公开(公告)号：CN113169046B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201980077053.4

申请日：2019-12-05

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 凯文·安葛林 ,  赛门·罗芙尔

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L21/768

Abstract: 一种对衬底进行图案化的方法及设备。所述方法可包括在设置在衬底上的层中提供腔，腔沿着第一方向具有第一长度且沿着与第一方向垂直的第二方向具有第一宽度，并且其中层沿着与第一方向及第二方向垂直的第三方向具有第一高度。所述方法可包括：在第一沉积程序中在腔之上沉积牺牲层；以及在第一次曝光中将斜角离子引导到腔，其中腔被刻蚀，并且其中在第一次曝光之后，腔沿着第一方向具有大于第一长度的第二长度，且其中腔沿着第二方向具有不大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN113169046A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077053.4

申请日：2019-12-05

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 凯文·安葛林 ,  赛门·罗芙尔

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L21/768

Abstract: 一种对衬底进行图案化的方法。所述方法可包括在设置在衬底上的层中提供腔，腔沿着第一方向具有第一长度且沿着与第一方向垂直的第二方向具有第一宽度，并且其中层沿着与第一方向及第二方向垂直的第三方向具有第一高度。所述方法可包括：在第一沉积程序中在腔之上沉积牺牲层；以及在第一次曝光中将斜角离子引导到腔，其中腔被刻蚀，并且其中在第一次曝光之后，腔沿着第一方向具有大于第一长度的第二长度，且其中腔沿着第二方向具有不大于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN118315265A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410468470.4

申请日：2019-12-05

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 凯文·安葛林 ,  赛门·罗芙尔

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/67 ,  H01J37/147 ,  H01L21/3065 ,  B05D1/00 ,  H01L21/687 ,  H01L21/265 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 一种对衬底进行图案化的设备。所述设备包括至少一个等离子体腔室以及控制器。至少一个等离子体腔室包括抽取板，抽取板具有抽取开孔，其中抽取开孔被布置成：将斜角反应性离子束以相对于衬底平面的法线的非零入射角引导至衬底；以及将沉积物质引导至衬底上以在衬底上沉积聚合物层。控制器耦合到至少一个等离子体腔室，且被布置成使衬底在多个刻蚀循环内循环，其中给定的蚀刻循环包括由沉积物质沉积聚合物层以及使用斜角反应性离子束蚀刻衬底。