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公开(公告)号:CN101189925B
公开(公告)日:2011-02-23
申请号:CN200680018071.8
申请日:2006-03-23
Applicant: 新加坡科技研究局
CPC classification number: H01G4/232 , H01G4/40 , H01L23/49822 , H01L23/50 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H05K1/0231 , H05K1/162 , H05K1/185 , H05K3/429 , H05K2201/09718 , H05K2201/09763 , H01L2224/0401
Abstract: 一种埋入电容结构(100),包括:主体; 至少一个埋入电容(102,104),其具有形成于主体中的第一电极(108)、介质层、和第二电极(118);以及形成于主体中的至少一个孔电连接(110,112);其中至少一个第一和第二电极(108,118)没有直接电连接到该孔电连接(110,112)。
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公开(公告)号:CN101189925A
公开(公告)日:2008-05-28
申请号:CN200680018071.8
申请日:2006-03-23
Applicant: 新加坡科技研究局
CPC classification number: H01G4/232 , H01G4/40 , H01L23/49822 , H01L23/50 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H05K1/0231 , H05K1/162 , H05K1/185 , H05K3/429 , H05K2201/09718 , H05K2201/09763 , H01L2224/0401
Abstract: 一种埋入电容结构(100),包括:主体;至少一个埋入电容(102,104),其具有形成于主体中的第一电极(108)、介质层、和第二电极(118);以及形成于主体中的至少一个孔电连接(110,112);其中至少一个第一和第二电极(108,118)没有直接电连接到该孔电连接(110,112)。
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