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公开(公告)号:CN105873691B
公开(公告)日:2018-04-20
申请号:CN201480066376.0
申请日:2014-12-03
申请人: 富士胶片电子材料美国有限公司
CPC分类号: C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D7/3281 , C11D7/5022 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/02071 , H01L21/0273 , H01L21/31133
摘要: 本发明涉及一种清洗组合物,其含有:1)至少一种氧化还原剂;2)至少一种第一螯合剂,该第一螯合剂为聚氨基聚羧酸;3)至少一种第二螯合剂,其不同于第一螯合剂,该第二螯合剂含有至少两个含氮基团;4)至少一种金属腐蚀抑制剂,该金属腐蚀抑制剂为经取代或未经取代的苯并三唑;5)至少一种有机溶剂,其选自水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯、和水溶性醚;6)水;和7)任选地,至少一种pH调节剂,该pH调节剂是无金属离子的碱。本发明也涉及使用上述组合物清洗半导体基板的方法。
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公开(公告)号:CN105849245A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201480068420.1
申请日:2014-09-15
申请人: 富士胶片电子材料美国有限公司
IPC分类号: C11D7/60
摘要: 本公开涉及清洗组合物,其含有:1)至少一种螯合剂,所述螯合剂为聚氨基聚羧酸;2)至少一种有机溶剂,所述有机溶剂选自水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯以及水溶性醚;3)至少一种单羧酸,其含有伯氨基或仲氨基、和至少一个额外含氮碱基;4)至少一种金属腐蚀抑制剂,所述金属腐蚀抑制剂是被取代或未被取代的苯并三唑;以及5)水。本公开还涉及一种使用上述组合物来清洗半导体基板的方法。
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公开(公告)号:CN115044375A
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN202210464158.9
申请日:2015-03-17
申请人: 富士胶片电子材料美国有限公司
IPC分类号: C09K13/00 , C23F1/10 , C23F1/40 , C23F1/44 , H01L21/3213
摘要: 本发明涉及一种蚀刻组合物,其含有1)至少一种氧化剂;2)至少一种螯合剂;3)至少一种金属腐蚀抑制剂;4)至少一种有机溶剂;5)至少一种脒碱;及6)水。
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公开(公告)号:CN105849245B
公开(公告)日:2020-03-13
申请号:CN201480068420.1
申请日:2014-09-15
申请人: 富士胶片电子材料美国有限公司
IPC分类号: C11D7/60
摘要: 本公开涉及清洗组合物,其含有:1)至少一种螯合剂,所述螯合剂为聚氨基聚羧酸;2)至少一种有机溶剂,所述有机溶剂选自水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯以及水溶性醚;3)至少一种单羧酸,其含有伯氨基或仲氨基、和至少一个额外含氮碱基;4)至少一种金属腐蚀抑制剂,所述金属腐蚀抑制剂是被取代或未被取代的苯并三唑;以及5)水。本公开还涉及一种使用上述组合物来清洗半导体基板的方法。
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公开(公告)号:CN109790028A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201780062080.5
申请日:2017-10-05
申请人: 富士胶片电子材料美国有限公司
CPC分类号: C11D7/20 , C11D3/0042 , C11D7/06 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/266 , C11D7/3245 , C11D7/34 , C11D7/50 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02063
摘要: 本发明关于清洁组合物,其含有1)至少一种氧化还原剂;2)至少一种有机溶剂,其选自由水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯、及水溶性醚所组成的组;3)至少一种含金属的添加剂;及4)水。
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公开(公告)号:CN110997643B
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN201880053404.3
申请日:2018-08-21
申请人: 富士胶片电子材料美国有限公司
IPC分类号: C07D253/04 , C07D253/06 , C08K5/3492
摘要: 本发明涉及非腐蚀性清洁组合物,可用于例如作为多步制造工艺中的中间步骤,从半导体衬底上去除残余物(例如,等离子体蚀刻残余物和/或等离子体灰化残余物)和/或金属氧化物。
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公开(公告)号:CN107850859B
公开(公告)日:2021-06-01
申请号:CN201580077213.7
申请日:2015-12-28
申请人: 富士胶片电子材料美国有限公司
IPC分类号: G03F7/32
摘要: 本公开涉及光阻剂剥离组合物,其包括:1)至少一种水溶性极性非质子有机溶剂;2)至少一种醇溶剂;3)至少一种季铵氢氧化物;4)水;5)至少一种选自6‑取代‑2,4‑二氨基‑1,3,5‑三嗪的铜腐蚀抑制剂;和6)任选地,至少一种消泡剂。
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