公开(公告)号：CN118271968A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211703225.4

申请日：2022-12-29

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 马健 ,  荆建芬 ,  杨俊雅 ,  王曦 ,  郑闪闪 ,  蔡鑫元 ,  唐浩杰 ,  周靖宇 ,  张然 ,  魏佳 ,  陆弘毅

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  C23F3/04

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒，电荷调节剂，腺嘌呤类衍生物，络合剂，氮唑类腐蚀抑制剂以及氧化剂；所述络合剂为氨羧化合物及其盐。本发明的化学机械抛光液对铜的去除速率高，对钽的去除速率低，从而具有较高的铜/钽去除速率选择比；可以改善抛光后铜线的碟型凹陷和介质层侵蚀；并且可以改善抛光后铜表面粗糙度和表面缺陷数量。

公开(公告)号：CN118271970A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211711773.1

申请日：2022-12-29

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 郑闪闪 ,  李昀 ,  荆建芬 ,  马健 ,  杨俊雅 ,  李瑾琳 ,  周文婷 ,  周靖宇 ,  王曦 ,  刘天奇 ,  王苗苗 ,  王正

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  C23F3/04

Abstract: 本发明揭示了一种用于铜抛光的化学机械抛光液，该抛光液包括研磨颗粒，含氮杂环类腐蚀抑制剂、络合剂、非离子表面活性剂以及氧化剂，所述络合剂为氨羧化合物及其盐。采用本领域的化学机械抛光液在保持较高的铜去除速率的同时，能够显著改善铜表面的粗糙度，减少表面缺陷数量，抑制抛光液对铜表面的腐蚀。

公开(公告)号：CN118256152A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211698186.3

申请日：2022-12-28

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 邱欢 ,  荆建芬 ,  姚颖 ,  王欣 ,  陆弘毅 ,  蔡鑫元 ,  周文婷 ,  杨俊雅 ,  郑闪闪 ,  宋凯 ,  明伟 ,  王拓

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液包括非离子型表面活性剂和研磨颗粒。本发明中的化学机械抛光液，通过添加非离子表面活性剂，能够调节不同二氧化硅材料的去除速率，从而可以调节不同材料间的选择比，满足工艺需求。

公开(公告)号：CN116426219A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202111654879.8

申请日：2021-12-30

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 杨俊雅 ,  荆建芬 ,  郑闪闪 ,  蔡鑫元 ,  李瑾琳 ,  王曦 ,  唐浩杰 ,  汪国豪 ,  杨征 ,  王苗苗

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。具体的，所述化学机械抛光液包含研磨颗粒，络合剂，腐蚀抑制剂，羧酸酯类化合物，金属表面缺陷改善剂和氧化剂。本发明中的化学机械抛光液可应用于金属铜互连的抛光，具有较高的金属铜去除速率，并且对钽的去除速率低，从而具有较高的铜/钽去除速率选择比，同时可以改善抛光后铜线的碟形凹陷和介质层侵蚀，并降低抛光后的铜表面粗糙度和表面缺陷数。

公开(公告)号：CN114686112A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011622806.6

申请日：2020-12-30

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 杨俊雅 ,  荆建芬 ,  马健 ,  李昀 ,  倪宇飞 ,  周文婷 ,  蔡鑫元 ,  刘天奇 ,  许芃亮 ,  郑闪闪

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供了一种用于铜的化学机械抛光液及其使用方法。具体的，所述化学机械抛光液包含研磨颗粒，络合剂，氮唑类腐蚀抑制剂，羧酸酯类化合物和氧化剂。本发明的化学机械抛光液可应用于金属铜互连的抛光，具有较高的铜的去除速率和铜/钽去除速率选择比，能够改善抛光后铜线的碟型凹陷和介质层侵蚀。

公开(公告)号：CN116515397A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202210066663.8

申请日：2022-01-20

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 姚颖 ,  王欣 ,  荆建芬 ,  邱欢 ,  明伟 ,  陆弘毅 ,  李昀 ,  魏佳 ,  郑闪闪 ,  汪国豪 ,  王苗苗

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法。该化学机械抛光液包括研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、氧化剂，水溶性纤维素、非离子表面活性剂和水。本发明中的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求，针对前程铜抛光后的不同程度的碟型凹陷和介质层侵蚀均有很好的修复与控制能力。