一种电路板的高精度碳油阻值制作方法

    公开(公告)号:CN114245601A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202111453092.5

    申请日:2021-12-01

    IPC分类号: H05K3/12 H05K3/22 H05K3/00

    摘要: 本发明公开了一种电路板的高精度碳油阻值制作方法,包括有以下步骤一:碳油电阻和图形设计;步骤二,图形转移及蚀刻;步骤三:钻通对位孔;步骤四:印刷碳油;步骤五:碳油固化;步骤六:测量碳油电阻值;步骤七:测量碳油厚度;步骤八:测量碳油宽度;步骤九:计算碳油方阻;步骤十:补偿实际碳油印刷宽度与理论宽度之间的差值,通过电路板碳油阻值制作方法,解决了碳油阻值以碳油方阻理论值去设计导致碳油阻值准确率低的问题,实现了有效减少碳油阻值出现偏差,有效提高碳油阻值的精准度。

    一种具有芯板结构的奇数层积层电路板的制作方法

    公开(公告)号:CN116507047B

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202310753182.9

    申请日:2023-06-26

    IPC分类号: H05K3/46 H05K3/00 H05K3/42

    摘要: 本发明公开了具有芯板结构的奇数层积层电路板的制作方法,包括芯板埋孔及线路制作;在芯板上下两侧积层压合PP和铜箔,并完成该层的线路制作;重复S2,上下两侧积层压合PP和铜箔,直至积层完成后层数达到(N‑1)层,N为奇数;在顶面积层或底面积层增加铜箔保护层;分别在铜箔保护层上和非铜箔保护层的积层的一面镀铜;在非铜箔保护层的积层进行线路制作;去除铜箔保护层;将第N层积层压合在非铜箔保护层的一面;通过增加保护铜箔,可以实现外层孔金属化、镀铜及线路同时加工,且两层铜厚一致;可以避免外层铜箔在制作过程中擦花等风险,进而保证产品品质;同时可以省去铜层减薄步骤;使外层激光钻孔时,孔型及孔径符合要求。

    一种具有CORE结构的奇数层积层电路板的制作方法

    公开(公告)号:CN116507047A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310753182.9

    申请日:2023-06-26

    IPC分类号: H05K3/46 H05K3/00 H05K3/42

    摘要: 本发明公开了具有CORE结构的奇数层积层电路板的制作方法,包括芯板埋孔及线路制作;在芯板上下两侧积层压合PP和铜箔,并完成该层的线路制作;重复S2,上下两侧积层压合PP和铜箔,直至积层完成后层数达到(N‑1)层,N为奇数;在顶面积层或底面积层增加铜箔保护层;分别在铜箔保护层上和非铜箔保护层的积层的一面镀铜;在非铜箔保护层的积层进行线路制作;去除铜箔保护层;将第N层积层压合在非铜箔保护层的一面;通过增加保护铜箔,可以实现外层孔金属化、镀铜及线路同时加工,且两层铜厚一致;可以避免外层铜箔在制作过程中擦花等风险,进而保证产品品质;同时可以省去铜层减薄步骤;使外层激光钻孔时,孔型及孔径符合要求。

    一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法

    公开(公告)号:CN114488704B

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202111532272.2

    申请日:2021-12-15

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本发明公开了一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法,包括线路图形设计;拼接重叠区域设定;拼接图形设计;线路图形曝光显影;拼接图形曝光显影;重合线条判断;DMD偏移位置判断;DMD位置补偿;上述检测与修正方法,将基准图形和偏移图形分别利用基准DMD和非基准DMD在透明片上的拼接重叠区域内进行曝光,判断非基准DMD曝光的偏移图形与基准DMD曝光的基准图形的重合线条,根据重合线条判断非基准DMD与基准DMD的位置是否有偏移,有偏移则根据线条预设间距值调整非基准DMD的位置,可节省测量时间,提高了检测效率,同时避免受测量仪器的误差影响,以及图形拼接误差测量不精准带来的干扰。

    一种电路板失效分析方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117783824A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311833357.3

    申请日:2023-12-28

    IPC分类号: G01R31/28 G01N21/956 G01N1/28

    摘要: 本申请是关于一种电路板失效分析方法,包括:S1、获取电路板的电性能失效信息;S2、去除所述电路板当前的最外层,得到当前裸露线层;S3、获取所述当前裸露线层的电路图像信息;S4、根据所述电路图像信息进行失效点位检测,确定当前裸露线层的失效点位信息;S5、判断当前所收集到的所有失效点位信息与所述电性能失效信息是否匹配,若匹配,则失效点的位置分析流程结束;若不匹配,则重复执行步骤S2至S5。本申请提供的方案采用逐层去除,逐层分析的方式确定失效位置,能够提升电路板失效分析的准确度和效率。

    孔位精度的测量治具及制作方法、检测及校正补偿方法

    公开(公告)号:CN117906496A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202311833965.4

    申请日:2023-12-28

    IPC分类号: G01B11/00

    摘要: 本发明公开了孔位精度的测量治具及制作方法、检测及校正补偿方法,包括治具本体,治具本体为具备感光变色特性的透明件或半透明件,治具本体设有用于确定坐标系的定位盘;治具本体设有图标单元,图标单元由若干图标组合排列组合而成,图标组合包括基准图标,基准图标中心与待检测激光钻孔中心孔中心对齐,基准图标周边设有环形分布的偏移图标,偏移图标与待检测激光钻孔环形孔数量对应,图标组合的基准图标与待检测的激光钻孔中心孔对齐后,图标组合的偏移图标与待检测激光钻孔的环形孔之间存在位置偏移,治具本体的偏移图标的偏移方向和偏移值不完全相同,根据微孔偏移值及偏移方向对激光钻机的孔位精度进行调整,使激光钻机的孔位精度更高。

    一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法

    公开(公告)号:CN114488704A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202111532272.2

    申请日:2021-12-15

    IPC分类号: G03F7/20

    摘要: 本发明公开了一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法,包括线路图形设计;拼接重叠区域设定;拼接图形设计;线路图形曝光显影;拼接图形曝光显影;重合线条判断;DMD偏移位置判断;DMD位置补偿;上述检测与修正方法,将基准图形和偏移图形分别利用基准DMD和非基准DMD在透明片上的拼接重叠区域内进行曝光,判断非基准DMD曝光的偏移图形与基准DMD曝光的基准图形的重合线条,根据重合线条判断非基准DMD与基准DMD的位置是否有偏移,有偏移则根据线条预设间距值调整非基准DMD的位置,可节省测量时间,提高了检测效率,同时避免受测量仪器的误差影响,以及图形拼接误差测量不精准带来的干扰。