公开(公告)号：CN118495522A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410610847.5

申请日：2024-05-16

申请人： 山西北大碳基薄膜电子研究院

发明人： 贺冰玉 ,  贺营花 ,  白兰 ,  曹宇 ,  梁学磊

IPC分类号： C01B32/168 ,  B05D7/24 ,  B05D1/02 ,  B05B16/20 ,  B05D3/04 ,  B05D3/02

摘要： 本发明涉及一种快速制备大面积均匀碳纳米管网络薄膜的方法及装置，属于碳纳米管制备技术领域，所述方法包括：提供基底，并对基底进行清洗和烘干处理，以及将经过清洗和烘干处理后的基底置于可伸缩夹具上；制备碳纳米管溶液，并将制备的碳纳米管溶液置于喷枪的料罐中，调节喷枪的相关参数，采用喷枪在基底上多次喷涂碳纳米管溶液；采用有机溶剂清洗经过喷涂碳纳米管溶液的基底，并采用高纯度气体吹干，得到碳纳米管网络薄膜。本申请提供的方法及装置，采用喷枪喷涂碳纳米管溶液，将碳纳米管溶液雾化，使得液滴在基底表面以更少的液量铺展的更加均匀，降低了碳纳米管网络薄膜的制备成本，不受基底软硬、形状等性质的限制，提高了制备效率。

公开(公告)号：CN118147506A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410322555.1

申请日：2024-03-20

申请人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司 ,  山西北大碳基薄膜电子研究院 ,  太原理工大学

发明人： 韩培德 ,  马洁 ,  李政 ,  张翊 ,  曹宇 ,  殷子论 ,  李枝兰 ,  白兰 ,  梁学磊

IPC分类号： C22C28/00 ,  H10K10/46 ,  H10K10/84 ,  H10K85/20 ,  C22C30/00 ,  C22C1/02 ,  C22F1/18 ,  C22F1/02

摘要： 本发明涉及一种用于源漏电极的低功函数合金及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述合金包括：原子百分比为32at.％‑80at.％的钪；原子百分比为20at.％‑60at.％的钇；以及原子百分比为0‑8at.％的微调元素，其中，所述微调元素为锆、镍、铪、钛、硅、钕中的一种或多种。本申请提供合金及其制备方法，通过设计了主要成分为钪和钇的合金，并且在其中掺杂微调元素，在保证功函数和碳纳米管导带对准、合金和碳纳米管浸润性的基础上，使合金不易氧化，并形成了优异的N型欧姆接触，有利于降低碳纳米管N型晶体管的接触电阻、有利于提高碳纳米管N型晶体管的电学性能、有利于制备小尺寸碳纳米管N型晶体管器件。

公开(公告)号：CN118159040A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410322558.5

申请日：2024-03-20

申请人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司 ,  山西北大碳基薄膜电子研究院 ,  太原理工大学

发明人： 曹宇 ,  李枢 ,  李枝兰 ,  白兰 ,  刘鑫 ,  梁学磊 ,  韩培德 ,  马洁 ,  李政 ,  张翊

IPC分类号： H10K10/84 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C22C1/02 ,  C22F1/18 ,  C22F1/02 ,  H10K10/46 ,  H10K85/20 ,  H10K10/88 ,  H10K71/60

摘要： 本发明涉及一种基于低功函数合金的源漏结构、N型晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述结构包括：低功函数合金层，其中，低功函数合金层的材料包括：原子百分比为32at％‑80at％的钪；原子百分比为20at％‑60at％的钇；以及原子百分比为0‑8at％的微调元素，微调元素为锆、镍、铪、钛、硅、钕中的一种或多种；设置在低功函数合金层上方的金属钝化层，其中，金属钝化层的材料为铝、钯、钛、铬、金等中的一种或多种；以及设置在金属钝化层上方的非金属钝化层，其中，非金属钝化层为氧化物钝化层或氮化物钝化层。本申请提供的基于低功函数合金的源漏结构、N型晶体管及其制备方法，有利于降低N型晶体管的接触电阻、提高N型晶体管的电学性能。

公开(公告)号：CN118147479A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410322563.6

申请日：2024-03-20

申请人： 太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司 ,  山西北大碳基薄膜电子研究院 ,  太原理工大学

发明人： 韩培德 ,  马洁 ,  李政 ,  张翊 ,  曹宇 ,  李枝兰 ,  白兰 ,  梁学磊

IPC分类号： C22C5/04 ,  H10K10/84 ,  H10K10/46 ,  H10K85/20 ,  C22C30/00 ,  C22C1/02 ,  C22F1/14 ,  C22F1/02

摘要： 本发明涉及一种用于源漏电极的高功函数合金及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述合金包括：原子百分比为30at.％‑45at.％的钯；原子百分比为35at.％‑65at.％的铂；以及原子百分比为5at.％‑20at.％的的微调元素，其中，所述微调元素为镍、钴、金、钌、铑、铱中的一种或多种。本申请提供的用于源漏电极的高功函数合金及其制备方法，相较单元素金属具有更高的功函数，有利于和小直径碳纳米管价带对准、降低接触势垒，并且保持了和小直径碳纳米管接触的浸润性，提升开态电流；此外，由于提供的合金具有更高的功函数，对大直径碳纳米管也展示出较现有技术方案更优异的开态电流。

公开(公告)号：CN118571788A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410624122.1

申请日：2024-05-20

申请人： 山西北大碳基薄膜电子研究院

发明人： 贺营花 ,  贺冰玉 ,  白兰 ,  曹宇 ,  梁学磊

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是一种用于沉积纳米棒、线网络薄膜的自动化设备，包括机台，在所述机台的内部设置有药液池以及清洗池，所述机台的顶部设置有气路接口；所述机台的内部还安装有移载单元，所述移载单元用于对衬底托盘进行承载及移动，所述衬底托盘上设置有用于固定晶圆的夹持结构；其中所述机台上固定有控制单元，过程中监测薄膜电阻，控制密度，制备的薄膜不仅均匀性大大提高，而且能够实现批次间连续成膜，保证薄膜批次稳定性，此外，本发明中的自动化机台是通过移载单元操作，比人为手动操作更稳定，不仅移动、旋转速度可以调节，而且成膜时间控制能够精准到秒，同时自动化操作过程中晶圆接触面少，洁净度大大提高。