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公开(公告)号：CN109801836A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910045917.6
申请日：2014-02-12
申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
摘要： 本发明涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法，和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特殊的最终表面处理，其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触，以及马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底。根据本发明提供的砷化镓衬底显示出迄今未获得的表面性质，尤其是所述表面性质之均匀性，其可借助光学表面分析仪检测，尤其是借助椭圆偏振侧向衬底映射用于光学不接触定量表征。
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公开(公告)号：CN107634000A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710885350.4
申请日：2014-02-12
申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
CPC分类号： H01L21/02054 , G01N21/211 , G01N2021/178 , H01L21/02046 , H01L21/02052 , H01L21/02395 , H01L29/20 , Y10T428/24355
摘要： 本发明涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法，和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特殊的最终表面处理，其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触，以及马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底。根据本发明提供的砷化镓衬底显示出迄今未获得的表面性质，尤其是所述表面性质之均匀性，其可借助光学表面分析仪检测，尤其是借助椭圆偏振侧向衬底映射用于光学不接触定量表征。
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公开(公告)号：CN104969328A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480004737.9
申请日：2014-02-12
申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
摘要： 本发明涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法，和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特殊的最终表面处理，其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触，以及马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底。根据本发明提供的砷化镓衬底显示出迄今未获得的表面性质，尤其是所述表面性质之均匀性，其可借助光学表面分析仪检测，尤其是借助椭圆偏振侧向衬底映射用于光学不接触定量表征。
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公开(公告)号：CN102089467B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN200980126246.0
申请日：2009-06-30
申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
摘要： 本申请公开了一种通过熔融砷化镓起始材料并随后使砷化镓熔体凝固来制备掺杂型砷化镓单晶的方法，其中该砷化镓熔体含有相对于化学计量组成过量的镓，且其中在该熔体中或者在所获得的晶体中提供至少5x1017cm-3的硼浓度。可由此获得的晶体的特征在于，低位错密度、高传导性且仍然优异的极低光学吸收率(特别是在近红外范围内)的独特组合。
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公开(公告)号：CN103361713A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310248053.0
申请日：2008-06-04
申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
CPC分类号： H01L29/36 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/007 , C30B29/42 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092 , Y10T428/12
摘要： 本发明涉及一种晶体，包括半导体材料砷化镓，所述晶体具有位错密度的一种分布并且代表位错密度的腐蚀坑密度的全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的腐蚀坑密度的平均值的17.6%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度5mm；并且所述晶体具有电阻率的一种分布并且全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的电阻率的平均值的5.3%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度10mm。
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公开(公告)号：CN1988109B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200610162841.8
申请日：2006-11-24
申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
CPC分类号： C30B25/02 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02634
摘要： 一种生产自支撑III-N层的方法，其中III表示至少一种元素周期表第III族的元素，选自Al、Ga和In，该方法包括：在Li(Al，Ga)Ox基底上通过分子束外延沉积至少一层第一III-N层，其中1≤x≤3。通过氢化物气相外延在第一III-N层上沉积厚的第二III-N层。在以这种方式生产的结构的冷却过程中，Li(Al，Ga)Ox基底完全或大部分从III-N层上剥落，或如果需要可以通过使用刻蚀液如王水除去残留物。提供了基本不含无控杂质且具有有利性质的自支撑III-N基底。
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公开(公告)号：CN115101401A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210773543.1
申请日：2014-02-12
申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
摘要： 本发明涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法，和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特殊的最终表面处理，其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触，以及马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底。根据本发明提供的砷化镓衬底显示出迄今未获得的表面性质，尤其是所述表面性质之均匀性，其可借助光学表面分析仪检测，尤其是借助椭圆偏振侧向衬底映射用于光学不接触定量表征。
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公开(公告)号：CN101443488A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200780016871.0
申请日：2007-05-04
申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
CPC分类号： C30B25/16 , C30B25/00 , C30B29/40 , C30B29/403 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 本发明描述一种制备Ⅲ－N体晶的方法，其中，Ⅲ代表选自元素周期表Ⅲ族中的至少一种元素，选自Al，Ga和In，其中，Ⅲ－N体晶通过气相外延在衬底上生长，并且其中生长速率是即时测量的。通过原位，即在外延生长过程中，主动测量和控制生长速率，可以将实际生长速率保持在基本恒定。由此，可以获得在生长方向上以及在与生长方向垂直的生长平面内分别具有优异晶体质量的Ⅲ－N体晶以及从上面分离的单个的Ⅲ－N单晶衬底。
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公开(公告)号：CN107634000B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201710885350.4
申请日：2014-02-12
申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
摘要： 本发明涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法，和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特殊的最终表面处理，其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触，以及马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底。根据本发明提供的砷化镓衬底显示出迄今未获得的表面性质，尤其是所述表面性质之均匀性，其可借助光学表面分析仪检测，尤其是借助椭圆偏振侧向衬底映射用于光学不接触定量表征。
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公开(公告)号：CN104969328B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201480004737.9
申请日：2014-02-12
申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司
摘要： 本发明涉及用于制备经表面处理的砷化镓衬底的新方法，和新提供的砷化镓衬底及其用途。根据本发明的方法的改进基于特殊的最终表面处理，其中使砷化镓衬底的至少一个表面在干燥条件下借助UV辐照和/或臭氧气体进行氧化处理，使砷化镓衬底的至少一个表面与至少一种液体介质接触，以及马兰葛尼式干燥所述砷化镓衬底。根据本发明提供的砷化镓衬底显示出迄今未获得的表面性质，尤其是所述表面性质之均匀性，其可借助光学表面分析仪检测，尤其是借助椭圆偏振侧向衬底映射用于光学不接触定量表征。
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