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公开(公告)号：CN106133877B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201580015595.0
申请日：2015-03-30
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/203
摘要： 一种沉积系统及操作所述沉积系统的方法，所述沉积系统包括：阴极；阴极下方的护罩；阴极下方的旋转屏蔽件，用于经由护罩及经由旋转屏蔽件的屏蔽孔暴露阴极；和旋转基座，用于产生材料以在旋转基座之上形成载体，其中所述材料具有小于材料厚度的1％的非均匀性限制，且所述阴极在阴极与载体之间具有一角度。
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公开(公告)号：CN107923033A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048305.7
申请日：2016-08-19
申请人： 应用材料公司
摘要： 在此提供用于共同溅射多个靶材的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，处理腔室包括：基板支撑件，用于支撑基板；多个阴极，耦接到载体，并具有待溅射于基板上的相应的多个靶；和处理屏蔽件，耦接到载体且并在相邻的多个靶的对之间延伸。
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公开(公告)号：CN109585252A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811152060.X
申请日：2014-12-08
申请人： 应用材料公司
发明人： 阿纳塔·K·苏比玛尼 , 阿希什·戈埃尔 , 伟·W·王 , 比哈瑞斯·斯里尼瓦桑 , 维贾伊·D·帕克赫 , 袁晓雄
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
摘要： 一种静电夹盘包括：介电盘，具有支撑基板的支撑表面以及相对的第二表面，其中至少一个夹持电极设置于所述介电盘内；射频(RF)偏压板，设置在所述介电盘下方；多个灯，设置在所述射频偏压板下方以加热所述介电盘；金属板，设置在这些灯下方以吸收由这些灯产生的热；轴杆，在所述轴杆的第一端耦接至所述介电盘的所述第二表面以支撑所述介电盘而使所述介电盘与所述射频偏压板呈间隔开的关系，且所述轴杆延伸离开所述介电盘且延伸穿过所述射频偏压板和所述金属板；以及旋转组件，耦接至所述轴杆以使所述轴杆和所述介电盘相对于所述射频偏压板、灯、以及金属板旋转。
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公开(公告)号：CN104584192B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201380044008.1
申请日：2013-08-27
申请人： 应用材料公司
发明人： 阿纳塔·K·苏比玛尼 , 约瑟夫·M·拉内什 , 袁晓雄 , 阿希什·戈埃尔 , 李靖珠
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/4585 , C23C16/46
摘要： 本文提供用于改良横越基板的温度均匀性的设备。在某些实施方式中，一种沉积环，用于使用在基板处理系统中来处理基板，该沉积环可包括：环状主体，该环状主体具有第一表面、相对第二表面、和中央开口，该中央开口通过所述第一表面与第二表面，其中该第二表面是配置成设置于基板支座之上，该基板支座具有支撑表面以支撑具有给定宽度的基板，且其中该开口的尺寸经过设计，以暴露该支撑表面的主要部分；并且其中该第一表面包括至少一个反射部，该至少一个反射部是配置来将热能反射朝向该环状主体的中心轴，其中该至少一个反射部具有表面积是该第一表面的总表面积的大约百分之五至大约百分之五十。
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公开(公告)号：CN109585252B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201811152060.X
申请日：2014-12-08
申请人： 应用材料公司
发明人： 阿纳塔·K·苏比玛尼 , 阿希什·戈埃尔 , 伟·W·王 , 比哈瑞斯·斯里尼瓦桑 , 维贾伊·D·帕克赫 , 袁晓雄
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
摘要： 一种静电夹盘包括：介电盘，具有支撑基板的支撑表面以及相对的第二表面，其中至少一个夹持电极设置于所述介电盘内；射频(RF)偏压板，设置在所述介电盘下方；多个灯，设置在所述射频偏压板下方以加热所述介电盘；金属板，设置在这些灯下方以吸收由这些灯产生的热；轴杆，在所述轴杆的第一端耦接至所述介电盘的所述第二表面以支撑所述介电盘而使所述介电盘与所述射频偏压板呈间隔开的关系，且所述轴杆延伸离开所述介电盘且延伸穿过所述射频偏压板和所述金属板；以及旋转组件，耦接至所述轴杆以使所述轴杆和所述介电盘相对于所述射频偏压板、灯、以及金属板旋转。
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公开(公告)号：CN104584192A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380044008.1
