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公开(公告)号：CN111511503B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201980006652.7
申请日：2019-06-13
申请人： 应用材料公司
摘要： 一种化学机械研磨的方法包含以下步骤：使得具有设置在半导体晶片上的导电层的基板与研磨垫接触；产生基板与研磨垫之间的相对运动；当导电层被研磨时，利用原位电磁感应监控系统来监控基板以产生取决于导电层的厚度的一序列信号值；基于一序列信号值来确定导电层的一序列厚度值；及至少部分地补偿半导体晶片的导电性对该信号值的贡献。
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公开(公告)号：CN109500726A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811613591.4
申请日：2006-08-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/20 , B24B37/34
摘要： 本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。
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公开(公告)号：CN104813449A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380060373.1
申请日：2013-11-12
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/005 , B24B37/013 , B24B37/04 , B24B37/345
摘要： 本发明提供一种研磨设备，该研磨设备包括：在平台上得以支撑的数个站，该等数个站包括至少两个研磨站及一传送站，每一研磨站包括一平台以支撑研磨垫；数个承载头，该等承载头自轨道悬置及可沿轨道移动，使得每一研磨站可选择性地定位在该等站处；及控制器，该控制器经配置以控制承载头沿轨道的运动，使得在每一研磨站处的研磨期间仅有单个承载头定位在研磨站中。
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公开(公告)号：CN102017094B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200980116558.3
申请日：2009-04-29
申请人： 应用材料公司
发明人： J·钱 , S·瀚达帕尼 , H·Q·李 , T·H·奥斯特赫尔德 , Z·朱
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12
摘要： 一种计算机实施的方法包括：用实地光学监测系统获得至少一个当前光谱，将所述当前光谱与多个不同的参考光谱进行比较，以及基于所述比较来确定对于具有经受抛光的最外层的基板来说是否已到达抛光终点。所述当前光谱是从基板反射的光的光谱，所述基板具有经受抛光的最外层和至少一个下面层。所述多个参考光谱代表从基板反射的光的光谱，所述基板具有厚度相同的最外层和厚度不同的下面层。
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公开(公告)号：CN101391397B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200810175050.8
申请日：2006-08-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304 , B24B55/00 , B08B5/02
CPC分类号： H01L22/26 , B24B37/013 , B24B37/205 , B24B49/08 , B24B49/12 , B24D7/14 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/67075 , H01L21/67092 , H01L21/67253
摘要： 本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷头和真空源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。
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公开(公告)号：CN117325073A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311304395.X
申请日：2018-04-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/34 , H01L21/304 , G06N3/045 , G06N3/0499 , G06N3/048 , G06N3/084
摘要： 一种在抛光站抛光基板上的层的方法，包含以下动作：于在抛光站抛光期间利用原位监测系统监测所述层，以针对所述层上的多个不同位置产生多个所测得信号；针对多个不同位置中的每一位置，产生所述位置的对厚度的估算测量结果，产生步骤包含通过神经网络处理多个所测得信号；以及以下步骤中的至少一者：基于每一个对厚度的估算测量结果检测抛光终点或修改抛光参数。
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公开(公告)号：CN110537249B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880026059.4
申请日：2018-04-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/66 , H01L21/3105 , H01L21/321
摘要： 一种在抛光站抛光基板上的层的方法，包含以下动作：于在抛光站抛光期间利用原位监测系统监测所述层，以针对所述层上的多个不同位置产生多个所测得信号；针对多个不同位置中的每一位置，产生所述位置的对厚度的估算测量结果，产生步骤包含通过神经网络处理多个所测得信号；以及以下步骤中的至少一者：基于每一个对厚度的估算测量结果检测抛光终点或修改抛光参数。
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公开(公告)号：CN106272030B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201610901100.0
申请日：2006-08-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/20 , B24B37/34 , G06F19/00
摘要： 本申请公开了基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法。本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点逻辑判定出终点时，即是达到目标厚度。该研磨终点可利用一差异图形或一系列指针值来判定。该冲洗系统在该光学头上表面产生层流。该真空喷孔和真空来源是经配置以使该气流为层流型态。该窗口包含一软质塑料部分及一结晶或玻璃类部分。光谱基底研磨速率调整包含取得基材上不同区域的光谱。
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公开(公告)号：CN105745743A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480063533.2
申请日：2014-11-12
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/304
摘要： 一种控制抛光的方法，所述方法包括以下步骤：以第一抛光速率抛光基板的区；在抛光期间，用原位监测系统测量基板的区的序列特征值；对于抛光终点时刻之前的多个调整时刻中的每一个调整时刻，确定抛光速率调整；以及调整抛光参数，以便以第二抛光速率抛光基板。所述时段比多个调整时刻之间的时段长，并且预估时刻在所述抛光终点时刻之前。第二抛光速率是通过抛光速率调整所调整的第一抛光速率。
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公开(公告)号：CN103537975A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310496357.9
申请日：2009-04-29
申请人： 应用材料公司
发明人： J·钱 , S·瀚达帕尼 , H·Q·李 , T·H·奥斯特赫尔德 , Z·朱
IPC分类号： B24B37/013 , B24B49/02 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/02 , H01L21/304
摘要： 一种计算机实施的方法包括：用实地光学监测系统获得至少一个当前光谱，将所述当前光谱与多个不同的参考光谱进行比较，和基于所述比较来确定对于具有经受抛光的最外层的基板来说是否已到达抛光终点。所述当前光谱是从基板反射的光的光谱，所述基板具有经受抛光的最外层和至少一个下面层。所述多个参考光谱代表从基板反射的光的光谱，所述基板具有厚度相同的最外层和厚度不同的下面层。
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