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公开(公告)号：CN106165069B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201580016760.4
申请日：2015-03-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
Abstract: 用于在铝部件上生成紧密的氧化铝钝化层的工艺包括以下步骤：在去离子水中冲洗部件达至少1分钟；干燥此部件达至少1分钟；以及在低于10℃的温度下，将此部件暴露于浓硝酸达1至30分钟。所述工艺也包括以下步骤：在去离子水中冲洗部件达至少1分钟；干燥此部件达至少1分钟；以及将此部件暴露于NH4OH达1秒至1分钟。所述工艺进一步包括以下步骤：在去离子水中冲洗部件达至少1分钟；以及干燥此部件达至少1分钟。用于等离子体处理系统的部件包括铝部件，所述铝部件涂覆有AlxOy膜，所述AlxOy膜具有4纳米至8纳米的厚度，并且所述AlxOy膜的表面粗糙度比不具有所述AlxOy薄膜的部件的表面粗糙度增加少于0.05微米。
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公开(公告)号：CN113169114B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201980080531.7
申请日：2019-12-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 基板支撑组件包括接地屏蔽件和被接地屏蔽件围绕的加热器。接地屏蔽件包括板。在一个实施例中，接地屏蔽件由陶瓷主体构成，并且包括导电层、在板的上表面上的第一保护层。在另一个实施例中，接地屏蔽件由导电主体和板的上表面上的第一保护层构成。
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公开(公告)号：CN113169114A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980080531.7
申请日：2019-12-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L23/373
Abstract: 基板支撑组件包括接地屏蔽件和被接地屏蔽件围绕的加热器。接地屏蔽件包括板。在一个实施例中，接地屏蔽件由陶瓷主体构成，并且包括导电层、在板的上表面上的第一保护层。在另一个实施例中，接地屏蔽件由导电主体和板的上表面上的第一保护层构成。
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公开(公告)号：CN106165069A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580016760.4
申请日：2015-03-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: C23C22/66 , C23C14/22 , C23C16/45525 , C23C16/45527 , C23C16/50 , C23C22/56 , C23F1/16 , C23F1/20 , C23F1/32 , C23F1/36 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/3255 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/67306 , Y10T428/24322 , Y10T428/24355
Abstract: 用于在铝部件上生成紧密的氧化铝钝化层的工艺包括以下步骤：在去离子水中冲洗部件达至少1分钟；干燥此部件达至少1分钟；以及在低于10℃的温度下，将此部件暴露于浓硝酸达1至30分钟。所述工艺也包括以下步骤：在去离子水中冲洗部件达至少1分钟；干燥此部件达至少1分钟；以及将此部件暴露于NH4OH达1秒至1分钟。所述工艺进一步包括以下步骤：在去离子水中冲洗部件达至少1分钟；以及干燥此部件达至少1分钟。用于等离子体处理系统的部件包括铝部件，所述铝部件涂覆有AlxOy膜，所述AlxOy膜具有4纳米至8纳米的厚度，并且所述AlxOy膜的表面粗糙度比不具有所述AlxOy薄膜的部件的表面粗糙度增加少于0.05微米。
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公开(公告)号：CN113614900B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN201980088573.5
申请日：2019-12-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 示例性半导体处理腔室喷头可包括介电板，其特征在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。介电板可界定穿过介电板的多个孔。介电板可在介电板的第一表面中界定第一环形通道，且第一环形通道可围绕多个孔延伸。介电板可在介电板的第一表面中界定第二环形通道。第二环形通道可以从第一环形通道径向向外形成。喷头还可包括嵌入在介电板内并围绕多个孔延伸而不会被孔暴露的导电材料。导电材料可在第二环形通道处暴露。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117795658A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280054252.5
申请日：2022-10-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： L·卡琳塔 , J·F·贝恩克 , D·D·斯里坎塔伊亚 , S·T·恩古耶
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括喷头。腔室可包括基板支撑件。基板支撑件可包括压板，所述压板由面向喷头的第一表面表征。基板支撑件可包括轴，所述轴沿着压板的与压板的第一表面相对的第二表面与压板耦接。轴可至少部分地延伸穿过腔室主体。涂层可围绕压板的第一表面共形地延伸。涂层可包括接近压板第一表面的第一硅层，并且可包括上覆于第一硅层的第二材料层。
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公开(公告)号：CN119864270A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510085107.9
申请日：2019-12-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 示例性半导体处理腔室喷头可包括介电板，其特征在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。介电板可界定穿过介电板的多个孔。介电板可在介电板的第一表面中界定第一环形通道，且第一环形通道可围绕多个孔延伸。介电板可在介电板的第一表面中界定第二环形通道。第二环形通道可以从第一环形通道径向向外形成。喷头还可包括嵌入在介电板内并围绕多个孔延伸而不会被孔暴露的导电材料。导电材料可在第二环形通道处暴露。
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公开(公告)号：CN114503246A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080070212.0
申请日：2020-09-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 示例性半导体处理系统可包含被配置为支撑半导体基板的基座。基座可以作为第一等离子体产生电极操作。系统可包含限定径向容积的盖板。系统可包含用盖板支撑的面板。面板可以作为第二等离子体产生电极操作。等离子体处理区域可以在由面板限定的径向容积内被限定在基座与面板之间。面板可限定多个第一孔。系统可包含定位在面板与基座之间的喷头。喷头可限定多个第二孔，所述多个第二孔包含比多个第一孔更多数量的孔。
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公开(公告)号：CN113614900A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201980088573.5
申请日：2019-12-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 示例性半导体处理腔室喷头可包括介电板，其特征在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。介电板可界定穿过介电板的多个孔。介电板可在介电板的第一表面中界定第一环形通道，且第一环形通道可围绕多个孔延伸。介电板可在介电板的第一表面中界定第二环形通道。第二环形通道可以从第一环形通道径向向外形成。喷头还可包括嵌入在介电板内并围绕多个孔延伸而不会被孔暴露的导电材料。导电材料可在第二环形通道处暴露。
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