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公开(公告)号：CN116604494A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310634429.5
申请日：2023-05-31
申请人： 山东华光光电子股份有限公司 , 山东芯光光电科技有限公司
IPC分类号： B25B11/00
摘要： 本发明涉及一种提高半导体激光器巴条夹持数量的弹性镀膜夹具及应用，属于半导体激光器领域，包括底座、防护盖和弹簧夹板，底座两侧设有燕尾台；弹簧夹板成对设置，弹簧夹板两侧均设置有燕尾槽；一对弹簧夹板中，弹簧夹板A和弹簧夹板B之间用于夹持巴条和陪条；弹簧夹板A固定，弹簧夹板B为滑动连接，弹簧夹板B与下一对弹簧夹板的弹簧夹板A之间通过弹簧连接，通过弹簧提供弹性力。本发明减少夹板了面积，最大利用镀膜空间，单位空间能稳定弹性夹持更多巴条，提高每炉产出率，节省镀膜设备准备时间，且弹性夹持解决高低温环境下刚性件应力变形导致的巴条损伤、镀膜不均甚至掉落的风险，提高镀膜产出率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN118794656A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410777501.4
申请日：2024-06-17
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种半导体激光器长线阵测试系统及测试方法，该系统包括固定框和通过旋转轴与其装配在一起的水平和竖直方向反射镜安装板，反射镜安装板上装配有反射镜，且可以绕固定框上的圆柱体进行旋转，通过调节竖直方向反射镜安装板的旋转角度，兼容不同长度的半导体激光器线阵，通过水平和竖直方向反射镜的反射作用使长线阵中巴条发出的光反射到功率计探测面，从而实现对长半导体激光器线阵的测试，测试精度高、一致性好、速度快。
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公开(公告)号：CN118712874A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202310303841.9
申请日：2023-03-27
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体激光器背面金属电极结构及其制备方法。所述背面金属电极结构包括：粘附层、阻挡层、附加层和焊接层。其中，所述粘附层用于覆盖在激光器背面基底上，所述阻挡层覆盖在粘附层上，所述附加层覆盖在阻挡层上，所述焊接层覆盖在附加层上。所述附加层能够导电，且其膨胀系数尽可能接近所述阻挡层的金属膨胀系数。所述附加层能够减少加热处理过程中所述焊接层与粘附层之间金属原子的相互扩散。本发明通过改变传统背面金属电极结构，采用粘附层、阻挡层、附加层和焊接层形成的复合结构，获得了具有低接触电阻、热稳定性高且可靠性好的背面金属电极，克服了传统背面金属电极在金属化过程中高温导致的金属原子相互扩散形成的高阻膜。
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公开(公告)号：CN118249209A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410396878.5
申请日：2024-04-03
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有空穴扩展层的VCSEL器件及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。器件沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR层、N‑型半导体材料层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体材料层、电流限制层和电流扩展层，电流扩展层上方设置有顶部介质DBR层和P‑型欧姆电极，N‑型半导体材料层上方设置有N‑型欧姆电极，P‑型半导体材料层上侧中部内嵌设置有空穴扩展层。本发明在孔径下生长空穴扩展层层，利用空穴扩展层层与P‑型半导体材料形成的势垒对空穴产生扩展作用。
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公开(公告)号：CN114952964B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110187801.3
申请日：2021-02-18
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种微通道激光器绝缘片快速修正装置及修正方法，属于半导体激光器封装技术领域。装置包括底座、Z轴移动机构和固定机构，其中，固定机构设置于底座上，通过固定机构夹紧绝缘片，调节绝缘片的连接边探出量，底座一端设置支撑杆，支撑杆上设置Z轴移动机构，Z轴移动机构底端设置刀头，通过Z轴移动机构带动刀头上下运动进而切除绝缘片的连接边。本发明结构简单，操作方便，修正精度高，提高了绝缘片的修正效率和合格率，绝缘片修正合格率较之前手动修正提高10％以上，切割效率提高30％以上。
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公开(公告)号：CN117595072A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311412955.3
申请日：2023-10-30
