奇 ,  王苗苗 ,  王正

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  C23F3/04

Abstract: 本发明揭示了一种用于铜抛光的化学机械抛光液，该抛光液包括研磨颗粒，含氮杂环类腐蚀抑制剂、络合剂、非离子表面活性剂以及氧化剂，所述络合剂为氨羧化合物及其盐。采用本领域的化学机械抛光液在保持较高的铜去除速率的同时，能够显著改善铜表面的粗糙度，减少表面缺陷数量，抑制抛光液对铜表面的腐蚀。

公开(公告)号：CN116355534A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202111625525.0

申请日：2021-12-28

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 马健 ,  荆建芬 ,  李昀 ,  杨俊雅 ,  周靖宇 ,  宋凯 ,  陆弘毅 ,  王拓 ,  刘天奇 ,  杨征

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06

Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光液，包括：研磨颗粒，络合剂，烷醇酰胺表面活性剂，氮唑类腐蚀抑制剂和氧化剂；所述研磨颗粒平均粒径为40‑140nm；所述络合剂为氨羧化合物及其盐。本发明的优势在于：1)本发明的抛光液对铜的去除速率高，对钽的去除速率低，从而具有较高的铜/钽去除速率选择比；2)本发明的抛光液可以改善抛光后铜线的碟型凹陷和介质层侵蚀。

公开(公告)号：CN114686888A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011622815.5

申请日：2020-12-30

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 马健 ,  荆建芬 ,  杨俊雅 ,  李昀 ,  姚颖 ,  蔡鑫元 ,  宋凯 ,  汪国豪 ,  常宾 ,  邱欢

IPC: C23F3/06 ,  C23F3/04

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。具体的，所述化学机械抛光液包含研磨颗粒，络合剂，氮唑类腐蚀抑制剂，磺酸类表面活性剂，烷醇酰胺表面活性剂和氧化剂。本发明中的化学机械抛光液可应用于金属铜互连的抛光，具有较高的金属铜抛光速率，并且对钽的去除速率低，从而具有较高的铜/钽去除速率选择比，同时可以改善抛光后铜线的碟形凹陷和介质层侵蚀。

公开(公告)号：CN118256150A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211697964.7

申请日：2022-12-28

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 刘天奇 ,  周文婷 ,  荆建芬 ,  王苗苗 ,  姚颖 ,  宋凯 ,  蔡鑫元 ,  李昀 ,  王拓 ,  王正 ,  唐浩杰

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明提供了一种无定形碳材料抛光的化学机械抛光液。本发明中的化学机械抛光液，包括研磨颗粒，含有羧基基团的化合物及含有两个或多个羟基的化合物。本发明中的化学机械抛光液具有较高的无定形碳材料的去除速率，具有良好的市场前景。

公开(公告)号：CN114686112A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011622806.6

申请日：2020-12-30

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 杨俊雅 ,  荆建芬 ,  马健 ,  李昀 ,  倪宇飞 ,  周文婷 ,  蔡鑫元 ,  刘天奇 ,  许芃亮 ,  郑闪闪

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供了一种用于铜的化学机械抛光液及其使用方法。具体的，所述化学机械抛光液包含研磨颗粒，络合剂，氮唑类腐蚀抑制剂，羧酸酯类化合物和氧化剂。本发明的化学机械抛光液可应用于金属铜互连的抛光，具有较高的铜的去除速率和铜/钽去除速率选择比，能够改善抛光后铜线的碟型凹陷和介质层侵蚀。

公开(公告)号：CN118256151A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211698145.4

申请日：2022-12-28

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 邱欢 ,  姚颖 ,  荆建芬 ,  蔡鑫元 ,  王欣 ,  陆弘毅 ,  宋凯 ,  杨征 ,  李昀 ,  汪国豪 ,  张然

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液，包括非离子型表面活性剂、阴离子型表面活性剂和研磨颗粒。本发明中的化学机械抛光液，可用于阻挡层抛光、TSV‑阻挡层抛光以及FinFET工艺中需去除二氧化硅基材的多种应用，在获得高的二氧化硅去除速率的同时可调节不同二氧化硅材料的去除速率选择比且不受抛光时间的干扰，能够满足各种工艺条件下对介质材料去除速率的要求，具有广阔的市场前景。

公开(公告)号：CN114686116A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011626136.5

申请日：2020-12-30

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 姚颖 ,  荆建芬 ,  倪宇飞 ,  周文婷 ,  宋凯 ,  蔡鑫元 ,  周靖宇 ,  李昀 ,  陆弘毅 ,  魏佳

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法。该化学机械抛光液包括研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、氧化剂，水溶性纤维素和水。本发明的化学机械抛光液对前程铜抛光后的碟型凹陷和介质层侵蚀具有一定的修复能力，且对钽、铜、二氧化硅(TEOS)和低介电常数材料的去除速率无明显的影响，满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率、速率选择比和抛光后表面形貌的要求。