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公开(公告)号：CN119534989A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411483394.0
申请日：2024-10-23
Applicant: 成都汉芯国科集成技术有限公司
IPC: G01R21/133 , G01R15/00 , G01R1/20 , G01R1/02
Abstract: 本发明公开了一种功率测量电路，属于功率电路测量领域，包括，衰减器、ADC采样转换器、功率检测器以及功率显示器件，衰减器和ADC采样转换器相连接，当信号输入所述功率测量电路后，衰减器用于对输入信号进行衰减，使得输入信号在衰减后达到一个适合ADC采样的范围；ADC采样转换器和功率检测器相连接，将经过衰减的模拟信号转换为数字信号，将数字信号通过SPI接口传输到功率检测器中；功率检测器由MCU及其基础电路组成，接收数字信号并检测其功率，并将检测得到的功率值上报至功率显示器件显示；功率显示器件和功率检测器相连接，接收功率检测器上报的功率值并显示。本发明设置多个衰减单元实现对输入信号多级衰减，动态调整信号功率方便后续的测量。
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公开(公告)号：CN119481683A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411700110.9
申请日：2024-11-26
Applicant: 成都汉芯国科集成技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于RF收集的双频微带天线，属于通信天线的技术领域。一种用于RF收集的双频微带天线，包括：介质基板、辐射贴片。介质基板具有相对的第一表面和第二表面；辐射贴片，具有多个凸部，多个所述凸部之间形成有凹陷部。用于解决的现有技术中的微带天线应用在短距离通讯上，需要实现进一步缩小尺寸、扩展带宽、提高增益的技术问题。
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公开(公告)号：CN116953487A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311196528.6
申请日：2023-09-18
Applicant: 成都汉芯国科集成技术有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域，特别涉及一种封装成品缺陷批量测试工装及其测试方法。包括外壳体，所述外壳体顶部中心处设有上压单元，所述上压单元正下方设有测试单元，所述上压单元与测试单元活动抵触，所述测试单元包括中心转杆，所述中心转杆转动连接在外壳体底部内壁中心处，所述中心转杆四周呈环形阵列铰接有若干组测试座。本发明可以在测试过程中模拟出颠簸环境。该测试不仅可以适用室内静止设备上SIP芯片的使用环境，同时还可适用于车辆、升降机等户外移动设备上的使用环境，使得测试结果更加贴近真实，从而提高了测试准确度和测试效果。
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公开(公告)号：CN116631958B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310885186.2
申请日：2023-07-19
Applicant: 成都汉芯国科集成技术有限公司
Inventor： 刘松林
Abstract: 本发明涉及电气元件技术领域，具体为一种金刚石材料作半导体功率器件及其控制方法，包括IGBT半导体器件，所述IGBT半导体器件的表面开设有外置对接槽，所述外置对接槽的内壁滑动连接有外置对接板，所述外置对接板的内侧开设有内置滑动槽，所述内置滑动槽的内壁设置有定位装置，进而使内置动力板进入内置定位槽的内壁形成IGBT半导体器件维修后与外置对接板对接安装的简便性，改善了传统IGBT半导体器件和外置对接板之间采用胶粘或者螺钉安装方式，不便于对IGBT半导体器件和外置对接板之间进行分离或者组装操作的弊端，进而提高了IGBT半导体器件与外置对接板之间高效的安装组件，保障IGBT半导体器件维修操作的便利性。
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公开(公告)号：CN116805663A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202311072397.0
申请日：2023-08-24
Applicant: 成都汉芯国科集成技术有限公司
Inventor： 刘松林
IPC: H01L33/52 , H01L31/0203 , H01L25/16 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种基于CPO共封装的芯片微距封装设备及其控制方法，属于芯片封装技术领域；本发明用于解决封装胶料填充薄厚存在差异化，进而影响封装胶料的干燥塑形效率，以及造成封装胶料内外或局部干燥成型硬度存强度差的技术问题；本发明包括输送组件，输送组件包括主导轨，且主导轨底部外壁上固定安装有支撑骨架；本发明实现芯片的快速化、高效化热封成型，利用热烘通道辅助托架对初步热封成型的芯片，实施进一步的多角度全面热化速干处理，有助于芯片的封装胶料成型效率和胶料均匀干燥硬化强度，又经重定义、修正化公式分析与比对，控制部件再次的执行动作，以弥补之前处理过程中的不足，来提升芯片的封合效果，以及成型品质。
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公开(公告)号：CN114980633B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210923118.6
