公开(公告)号：CN119864270A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202510085107.9

申请日：2019-12-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈天发 ,  S·辛格 ,  L·卡琳塔 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基 ,  L·罗 ,  T·W·金

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 示例性半导体处理腔室喷头可包括介电板，其特征在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。介电板可界定穿过介电板的多个孔。介电板可在介电板的第一表面中界定第一环形通道，且第一环形通道可围绕多个孔延伸。介电板可在介电板的第一表面中界定第二环形通道。第二环形通道可以从第一环形通道径向向外形成。喷头还可包括嵌入在介电板内并围绕多个孔延伸而不会被孔暴露的导电材料。导电材料可在第二环形通道处暴露。

公开(公告)号：CN113614900A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201980088573.5

申请日：2019-12-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈天发 ,  S·辛格 ,  L·卡琳塔 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基 ,  L·罗 ,  T·W·金

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 示例性半导体处理腔室喷头可包括介电板，其特征在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。介电板可界定穿过介电板的多个孔。介电板可在介电板的第一表面中界定第一环形通道，且第一环形通道可围绕多个孔延伸。介电板可在介电板的第一表面中界定第二环形通道。第二环形通道可以从第一环形通道径向向外形成。喷头还可包括嵌入在介电板内并围绕多个孔延伸而不会被孔暴露的导电材料。导电材料可在第二环形通道处暴露。

公开(公告)号：CN113614900B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN201980088573.5

申请日：2019-12-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈天发 ,  S·辛格 ,  L·卡琳塔 ,  S·朴 ,  D·卢博米尔斯基 ,  L·罗 ,  T·W·金

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 示例性半导体处理腔室喷头可包括介电板，其特征在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。介电板可界定穿过介电板的多个孔。介电板可在介电板的第一表面中界定第一环形通道，且第一环形通道可围绕多个孔延伸。介电板可在介电板的第一表面中界定第二环形通道。第二环形通道可以从第一环形通道径向向外形成。喷头还可包括嵌入在介电板内并围绕多个孔延伸而不会被孔暴露的导电材料。导电材料可在第二环形通道处暴露。

公开(公告)号：CN103026464A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180018408.6

申请日：2011-03-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·Q·华 ,  L·罗 ,  M·A·埃尔南德斯 ,  Z·曹 ,  K·萨普瑞 ,  A·巴特纳格尔

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02362

Abstract: 本发明关于一种用于在基板上形成金属前介电(PMD)层或金属间介电(IMD)层的方法，所述方法包括下列步骤：将基板置放于化学气相沉积(CVD)处理腔室中，并在所述化学气相沉积处理腔室中，于基板上形成第一氧化物层。使用热CVD处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成第一氧化物层。所述方法亦包括下列步骤：在CVD腔室中，于第一氧化物层上形成第二氧化物层。使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理在约450℃或更低的温度及次大气压下形成第二氧化物层。在形成第一氧化物层及第二氧化物层期间，基板仍保持于CVD处理腔室中。