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公开(公告)号:CN106796401B
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN201580052504.0
申请日:2015-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种DOF、EL及水渍缺陷性能良好的图案形成方法、利用所述图案形成方法而形成的抗蚀剂图案、所述图案形成方法中使用的上层膜形成用组合物、以及包含所述图案形成方法的电子元件的制造方法。所述图案形成方法包括:步骤a,将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上而形成抗蚀剂膜;步骤b,通过在所述抗蚀剂膜上涂布上层膜形成用组合物,而在所述抗蚀剂膜上形成上层膜;步骤c,对形成有所述上层膜的所述抗蚀剂膜进行曝光;以及步骤d,使用包含有机溶剂的显影液,对经所述曝光的所述抗蚀剂膜进行显影而形成图案;并且所述上层膜的表面的水的后退接触角为80°以上。
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公开(公告)号:CN106716257B
公开(公告)日:2019-12-24
申请号:CN201580052713.5
申请日:2015-09-25
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种DOF及LER良好的图案形成方法、抗蚀剂图案及电子元件的制造方法。所述图案形成方法包括:步骤a,将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上而形成抗蚀剂膜;步骤b,通过在所述抗蚀剂膜上涂布上层膜形成用组合物后,在100℃以上进行加热而在所述抗蚀剂膜上形成上层膜;步骤c,对形成有所述上层膜的所述抗蚀剂膜进行曝光;以及步骤d,使用包含有机溶剂的显影液,对经所述曝光的所述抗蚀剂膜进行显影而形成图案。
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公开(公告)号:CN106716257A
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201580052713.5
申请日:2015-09-25
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种DOF及LER良好的图案形成方法、利用所述图案形成方法而形成的抗蚀剂图案以及包含所述图案形成方法的电子元件的制造方法。所述图案形成方法包括:步骤a,将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上而形成抗蚀剂膜;步骤b,通过在所述抗蚀剂膜上涂布上层膜形成用组合物后,在100℃以上进行加热而在所述抗蚀剂膜上形成上层膜;步骤c,对形成有所述上层膜的所述抗蚀剂膜进行曝光;以及步骤d,使用包含有机溶剂的显影液,对经所述曝光的所述抗蚀剂膜进行显影而形成图案。
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公开(公告)号:CN106796401A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201580052504.0
申请日:2015-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F2220/283 , C09D133/08 , C09D133/14 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种DOF、EL及水渍缺陷性能良好的图案形成方法、利用所述图案形成方法而形成的抗蚀剂图案、所述图案形成方法中使用的上层膜形成用组合物、以及包含所述图案形成方法的电子元件的制造方法。所述图案形成方法包括:步骤a,将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上而形成抗蚀剂膜;步骤b,通过在所述抗蚀剂膜上涂布上层膜形成用组合物,而在所述抗蚀剂膜上形成上层膜;步骤c,对形成有所述上层膜的所述抗蚀剂膜进行曝光;以及步骤d,使用包含有机溶剂的显影液,对经所述曝光的所述抗蚀剂膜进行显影而形成图案;并且所述上层膜的表面的水的后退接触角为80°以上。
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公开(公告)号:CN106605174B
公开(公告)日:2020-05-19
申请号:CN201580047686.2
申请日:2015-09-15
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明涉及一种负型图案形成方法、保护膜形成用组合物及电子元件制法,所述图案形成方法能够形成焦点深度及曝光宽容度优异且线边缘粗糙度得到抑制的图案。本发明的图案形成方法包括:将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上而形成感光化射线性或感放射线性膜的步骤;将保护膜形成用组合物涂布于所述感光化射线性或感放射线性膜上而形成保护膜的步骤;对由保护膜被覆的感光化射线性或感放射线性膜进行曝光的步骤;以及利用包含有机溶剂的显影液,对经曝光的感光化射线性或感放射线性膜进行显影的步骤;保护膜含有:包含至少一个选自由醚键、硫醚键、羟基、硫醇基、羰基键及酯键所组成的组群中的基团或键的化合物(A),以及树脂(X)。
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公开(公告)号:CN106605174A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201580047686.2
申请日:2015-09-15
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明涉及一种图案形成方法及该图案形成方法中适合使用的保护膜形成用组合物,所述图案形成方法能够形成焦点深度及曝光宽容度优异且线边缘粗糙度得到抑制的图案。本发明的图案形成方法包括:将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上而形成感光化射线性或感放射线性膜的步骤;将保护膜形成用组合物涂布于所述感光化射线性或感放射线性膜上而形成保护膜的步骤;对由所述保护膜被覆的感光化射线性或感放射线性膜进行曝光的步骤;以及利用包含有机溶剂的显影液,对经曝光的所述感光化射线性或感放射线性膜进行显影的步骤;所述保护膜含有:包含至少一个选自由醚键、硫醚键、羟基、硫醇基、羰基键及酯键所组成的组群中的基团或键的化合物(A),以及树脂(X)。
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