申请日：2022-08-02
Applicant: 成都汉芯国科集成技术有限公司
Abstract: 本发明属于功率放大器技术领域，特别涉及一种前侧热提取结构的功率放大器装置，包括第一安装组件、第二安装组件和两组回弹组件；所述第一安装组件包括第一壳体、基板机构、微型气泵和微型抽气泵；所述第一壳体的外壁且开口处的一侧固定连接有隔离机构，所述基板机构活动卡接在第一壳体的内壁。通过隔离机构将安装在第一壳体内的基板机构区分成两个部分，对基板机构中温度较高的功率管芯进行阻隔，并通过分流罩表面开设的第一导流槽和第二导流槽，使第一导流槽产生的气流以及第二导流槽产生的负压进行自由切换的作用，提高了隔离功率放大器前侧热量传递效率的同时，又达到隔离功率放大器前侧热量提取的效果。
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公开(公告)号：CN119534988A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411483393.6
申请日：2024-10-23
Applicant: 成都汉芯国科集成技术有限公司
IPC: G01R21/133 , G01R15/00 , G01R15/14 , G01R1/20
Abstract: 本发明公开了一种前级功率检测电路及方法属于功率电路测量领域，所述方法包括，输入信号通过连接端口送入功率测量电路，首先通过信号耦合模块将输入信号分为主信号和耦合信号，主信号保留所述输入信号的原始特性，而耦合信号被降低到适合检测的功率水平；ADC转换器将耦合信号转换为数字信号并输入功率检测器；功率检测器根据预设的功率阈值对输入的数字信号进行判断，并将判断得到的功率值上报，当检测到的功率超过阈值，则MCU发送控制信号控制射频开关的打开或关闭；功率显示器件将接收到的的功率值转化为可视化的格式。本发明通过初步测试出高功率产品的功率指标，有外部检测仪器时也对信号输出做了开通和关断，达到仪器保护的目的。
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公开(公告)号：CN119381361A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411930552.2
申请日：2024-12-26
Applicant: 成都汉芯国科集成技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于TSV技术的芯片三维SiP封装系统，属于半导体器件的封装技术领域，包括：封装壳体、温控装置、制冷片和传感器；封装壳体用于散热，温控装置固定的设置在封装壳体的外部，温控装置用于控制封装壳体内部的温度，使封装壳体内部的温度保持恒定，制冷片设置在封装壳体的内部，制冷片通过电线连接于温控装置，传感器通过电线连接于温控装置，传感器设置在封装壳体的内部；本发明的有益效果：制冷片的一面对芯片组件进行制冷，制冷片的另一面温度、封装壳体内部的温度通过封装壳体进行散热到封装壳体的外部，实现了封装壳体内部的温度保持恒定。
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公开(公告)号：CN118197937B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410613864.4
申请日：2024-05-17
Applicant: 成都汉芯国科集成技术有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种PMU芯片采用的FC倒装焊接工艺，属于半导体焊接技术领域，包括如下步骤：步骤1)：共面性检测；步骤2)：在PMU芯片上和芯片基板上涂敷粘合剂溶液；步骤3)：对PMU芯片和芯片基板进行贴片；其中，自动共晶贴片机能够自动的上下移动，将PMU芯片上的凸点与芯片基板上的开孔进行准确的对位，使PMU芯片与芯片基板接触，驱动自动共晶贴片机下移；步骤4)：对PMU芯片和芯片基板进行FC倒装焊；其中，采用脉冲加热的方式对PMU芯片上和芯片基板上涂敷粘合剂溶液进行加热，以及对PMU芯片上的凸点进行加热，PMU芯片上的凸点融化，实现了PMU芯片与芯片基板之间的焊接连接；本发明的有益效果：PMU芯片能够固定安装在芯片基板上。
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公开(公告)号：CN118737517A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410636704.1
申请日：2024-05-22
Applicant: 成都汉芯国科集成技术有限公司
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明涉及一种基于金刚石半导体3D封装的微型原子能核电池，属于新能源电池技术领域，包括：电源管理控制芯片、能量转换电路以及63Ni平面源，63Ni平面源能够发射β粒子，能量转换电路用于产生、收集和释放电能，能量转换电路与63Ni平面源之间的设置为从下往上依次交错的堆叠设置，电源管理控制芯片用于控制能量转换电路释放出稳定的电能，电源管理控制芯片与能量转换电路相连，电源管理控制芯片与63Ni平面源之间设置有能量转换电路，通过63Ni平面源本身发射的β粒子辐射到能量转换电路上，能量转换电路产生、收集和释放电能，电源管理控制芯片控制能量转换电路释放出稳定的电能；本发明有益效果：相比于现有微型原子能核电池输出3毫微瓦功率有进一步提高。
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