公开(公告)号：CN109559998A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811023657.4

申请日：2018-09-04

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 高山 ,  郑富阳

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L27/22

摘要： 本发明涉及用于MRAM装置的磁屏蔽封装结构及其制造方法，提供将MRAM结构的所有六面磁屏蔽于薄打线或薄覆晶接合封装中的方法及所产生的装置。具体实施例包括：形成嵌在一PCB衬底的上半部、下半部之间的一第一金属层，该第一金属层有侧向分离的一对金属填充通孔；将一半导体晶粒贴合至该PCB衬底在该对金属填充通孔之间的该上半部；通过该对金属填充通孔使该半导体晶粒电气连接至该PCB衬底；将该PCB衬底的该上半部在该对金属填充通孔外的一部分向下移除到该第一金属层；以及形成一第二金属层于该半导体晶粒的相对四侧上面及上，该第二金属层座落于该第一金属层上。

公开(公告)号：CN109559998B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201811023657.4

申请日：2018-09-04

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 高山 ,  郑富阳

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L27/22

摘要： 本发明涉及用于MRAM装置的磁屏蔽封装结构及其制造方法，提供将MRAM结构的所有六面磁屏蔽于薄打线或薄覆晶接合封装中的方法及所产生的装置。具体实施例包括：形成嵌在一PCB衬底的上半部、下半部之间的一第一金属层，该第一金属层有侧向分离的一对金属填充通孔；将一半导体晶粒贴合至该PCB衬底在该对金属填充通孔之间的该上半部；通过该对金属填充通孔使该半导体晶粒电气连接至该PCB衬底；将该PCB衬底的该上半部在该对金属填充通孔外的一部分向下移除到该第一金属层；以及形成一第二金属层于该半导体晶粒的相对四侧上面及上，该第二金属层座落于该第一金属层上。

公开(公告)号：CN108493162A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810150694.5

申请日：2018-02-13

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 龚顺强 ,  陈元文 ,  高山

IPC分类号： H01L23/16 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/211 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/35121

摘要： 本发明涉及用于晶圆级封装的密封环，揭示装置及用于形成装置的方法。提供至少一晶粒。具有扇出区域的重分布层从该至少一晶粒的外周缘同心地向外延伸。密封环设置在该重分布层的该扇出区域中。