申请日：2013-08-27
申请人： 应用材料公司
发明人： 阿纳塔·K·苏比玛尼 , 约瑟夫·M·拉内什 , 袁晓雄 , 阿希什·戈埃尔 , 李靖珠
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/4585 , C23C16/46
摘要： 本文提供用于改良横越基板的温度均匀性的设备。在某些实施方式中，一种沉积环，用于使用在基板处理系统中来处理基板，该沉积环可包括：环状主体，该环状主体具有第一表面、相对第二表面、和中央开口，该中央开口通过所述第一表面与第二表面，其中该第二表面是配置成设置于基板支座之上，该基板支座具有支撑表面以支撑具有给定宽度的基板，且其中该开口的尺寸经过设计，以暴露该支撑表面的主要部分；并且其中该第一表面包括至少一个反射部，该至少一个反射部是配置来将热能反射朝向该环状主体的中心轴，其中该至少一个反射部具有表面积是该第一表面的总表面积的大约百分之五至大约百分之五十。
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公开(公告)号：CN104205295A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380017145.6
申请日：2013-03-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/324
CPC分类号： C23C16/4585 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/564 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01L21/67115 , H01L21/68735
摘要： 披露了在单一腔室中用于基板的材料处理和热处理的设备和方法。在一个实施方式中，设置有边缘环。边缘环包括环形主体，环形主体具有内周边边缘、第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一凸起构件，第一凸起构件从第二表面实质上正交地延伸出；第二凸起构件，第二凸起构件从邻近于第一凸起构件的第二表面延伸出，并通过第一凹陷与第一凸起构件分离；和第三凸起构件，第三凸起构件从邻近于第二凸起构件的第二表面延伸出，并通过第二凹陷分离，第二凹陷包括倾斜表面，倾斜表面具有与第一表面的反射率值不同的反射率值。
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公开(公告)号：CN107923033B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201680048305.7
申请日：2016-08-19
申请人： 应用材料公司
摘要： 在此提供用于共同溅射多个靶材的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，处理腔室包括：基板支撑件，用于支撑基板；多个阴极，耦接到载体，并具有待溅射于基板上的相应的多个靶；和处理屏蔽件，耦接到载体且并在相邻的多个靶的对之间延伸。
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公开(公告)号：CN105874585B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201480067593.1
申请日：2014-12-08
申请人： 应用材料公司
发明人： 阿纳塔·K·苏比玛尼 , 阿希什·戈埃尔 , 伟·W·王 , 比哈瑞斯·斯里尼瓦桑 , 维贾伊·D·帕克赫 , 袁晓雄
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00 , B23Q3/15
摘要： 一种静电夹盘包括：介电盘，具有支撑基板的支撑表面以及相对的第二表面，其中至少一个夹持电极设置于所述介电盘内；射频(RF)偏压板，设置在所述介电盘下方；多个灯，设置在所述射频偏压板下方以加热所述介电盘；金属板，设置在这些灯下方以吸收由这些灯产生的热；轴杆，在所述轴杆的第一端耦接至所述介电盘的所述第二表面以支撑所述介电盘而使所述介电盘与所述射频偏压板呈间隔开的关系，且所述轴杆延伸离开所述介电盘且延伸穿过所述射频偏压板和所述金属板；以及旋转组件，耦接至所述轴杆以使所述轴杆和所述介电盘相对于所述射频偏压板、灯、以及金属板旋转。
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公开(公告)号：CN104246984B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201380021867.9
申请日：2013-03-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C14/541
摘要： 在一个实施例中，设置一种用于沉积腔室的接装板。所述接装板包含：主体；安装板，所述安装板中心地定位于所述主体上；第一环形部，所述第一环形部从所述安装板的第一表面纵向地延伸且从所述安装板的外表面径向向内设置；第二环形部，所述第二环形部从所述安装板的相对的第二表面纵向地延伸且从所述安装板的所述外表面径向向内设置；及镜面加工表面，所述镜面加工表面设置于所述第二环形部的内部，所述镜面加工表面具有6Ra或更小的平均表面粗糙度。
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