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公开(公告)号：CN115428117A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202080098883.8
申请日：2020-04-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 本公开内容的某些方面提供了用于通过等离子体频谱在动态等离子体提升条件下进行过程控制和监控的技术、系统和方法。在一些情况下，在给定腔室的等离子体提升条件期间收集多轮改变的等离子体强度数据，并且求出代表该改变的等离子体强度数据的统计值。根据该数据，求出统计过程控制(SPC)轨迹。获取来自随后的等离子体提升条件的改变的等离子体强度数据，并将该数据与SPC轨迹比较，以确定何时出现异常(例如外部气体、颗粒物或其他污染物)。
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公开(公告)号：CN109791900A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780058728.1
申请日：2017-09-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 实施方式提供用于检测在处理腔室内执行的清洁工艺的清洁终点的系统、方法和设备。实施方式包括光谱仪和透镜系统，光谱仪用于测量在清洁工艺期间处理腔室中的清洁反应的随时间变化的光谱响应，透镜系统与光谱仪耦接并且被设置以经由观察口聚焦于处理腔室中的选定区域，并放大在清洁工艺期间来自选定区域的辐射强度。选定区域是基于被预测为在处理腔室(例如是在长方形腔室中的角落)中的清洁工艺期间最后的清洁反应的位置而选择的。提供数种其他方面。
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公开(公告)号：CN109642316A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780050739.5
申请日：2017-08-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/52 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本文所述的实施方式总体涉及一种基板处理腔室，并且更具体地涉及一种用于监测所述基板处理腔室的清洁处理的设备和方法。处理器从设置在基板处理腔室中的一个或多个传感器接收一个或多个温度读数。所述处理器从所述一个或多个温度读数确定每个温度读数的峰值，这指示放热膜清洁反应结束。在确定每个温度读数已经达到峰值时，所述工艺发出通知以停止所述清洁工艺。
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公开(公告)号：CN105529238A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610018038.0
申请日：2009-04-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/5096 , C23C16/4405 , C23C16/45561 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/45572
Abstract: 本发明大致包括等离子体增强化学汽相沉积处理腔室，其具有在与气源分隔位置处耦接至背板的RF功率源。通过在与RF功率分隔位置处供给气体进入处理腔室，可减少通到处理腔室的气体管中形成寄生等离子体。可在复数个位置供给气体至腔室。各个位置上，气源经过远端等离子体源以及RF扼流器或RF电阻器而供给气体至处理腔室。
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公开(公告)号：CN105679665A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610179357.X
申请日：2011-08-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/4404 , H01L21/02274 , H01L21/02299
Abstract: 本发明实施方式提供用于在设置在处理腔室中的大尺寸基板上沉积含氮材料的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：在处理腔室中处理一批基板，以在出自所述一批基板的基板上沉积含氮材料；以及在处理所述一批基板期间以预定间隔执行陈化处理，以在设置在所述处理腔室中的腔室组件的表面上沉积导电陈化层。所述腔室组件可包括气体分配板，所述气体分配板由未经阳极化处理的裸铝制成。在一个实例中，所述导电陈化层可包括非晶硅、掺杂非晶硅、掺杂硅、掺杂多晶硅、掺杂碳化硅或其他同类物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109791900B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201780058728.1
申请日：2017-09-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 实施方式提供用于检测在处理腔室内执行的清洁工艺的清洁终点的系统、方法和设备。实施方式包括光谱仪和透镜系统，光谱仪用于测量在清洁工艺期间处理腔室中的清洁反应的随时间变化的光谱响应，透镜系统与光谱仪耦接并且被设置以经由观察口聚焦于处理腔室中的选定区域，并放大在清洁工艺期间来自选定区域的辐射强度。选定区域是基于被预测为在处理腔室(例如是在长方形腔室中的角落)中的清洁工艺期间最后的清洁反应的位置而选择的。提供数种其他方面。
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公开(公告)号：CN109072435A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026121.5
申请日：2017-04-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/505
Abstract: 本文所述的实施方式大体涉及一种基板支撑组件。所述基板支撑组件包括支撑板和陶瓷层。所述支撑板具有顶表面。所述顶表面包括：基板接收区域，所述基板接收区域被配置为支撑大面积基板；和外部区域，所述外部区域位于所述基板接收区域外部。
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公开(公告)号：CN105679665B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610179357.X
申请日：2011-08-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318 , C23C16/34 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/4404 , H01L21/02274 , H01L21/02299
Abstract: 本发明实施方式提供用于在设置在处理腔室中的大尺寸基板上沉积含氮材料的方法。在个实施方式中,所述方法包括:在处理腔室中处理批基板,以在出自所述批基板的基板上沉积含氮材料;以及在处理所述批基板期间以预定间隔执行陈化处理,以在设置在所述处理腔室中的腔室组件的表面上沉积导电陈化层。所述腔室组件可包括气体分配板,所述气体分配板由未经阳极化处理的裸铝制成。在个实例中,所述导电陈化层可包括非晶硅、掺杂非晶硅、掺杂硅、掺杂多晶硅、掺杂碳化硅或其他同类物。
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公开(公告)号：CN105529238B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201610018038.0
申请日：2009-04-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/509
Abstract: 本发明大致包括等离子体增强化学汽相沉积处理腔室，其具有在与气源分隔位置处耦接至背板的RF功率源。通过在与RF功率分隔位置处供给气体进入处理腔室，可减少通到处理腔室的气体管中形成寄生等离子体。可在复数个位置供给气体至腔室。各个位置上，气源经过远端等离子体源以及RF扼流器或RF电阻器而供给气体至处理腔室。
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公开(公告)号：CN101836510B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200880113201.5
申请日：2008-10-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/34
CPC classification number: H01J37/32357 , C23C16/4404 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32834
Abstract: 本发明一般包括一腔室衬垫，所述腔室衬垫与腔室壁分隔开，以允许在抽吸工艺腔室中的气体时，可以在腔室衬垫及腔室壁之间抽吸工艺气体。当真空泵位于承座下方，工艺气体则会抽吸至承座下方，并可能导致工艺腔室部件出现不期望的沉积现象。另外，工艺气体会被抽吸通过狭缝阀开口，因而可能会沉积在狭缝阀开口中。当物质沉积在狭缝阀开口中，可能会发生剥落现象并污染基板。通过沿着侧壁(非具有狭缝阀开口的侧壁)而抽吸工艺气体，则可减少在狭缝阀开口上的不期望的沉积现象。
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