负型图案形成方法、保护膜形成用组合物及电子元件制法

    公开(公告)号:CN106605174B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201580047686.2

    申请日:2015-09-15

    Abstract: 本发明涉及一种负型图案形成方法、保护膜形成用组合物及电子元件制法,所述图案形成方法能够形成焦点深度及曝光宽容度优异且线边缘粗糙度得到抑制的图案。本发明的图案形成方法包括:将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上而形成感光化射线性或感放射线性膜的步骤;将保护膜形成用组合物涂布于所述感光化射线性或感放射线性膜上而形成保护膜的步骤;对由保护膜被覆的感光化射线性或感放射线性膜进行曝光的步骤;以及利用包含有机溶剂的显影液,对经曝光的感光化射线性或感放射线性膜进行显影的步骤;保护膜含有:包含至少一个选自由醚键、硫醚键、羟基、硫醇基、羰基键及酯键所组成的组群中的基团或键的化合物(A),以及树脂(X)。

    图案形成方法、保护膜形成用组合物、电子元件的制造方法及电子元件

    公开(公告)号:CN106605174A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201580047686.2

    申请日:2015-09-15

    Abstract: 本发明涉及一种图案形成方法及该图案形成方法中适合使用的保护膜形成用组合物,所述图案形成方法能够形成焦点深度及曝光宽容度优异且线边缘粗糙度得到抑制的图案。本发明的图案形成方法包括:将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上而形成感光化射线性或感放射线性膜的步骤;将保护膜形成用组合物涂布于所述感光化射线性或感放射线性膜上而形成保护膜的步骤;对由所述保护膜被覆的感光化射线性或感放射线性膜进行曝光的步骤;以及利用包含有机溶剂的显影液,对经曝光的所述感光化射线性或感放射线性膜进行显影的步骤;所述保护膜含有:包含至少一个选自由醚键、硫醚键、羟基、硫醇基、羰基键及酯键所组成的组群中的基团或键的化合物(A),以及树脂(X)。

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