公开(公告)号：CN104737274A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380050065.0

申请日：2013-10-23

申请人： 应用材料公司

发明人： N·拉贾戈帕兰 ,  X·韩 ,  M·齐昂 ,  M·奥加塔 ,  Z·蒋 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  J·周 ,  R·萨卡拉克利施纳 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  A·班塞尔 ,  J·李 ,  T·伊根 ,  E·布迪亚托 ,  D·帕纳修克 ,  T·Y·李 ,  J·陈 ,  M·阿优伯 ,  H·L·朴 ,  P·赖利 ,  S·沙克 ,  金秉宪 ,  S·斯塔里克

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5096 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0683 ,  G01N21/55 ,  G01N21/658 ,  G01N2201/1222 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/687

摘要： 兹描述根据PECVD工艺来处理基板的设备和方法。调整基板的温度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面，以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形成。原位量测技术可用于监测沉积工艺的进行，及触发涉及基板温度分布、等离子体密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。