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有渐变组分空穴加速层的VCSEL器件及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。器件沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR层、N‑型半导体材料层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、渐变组分空穴加速层、电流限制层和电流扩展层，电流扩展层下侧穿过电流限制层接触渐变组分空穴加速层，电流扩展层上方设置顶部介质DBR层和P‑型欧姆电极，N‑型半导体材料层上方设置有N‑型欧姆电极。本发明的渐变组分空穴加速层由三层P‑型AlInGaN材料交叠而成，形成的极化电场促进空穴的传输，位于中间的P‑型AlInGaN材料的Al组分大于两侧且为渐变分布，可以减少加速层中反向电场的影响。
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公开(公告)号：CN117394131A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311439593.7
申请日：2023-11-01
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/02315 , H01S5/02375 , H01S5/0236 , H01S5/042
摘要： 本发明涉及半导体激光器封装技术领域，具体涉及一种半导体激光器高效封装辅助设备和封装方法。其中，所述封装辅助设备包括冷却器、二级热沉、一体式L型电极、第一绝缘片和第二绝缘片。所述冷却器的上表面上具有用于容纳所述二级热沉的第一凹槽，所述二级热沉的上表面上具有第二凹槽，该第二凹槽中具有若干间隔设置且相互平行的第三凹槽，相邻第三凹槽之间的第二凹槽底面上具有凸台，且所述二级热沉的两端具有与第二凹槽平行设置的开口。所述一体式L型电极设置在冷却器上。本发明的技术方案能够有效降低半导体激光器的封装难度，提高封装效率，降低封装成本。
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公开(公告)号：CN117353151A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311323394.X
申请日：2023-10-13
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有复合型P‑EBL的VCSEL器件及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。沿外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、底部氮化物DBR、N‑型半导体材料层、多量子阱层、复合型P‑EBL、P‑型半导体材料层、电流限制层、电流扩展层；复合型P‑EBL由三层材料交叠而成，位于中间材料的Al组分低于两侧材料的Al组分，同时中间材料晶格常数大于两侧材料，且两侧的材料参数相同。本发明P‑EBL中插入了一层低Al组分材料，利用材料极化效应形成的电场给空穴赋能。此外，复合型P‑EBL插入层两侧的材料较薄，空穴隧穿几率增大，进一步减弱了P‑EBL对空穴的阻挡效应，提升了器件的空穴注入效率。
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公开(公告)号：CN117198932A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311053463.X
申请日：2023-08-21
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , F27D5/00
摘要： 本发明涉及一种管式炉热处理晶片夹具及工作方法，属于晶片热处理技术领域，包括保护罩、支撑杆、底板和载片盘，保护罩、支撑杆和底板为整体熔融结构，载片盘架于保护罩中，且通过施加外力进行前后相对移动，载片盘用于承载晶片，包括完整晶片热处理区和小尺寸晶片热处理区，分别位于载片盘左右两侧。本发明能够有效增大气体与晶片的接触面积，提高气体与晶片接触的均匀性，提升晶片热处理性能的一致性，同时对晶片提供保护作用，避免晶片在热处理过程中裂片时使其相邻晶片划伤及污染，可以兼容不同尺寸，热处理前晶片出现不规则裂片同样可进行热处理。
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公开(公告)号：CN116979364A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310949741.3
申请日：2023-07-31
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明提出一种改善光束质量的宽条型半导体激光器及其制备方法。本发明激光器包括：层叠结构、脊波导、散热结构；层叠结构：包括自下至上依次设置的衬底、N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型限制层、欧姆接触层；脊波导：欧姆接触层两侧对称位置上设置有波导槽，波导槽贯穿欧姆接触层，并且波导槽底部下陷至P型限制层但不超过P型限制层，两波导槽之间形成脊波导；散热结构：脊波导上表面设置有散热结构，散热结构位于欧姆接触层中。本发明激光器可有效消除因热透镜效应以及载流子空间烧孔效应带来的折射率分布不均匀问题，进而有效提高半导体激光器芯片的光束质量。
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