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公开(公告)号：CN1823418A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020262.9
申请日：2004-05-13
申请人： 微米技术有限公司
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C2213/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及存储技术和对存储器阵列体系结构的新变化以便包括交叉点和1T－1Cell体系结构的某些优点。通过组合这些设计的某些特征，利用了1T－1Cell体系结构的快速读取时间和高信噪比以及交叉点体系结构的高封装密度的优点。单个访问晶体管16用来读取多个存储单元，其可以在“Z”轴方向上布置的多个存储器阵列层中彼此垂直地向上堆叠。
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公开(公告)号：CN100511696C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200480020262.9
申请日：2004-05-13
申请人： 微米技术有限公司
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C2213/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及存储技术和对存储器阵列体系结构的新变化以便包括交叉点和1T-1Cell体系结构的某些优点。通过组合这些设计的某些特征，利用了1T-1Cell体系结构的快速读取时间和高信噪比以及交叉点体系结构的高封装密度的优点。单个访问晶体管16用来读取多个存储单元，其可以在“Z”轴方向上布置的多个存储器阵列层中彼此垂直地向上堆叠。
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公开(公告)号：CN101393888B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200810130131.6
申请日：2004-05-13
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/8247 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/02 , H01L27/22 , H01L27/24 , H01L27/115 , H01L27/12 , H01L23/522 , G11C7/06 , G11C11/16 , G11C11/22 , G11C11/56 , G11C11/00 , G11C16/02
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C2213/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及存储技术和对存储器阵列体系结构的新变化以便包括交叉点和1T-1Ce11体系结构的某些优点。通过组合这些设计的某些特征，利用了1T-1Ce11体系结构的快速读取时间和高信噪比以及交叉点体系结构的高封装密度的优点。单个访问晶体管16用来读取多个存储单元，其可以在“Z”轴方向上布置的多个存储器阵列层中彼此垂直地向上堆叠。
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公开(公告)号：CN101393888A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810130131.6
申请日：2004-05-13
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/8247 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/02 , H01L27/22 , H01L27/24 , H01L27/115 , H01L27/12 , H01L23/522 , G11C7/06 , G11C11/16 , G11C11/22 , G11C11/56 , G11C11/00 , G11C16/02
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C2213/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及存储技术和对存储器阵列体系结构的新变化以便包括交叉点和1T－1Cell体系结构的某些优点。通过组合这些设计的某些特征，利用了1T－1Cell体系结构的快速读取时间和高信噪比以及交叉点体系结构的高封装密度的优点。单个访问晶体管16用来读取多个存储单元，其可以在“Z”轴方向上布置的多个存储器阵列层中彼此垂直地向上堆叠。
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