公开(公告)号：CN104737274A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380050065.0

申请日：2013-10-23

申请人： 应用材料公司

发明人： N·拉贾戈帕兰 ,  X·韩 ,  M·齐昂 ,  M·奥加塔 ,  Z·蒋 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  J·周 ,  R·萨卡拉克利施纳 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  A·班塞尔 ,  J·李 ,  T·伊根 ,  E·布迪亚托 ,  D·帕纳修克 ,  T·Y·李 ,  J·陈 ,  M·阿优伯 ,  H·L·朴 ,  P·赖利 ,  S·沙克 ,  金秉宪 ,  S·斯塔里克

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5096 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0683 ,  G01N21/55 ,  G01N21/658 ,  G01N2201/1222 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/687

摘要： 兹描述根据PECVD工艺来处理基板的设备和方法。调整基板的温度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面，以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形成。原位量测技术可用于监测沉积工艺的进行，及触发涉及基板温度分布、等离子体密度分布、压力、温度与反应物流量的控制动作。

公开(公告)号：CN103098558A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043322.9

申请日：2011-08-22

申请人： 应用材料公司

发明人： J·陈 ,  M·阿优伯

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/50

CPC分类号： H01J37/32183 ,  H01J37/32935

摘要： 本发明提供一种在等离子体处理期间藉由直接监视等离子体处理腔室的射频（RF）功率电极上的直流(DC)偏置电压以检测诸如电弧、微电弧或其它等离子体不稳定性的等离子体偏移的系统及方法。受监视的直流偏置电压随后通过连续多个模拟滤波器与放大器以提供等离子体偏移信号。该等离子体偏移信号与预设值比较，并且在该等离子体偏移信号超过该预设值的点处产生警报信号。该警报信号随后反馈至系统控制器中，使得操作者可收到警告和/或可使该处理系统停机。在某些实施例中，可藉由单一检测控制单元监视多个处理区域。