公开(公告)号：CN110731001B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201880038543.9

申请日：2018-06-15

申请人： 富士胶片电子材料美国有限公司

发明人： S·马利克 ,  W·A·赖纳特

IPC分类号： H01L21/02 ,  C08L59/00 ,  G03F7/004 ,  H01L23/538

摘要： 本发明涉及一种多层结构，包含：衬底；沉积在衬底上的耦合层；以及沉积在耦合层上的介电层，其中，与不存在耦合层的多层结构相比，在存在耦合层的情况下，剪切强度提高至少约2倍。

公开(公告)号：CN115516603A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180033839.3

申请日：2021-03-09

申请人： 富士胶片电子材料美国有限公司

发明人： S·马利克

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L23/52 ,  H01L23/532

摘要： 本公开关于一种将导电金属沉积进沟槽或孔洞中的方法，其中，该沟槽或孔洞被介电膜围绕。该方法包括：a)提供介电膜；b)在该介电膜的顶部沉积抗蚀剂层；c)使用光化辐射或电子束或x射线来图案化该抗蚀剂层，以形成沟槽或孔洞；d)通过蚀刻将该抗蚀剂层中所产生的图案转印至下面的介电膜；及e)用导电金属填充该介电膜中所产生的图案，以形成具有填充导电金属的沟槽或填充导电金属的孔洞的介电膜。

公开(公告)号：CN115280188A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202080098493.0

申请日：2020-12-21

申请人： 富士胶片电子材料美国有限公司

发明人： S·马利克 ,  W·A·赖纳特 ,  B·B·德

IPC分类号： G02B1/14 ,  G02B5/28

摘要： 本公开关于一种干膜结构，其包括载体基板；及由该载体基板支撑的介电膜。该介电膜包括至少一种介电聚合物及低量金属。

公开(公告)号：CN108027563B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201680036215.6

申请日：2016-04-19

申请人： 富士胶片电子材料美国有限公司

发明人： S·马利克 ,  R·萨卡穆里 ,  O·N·迪莫夫 ,  B·B·德 ,  W·A·赖纳特 ,  A·A·纳依尼

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  C08G73/10

摘要： 本公开关于一种光敏性组合物，其包括重均分子量在约20000道尔顿至约70000道尔顿范围内的至少一种完全酰亚胺化的聚酰亚胺聚合物；至少一种溶解度转换化合物；至少一种光引发剂；和至少一种溶剂。该组合物能形成用环戊酮作为显影剂时溶解速率大于约0.15微米/秒的膜或干膜。

公开(公告)号：CN105408399B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201480028805.5

申请日：2014-05-16

申请人： 富士胶片电子材料美国有限公司

发明人： S·马利克 ,  W·A·瑞内斯 ,  B·B·德 ,  A·A·纳依尼

IPC分类号： C08G81/02

摘要： 本公开涉及包括第一重复单元和位于聚合物一个末端的至少一个封端基团的聚合物。所述第一重复单元包括至少一个酰亚胺部分和至少一个含有二氢化茚的部分。封端基团能够经历裂环反应。本公开还涉及包含上述聚合物的热固组合物。

公开(公告)号：CN108026491A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680044375.5

申请日：2016-07-28

申请人： 富士胶片电子材料美国有限公司

发明人： R·萨卡穆里 ,  O·N·迪莫夫 ,  A·A·纳依尼 ,  S·马利克 ,  B·B·德 ,  W·A·赖纳特

IPC分类号： C11D11/00 ,  C09G1/02 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09D5/08 ,  C11D3/0073 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/50 ,  C11D7/5004 ,  C11D11/00 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/027 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31133

摘要： 本发明涉及一种组合物(例如清洁和/或剥离组合物)，其含有(a)0.5‑25重量百分比的碱性化合物；(b)1‑25重量百分比的醇胺化合物；(c)0.1‑20重量百分比的羟铵化合物；(d)5‑95重量百分比的有机溶剂；(e)0.1‑5重量百分比的腐蚀抑制剂化合物；及(f)2‑25重量百分比的水。

公开(公告)号：CN109983560B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201780070832.2

申请日：2017-11-15

申请人： 富士胶片电子材料美国有限公司

发明人： R·萨卡穆里 ,  S·马利克 ,  O·迪莫夫

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/311 ,  G03F7/42

摘要： 本发明涉及一种用于剥离图案化半导体衬底上的有机膜的方法。所述方法包括在一个步骤中以水性剥离剂组合物处理所述有机膜以移除所述有机膜。所述有机膜包括至少第一层和第二层，所述第一层在25℃在显影剂中具有至多约0.01μm/分钟的溶解速率，且所述第二层在25℃在所述显影剂中具有大于约0.01μm/分钟的溶解速率。

公开(公告)号：CN109983560A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201780070832.2

申请日：2017-11-15

申请人： 富士胶片电子材料美国有限公司

发明人： R·萨卡穆里 ,  S·马利克 ,  O·迪莫夫

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/311 ,  G03F7/42

摘要： 本发明涉及一种用于剥离图案化半导体衬底上的有机膜的方法。所述方法包括在一个步骤中以水性剥离剂组合物处理所述有机膜以移除所述有机膜。所述有机膜包括至少第一层和第二层，所述第一层在25℃在显影剂中具有至多约0.01μ/分钟的溶解速率，且所述第二层在25℃在所述显影剂中具有大于约0.01μ/分钟的溶解速率。

公开(公告)号：CN109789644A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201880001950.2

申请日：2018-02-28

申请人： 富士胶片电子材料美国有限公司

发明人： S·马利克 ,  W·A·赖纳特 ,  B·B·德

IPC分类号： B29C67/20 ,  C08J5/18 ,  C09D179/08

摘要： 本发明涉及含有至少一种完全酰亚胺化的聚酰亚胺聚合物；至少一种无机填料；至少一种含金属的(甲基)丙烯酸酯化合物；和至少一种催化剂的形成介电膜的组合物。由这种组合物形成的介电膜可以具有相对低的热膨胀系数(CTE)和相对高的光学透明度。

公开(公告)号：CN108027563A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680036215.6

申请日：2016-04-19

申请人： 富士胶片电子材料美国有限公司

发明人： S·马利克 ,  R·萨卡穆里 ,  O·N·迪莫夫 ,  B·B·德 ,  W·A·赖纳特 ,  A·A·纳依尼

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  C08G73/10

CPC分类号： G03F7/0387 ,  B29C67/00 ,  C08G73/1014 ,  C08G73/1039 ,  C08G73/1042 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/1067 ,  C09D179/08 ,  G03C1/805 ,  G03F7/037 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/325 ,  G03F7/343 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/311 ,  C08L79/08

摘要： 本公开关于一种光敏性组合物，其包括重均分子量在约20000道尔顿至约70000道尔顿范围内的至少一种完全酰亚胺化的聚酰亚胺聚合物；至少一种溶解度转换化合物；至少一种光引发剂；和至少一种溶剂。该组合物能形成用环戊酮作为显影剂时溶解速率大于约0.15微米/秒的膜或干膜。